bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{capano97,
  44   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  45   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  46   journal =      "MRS Bull.",
  47   volume =       "22",
  48   pages =        "19",
  49   year =         "1997",
  50 }
  51
  52 @Book{laplace,
  53   author =       "P. S. de Laplace",
  54   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  55   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  56   volume =       "VII",
  57   publisher =    "Gauthier-Villars",
  58   year =         "1820",
  59 }
  60
  61 @Article{mattoni2007,
  62   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  63   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  64                  materials}",
  65   journal =      "Phys. Rev. B",
  66   year =         "2007",
  67   month =        dec,
  68   volume =       "76",
  69   number =       "22",
  70   pages =        "224103",
  71   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  72   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  73                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  74                  fracture, more available potentials, universal energy
  75                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  76 }
  77
  78 @Article{koster2002,
  79   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
  80                  bombardment",
  81   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
  82   journal =      "Phys. Rev. B",
  83   volume =       "62",
  84   number =       "16",
  85   pages =        "11219--11224",
  86   numpages =     "5",
  87   year =         "2000",
  88   month =        oct,
  89   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
  90   publisher =    "American Physical Society",
  91   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
  92 }
  93
  94 @Article{breadmore99,
  95   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
  96                  amorphization of silicon",
  97   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
  98   journal =      "Phys. Rev. B",
  99   volume =       "60",
 100   number =       "18",
 101   pages =        "12610--12616",
 102   numpages =     "6",
 103   year =         "1999",
 104   month =        nov,
 105   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 106   publisher =    "American Physical Society",
 107   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 108 }
 109
 110 @Book{park98,
 111   author =       "Y. S. Park",
 112   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 113   publisher =    "Academic Press",
 114   address =      "San Diego",
 115   year =         "1998",
 116 }
 117
 118 @Article{tsvetkov98,
 119   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 120                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 121   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 122   journal =      "Materials Science Forum",
 123   volume =       "264-268",
 124   pages =        "3--8",
 125   year =         "1998",
 126   notes =        "modified lely process, micropipes",
 127 }
 128
 129 @Article{verlet67,
 130   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 131                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 132   author =       "Loup Verlet",
 133   journal =      "Phys. Rev.",
 134   volume =       "159",
 135   number =       "1",
 136   pages =        "98",
 137   year =         "1967",
 138   month =        jul,
 139   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 140   publisher =    "American Physical Society",
 141   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 142                  motion",
 143 }
 144
 145 @Article{berendsen84,
 146   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 147                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 148   collaboration = "",
 149   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 150   publisher =    "AIP",
 151   year =         "1984",
 152   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 153   volume =       "81",
 154   number =       "8",
 155   pages =        "3684--3690",
 156   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 157                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 158   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 159   doi =          "10.1063/1.448118",
 160   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 161 }
 162
 163 @Article{huang95,
 164   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 165                  Baskes",
 166   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 167                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 168                  potentials",
 169   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 170                  Engineering",
 171   volume =       "3",
 172   number =       "5",
 173   pages =        "615--627",
 174   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 175   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 176                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 177   year =         "1995",
 178 }
 179
 180 @Article{tersoff89,
 181   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 182                  Tersoff potentials",
 183   author =       "Donald W. Brenner",
 184   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 185   volume =       "63",
 186   number =       "9",
 187   pages =        "1022",
 188   numpages =     "1",
 189   year =         "1989",
 190   month =        aug,
 191   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 192   publisher =    "American Physical Society",
 193   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 194 }
 195
 196 @Article{batra87,
 197   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 198                  silicon",
 199   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 200   journal =      "Phys. Rev. B",
 201   volume =       "35",
 202   number =       "18",
 203   pages =        "9552--9558",
 204   numpages =     "6",
 205   year =         "1987",
 206   month =        jun,
 207   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 208   publisher =    "American Physical Society",
 209   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 210                  calculation of defect formation energy, defect
 211                  interstitial types",
 212 }
 213
 214 @Article{schober89,
 215   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 216   author =       "H. R. Schober",
 217   journal =      "Phys. Rev. B",
 218   volume =       "39",
 219   number =       "17",
 220   pages =        "13013--13015",
 221   numpages =     "2",
 222   year =         "1989",
 223   month =        jun,
 224   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 227                  dumbbell configuration",
 228 }
 229
 230 @Article{gao02,
 231   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 232                  Defect accumulation, topological features, and
 233                  disordering",
 234   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "66",
 237   number =       "2",
 238   pages =        "024106",
 239   numpages =     "10",
 240   year =         "2002",
 241   month =        jul,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 245                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 246                  result analyze",
 247 }
 248
 249 @Article{devanathan98,
 250   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 251                  cascade in Si{C}",
 252   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 253                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 254   volume =       "141",
 255   number =       "1-4",
 256   pages =        "118--122",
 257   year =         "1998",
 258   ISSN =         "0168-583X",
 259   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 260   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 261                  Rubia",
 262   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 263                  3c-sic",
 264 }
 265
 266 @Article{devanathan98_2,
 267   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 268   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 269   volume =       "253",
 270   number =       "1-3",
 271   pages =        "47--52",
 272   year =         "1998",
 273   ISSN =         "0022-3115",
 274   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 275   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 276                  Weber",
 277   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 278                  tersoff",
 279 }
 280
 281 @Article{batra87,
 282   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 283   author =       "M. Kitabatake",
 284   journal =      "Thin Solid Films",
 285   volume =       "369",
 286   pages =        "257--264",
 287   numpages =     "8",
 288   year =         "2000",
 289   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 290 }
 291
 292 @Article{tang97,
 293   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 294                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 295                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 296                  formation volumes",
 297   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 298                  Rubia",
 299   journal =      "Phys. Rev. B",
 300   volume =       "55",
 301   number =       "21",
 302   pages =        "14279--14289",
 303   numpages =     "10",
 304   year =         "1997",
 305   month =        jun,
 306   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 307   publisher =    "American Physical Society",
 308   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 309 }
 310
 311 @Article{tang97,
 312   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 313                  silicon",
 314   author =       "L. Colombo",
 315   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 316   volume =       "32",
 317   pages =        "271--295",
 318   numpages =     "25",
 319   year =         "2002",
 320   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 321   publisher =    "Annual Reviews",
 322   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 323 }
 324
 325 @Article{gao2001,
 326   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 327                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 328   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 329                  Corrales",
 330   journal =      "Phys. Rev. B",
 331   volume =       "64",
 332   number =       "24",
 333   pages =        "245208",
 334   numpages =     "7",
 335   year =         "2001",
 336   month =        dec,
 337   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 338   publisher =    "American Physical Society",
 339   notes =        "defects in 3c-sic",
 340 }
 341
 342 @Article{mattoni2002,
 343   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 344                  crystalline silicon",
 345   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "66",
 348   number =       "19",
 349   pages =        "195214",
 350   numpages =     "6",
 351   year =         "2002",
 352   month =        nov,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 356                  links",
 357 }
 358
 359 @Article{leung99,
 360   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 361   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 362                  Itoh and S. Ihara",
 363   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 364   volume =       "83",
 365   number =       "12",
 366   pages =        "2351--2354",
 367   numpages =     "3",
 368   year =         "1999",
 369   month =        sep,
 370   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 371   publisher =    "American Physical Society",
 372   notes =        "nice images of the defects",
 373 }
 374
 375 @Article{capazd94,
 376   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 377                  carbon in silicon",
 378   author =       "R. B. Capazd and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 379   journal =      "Phys. Rev. B",
 380   volume =       "50",
 381   number =       "11",
 382   pages =        "7439--7442",
 383   numpages =     "3",
 384   year =         "1994",
 385   month =        sep,
 386   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 387   publisher =    "American Physical Society",
 388   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 389                  dumbbell",
 390 }
 391
 392 @Article{car84,
 393   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 394                  Silicon",
 395   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 396                  Sokrates T. Pantelides",
 397   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 398   volume =       "52",
 399   number =       "20",
 400   pages =        "1814--1817",
 401   numpages =     "3",
 402   year =         "1984",
 403   month =        may,
 404   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 405   publisher =    "American Physical Society",
 406   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 407                  path formation",
 408 }
 409
 410 @Article{kelires97,
 411   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 412                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 413   author =       "P. C. Kelires",
 414   journal =      "Phys. Rev. B",
 415   volume =       "55",
 416   number =       "14",
 417   pages =        "8784--8787",
 418   numpages =     "3",
 419   year =         "1997",
 420   month =        apr,
 421   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 422   publisher =    "American Physical Society",
 423   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 424                  neighbour dist",
 425 }
 426
 427 @Article{kelires95,
 428   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 429                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 430   author =       "P. C. Kelires",
 431   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 432   volume =       "75",
 433   number =       "6",
 434   pages =        "1114--1117",
 435   numpages =     "3",
 436   year =         "1995",
 437   month =        aug,
 438   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 439   publisher =    "American Physical Society",
 440   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 441 }
 442
 443 @Article{watkins76,
 444   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 445                  Atom in Silicon",
 446   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 447   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 448   volume =       "36",
 449   number =       "22",
 450   pages =        "1329--1332",
 451   numpages =     "3",
 452   year =         "1976",
 453   month =        may,
 454   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 455   publisher =    "American Physical Society",
 456   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 457                  silicon",
 458 }
 459
 460 @Article{song90,
 461   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 462                  interstitial carbon in silicon",
 463   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 464   journal =      "Phys. Rev. B",
 465   volume =       "42",
 466   number =       "9",
 467   pages =        "5759--5764",
 468   numpages =     "5",
 469   year =         "1990",
 470   month =        sep,
 471   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 472   publisher =    "American Physical Society",
 473 }
 474
 475 @Article{strane96,
 476   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 477                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 478   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 479                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 480   journal =      "J. Appl. Phys.",
 481   volume =       "79",
 482   pages =        "637",
 483   year =         "1996",
 484   month =        jan,
 485   doi =          "10.1063/1.360806",
 486   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 487 }
 488
 489 @Article{laveant2002,
 490   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 491   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 492                  G{\"o}sele",
 493   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 494   volume =       "89",
 495   number =       "1-3",
 496   pages =        "241--245",
 497   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 498   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 499                  stress, avoid sic precipitation",
 500 }
 501
 502 @Article{werner97,
 503   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 504                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 505   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 506                  silicon by transmission electron microscopy",
 507   publisher =    "AIP",
 508   year =         "1997",
 509   journal =      "Applied Physics Letters",
 510   volume =       "70",
 511   number =       "2",
 512   pages =        "252--254",
 513   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 514                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 515                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 516                  layers; precipitation",
 517   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 518   doi =          "10.1063/1.118381",
 519   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 520                  precipitate",
 521 }
 522
 523 @Article{strane94,
 524   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 525                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 526   collaboration = "",
 527   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 528                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 529   publisher =    "AIP",
 530   year =         "1994",
 531   journal =      "Journal of Applied Physics",
 532   volume =       "76",
 533   number =       "6",
 534   pages =        "3656--3668",
 535   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 536   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 537   doi =          "10.1063/1.357429",
 538   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 539 }
 540
 541 @Article{edgar92,
 542   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 543                  semiconductors",
 544   author =       "J. H. Edgar",
 545   journal =      "J. Mater. Res.",
 546   volume =       "7",
 547   pages =        "235",
 548   year =         "1992",
 549   month =        jan,
 550   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 551   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 552                  polytypes",
 553 }
 554
 555 @Article{zirkelbach2007,
 556   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 557                  process leading to ordered precipitate structures",
 558   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 559                  and B. Stritzker",
 560   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 561   volume =       "257",
 562   number =       "1--2",
 563   pages =        "75--79",
 564   numpages =     "5",
 565   year =         "2007",
 566   month =        apr,
 567   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 568   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 569                  NETHERLANDS",
 570 }
 571
 572 @Article{zirkelbach2006,
 573   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 574                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 575                  during ion irradiation",
 576   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 577                  and B. Stritzker",
 578   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 579   volume =       "242",
 580   number =       "1--2",
 581   pages =        "679--682",
 582   numpages =     "4",
 583   year =         "2006",
 584   month =        jan,
 585   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 586   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 587                  NETHERLANDS",
 588 }
 589
 590 @Article{zirkelbach2005,
 591   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 592                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 593                  ion irradiation",
 594   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 595                  and B. Stritzker",
 596   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 597   volume =       "33",
 598   number =       "1--3",
 599   pages =        "310--316",
 600   numpages =     "7",
 601   year =         "2005",
 602   month =        apr,
 603   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 604   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 605                  NETHERLANDS",
 606 }
 607
 608 @Article{lindner99,
 609   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 610                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 611                  layers in silicon",
 612   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 613                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 614   volume =       "147",
 615   number =       "1-4",
 616   pages =        "249--255",
 617   year =         "1999",
 618   note =         "",
 619   ISSN =         "0168-583X",
 620   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 621   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 622   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 623   notes =        "two-step implantation process",
 624 }
 625
 626 @Article{lindner01,
 627   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 628                  Basic physical processes",
 629   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 630                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 631   volume =       "178",
 632   number =       "1-4",
 633   pages =        "44--54",
 634   year =         "2001",
 635   note =         "",
 636   ISSN =         "0168-583X",
 637   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 638   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 639   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 640 }
 641
 642 @Article{lindner02,
 643   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 644                  fundamental studies for new technological tricks",
 645   author =       "J. K. N. Lindner",
 646   journal =      "Appl. Phys. A",
 647   volume =       "77",
 648   pages =        "27--38",
 649   year =         "2003",
 650   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 651   notes =        "ibs, burried sic layers",
 652 }
 653
 654 @Article{alder57,
 655   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 656   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 657   publisher =    "AIP",
 658   year =         "1957",
 659   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 660   volume =       "27",
 661   number =       "5",
 662   pages =        "1208--1209",
 663   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 664   doi =          "10.1063/1.1743957",
 665 }
 666
 667 @Article{alder59,
 668   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 669   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 670   publisher =    "AIP",
 671   year =         "1959",
 672   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 673   volume =       "31",
 674   number =       "2",
 675   pages =        "459--466",
 676   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 677   doi =          "10.1063/1.1730376",
 678 }
 679
 680 @Article{tersoff_si1,
 681   title =        "New empirical model for the structural properties of
 682                  silicon",
 683   author =       "J. Tersoff",
 684   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 685   volume =       "56",
 686   number =       "6",
 687   pages =        "632--635",
 688   numpages =     "3",
 689   year =         "1986",
 690   month =        feb,
 691   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 692   publisher =    "American Physical Society",
 693 }
 694
 695 @Article{tersoff_si2,
 696   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 697                  covalent systems",
 698   author =       "J. Tersoff",
 699   journal =      "Phys. Rev. B",
 700   volume =       "37",
 701   number =       "12",
 702   pages =        "6991--7000",
 703   numpages =     "9",
 704   year =         "1988",
 705   month =        apr,
 706   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 707   publisher =    "American Physical Society",
 708 }
 709
 710 @Article{tersoff_si3,
 711   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 712                  improved elastic properties",
 713   author =       "J. Tersoff",
 714   journal =      "Phys. Rev. B",
 715   volume =       "38",
 716   number =       "14",
 717   pages =        "9902--9905",
 718   numpages =     "3",
 719   year =         "1988",
 720   month =        nov,
 721   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 722   publisher =    "American Physical Society",
 723 }
 724
 725 @Article{tersoff_c,
 726   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 727                  Applications to Amorphous Carbon",
 728   author =       "J. Tersoff",
 729   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 730   volume =       "61",
 731   number =       "25",
 732   pages =        "2879--2882",
 733   numpages =     "3",
 734   year =         "1988",
 735   month =        dec,
 736   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 737   publisher =    "American Physical Society",
 738 }
 739
 740 @Article{tersoff_m,
 741   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 742                  for multicomponent systems",
 743   author =       "J. Tersoff",
 744   journal =      "Phys. Rev. B",
 745   volume =       "39",
 746   number =       "8",
 747   pages =        "5566--5568",
 748   numpages =     "2",
 749   year =         "1989",
 750   month =        mar,
 751   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 752   publisher =    "American Physical Society",
 753 }
 754
 755 @Article{fahey89,
 756   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 757   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 758   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 759   volume =       "61",
 760   number =       "2",
 761   pages =        "289--384",
 762   numpages =     "95",
 763   year =         "1989",
 764   month =        apr,
 765   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 766   publisher =    "American Physical Society",
 767 }
 768
 769 @Article{wesch96,
 770   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 771   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 772                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 773   volume =       "116",
 774   number =       "1-4",
 775   pages =        "305--321",
 776   year =         "1996",
 777   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 778   ISSN =         "0168-583X",
 779   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 780   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 781   author =       "W. Wesch",
 782 }
 783
 784 @Article{morkoc94,
 785   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 786                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 787   collaboration = "",
 788   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 789                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 790   publisher =    "AIP",
 791   year =         "1994",
 792   journal =      "Journal of Applied Physics",
 793   volume =       "76",
 794   number =       "3",
 795   pages =        "1363--1398",
 796   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 797                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 798                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 799                  FILMS; INDUSTRY",
 800   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 801   doi =          "10.1063/1.358463",
 802 }
 803
 804 @Article{foo,
 805   author =       "Noch Unbekannt",
 806   title =        "How to find references",
 807   journal =      "Journal of Applied References",
 808   year =         "2009",
 809   volume =       "77",
 810   pages =        "1--23",
 811 }
 812
 813 @Article{tang95,
 814   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 815                  \beta{}-Si{C}",
 816   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 817   journal =      "Phys. Rev. B",
 818   volume =       "52",
 819   number =       "21",
 820   pages =        "15150--15159",
 821   numpages =     "9",
 822   year =         "1995",
 823   month =        dec,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 825   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume",
 826   publisher =    "American Physical Society",
 827 }
 828
 829 @Article{sarro00,
 830   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 831   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 832   volume =       "82",
 833   number =       "1-3",
 834   pages =        "210--218",
 835   year =         "2000",
 836   ISSN =         "0924-4247",
 837   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 838   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 839   author =       "Pasqualina M. Sarro",
 840   keywords =     "MEMS",
 841   keywords =     "Silicon carbide",
 842   keywords =     "Micromachining",
 843   keywords =     "Mechanical stress",
 844 }
 845
 846 @Article{casady96,
 847   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
 848                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
 849                  review",
 850   journal =      "Solid-State Electronics",
 851   volume =       "39",
 852   number =       "10",
 853   pages =        "1409--1422",
 854   year =         "1996",
 855   ISSN =         "0038-1101",
 856   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
 857   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
 858   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
 859 }
 860
 861 @Article{giancarli98,
 862   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
 863                  structural material in fusion power reactor blankets",
 864   journal =      "Fusion Engineering and Design",
 865   volume =       "41",
 866   number =       "1-4",
 867   pages =        "165--171",
 868   year =         "1998",
 869   ISSN =         "0920-3796",
 870   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
 871   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
 872   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
 873                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
 874 }
 875
 876 @Article{pensl93,
 877   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
 878   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
 879   volume =       "185",
 880   number =       "1-4",
 881   pages =        "264--283",
 882   year =         "1993",
 883   ISSN =         "0921-4526",
 884   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
 885   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
 886   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
 887 }
 888
 889 @Article{tairov78,
 890   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
 891                  carbide single crystals",
 892   journal =      "Journal of Crystal Growth",
 893   volume =       "43",
 894   number =       "2",
 895   pages =        "209--212",
 896   year =         "1978",
 897   notes =        "modifief lely process",
 898   ISSN =         "0022-0248",
 899   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
 900   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
 901   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
 902 }
 903
 904 @Article{powell87,
 905   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
 906                  Kuczmarski",
 907   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
 908                  Single-Crystal Films on Si",
 909   publisher =    "ECS",
 910   year =         "1987",
 911   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
 912   volume =       "134",
 913   number =       "6",
 914   pages =        "1558--1565",
 915   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
 916                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
 917   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
 918   doi =          "10.1149/1.2100708",
 919   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
 920 }
 921
 922 @Article{kimoto93,
 923   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
 924                  and Hiroyuki Matsunami",
 925   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
 926                  epitaxy",
 927   publisher =    "AIP",
 928   year =         "1993",
 929   journal =      "Journal of Applied Physics",
 930   volume =       "73",
 931   number =       "2",
 932   pages =        "726--732",
 933   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
 934                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
 935                  VAPOR DEPOSITION",
 936   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
 937   doi =          "10.1063/1.353329",
 938 }
 939
 940 @Article{powell90,
 941   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
 942                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
 943                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
 944   collaboration = "",
 945   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
 946                  6{H}-Si{C} substrates",
 947   publisher =    "AIP",
 948   year =         "1990",
 949   journal =      "Applied Physics Letters",
 950   volume =       "56",
 951   number =       "14",
 952   pages =        "1353--1355",
 953   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
 954                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
 955                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
 956                  PHASE EPITAXY",
 957   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
 958   doi =          "10.1063/1.102512",
 959 }
 960
 961 @Article{fissel95,
 962   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
 963                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
 964                  molecular beam epitaxy",
 965   journal =      "Journal of Crystal Growth",
 966   volume =       "154",
 967   number =       "1-2",
 968   pages =        "72--80",
 969   year =         "1995",
 970   notes =        "solid source mbe",
 971   ISSN =         "0022-0248",
 972   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
 973   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
 974   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
 975                  and W. Richter",
 976 }
 977
 978 @Article{borders71,
 979   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
 980   collaboration = "",
 981   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
 982                  {IMPLANTATION}",
 983   publisher =    "AIP",
 984   year =         "1971",
 985   journal =      "Applied Physics Letters",
 986   volume =       "18",
 987   number =       "11",
 988   pages =        "509--511",
 989   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
 990   notes =        "first time sic by ibs",
 991   doi =          "10.1063/1.1653516",
 992 }
 993
 994 @Article{reeson87,
 995   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
 996                  J. Davis and G. E. Celler",
 997   collaboration = "",
 998   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
 999                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1000   publisher =    "AIP",
1001   year =         "1987",
1002   journal =      "Applied Physics Letters",
1003   volume =       "51",
1004   number =       "26",
1005   pages =        "2242--2244",
1006   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1007                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1008   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1009   doi =          "10.1063/1.98953",
1010   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1011 }
1012
1013 @Article{scace59,
1014   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1015   collaboration = "",
1016   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1017   publisher =    "AIP",
1018   year =         "1959",
1019   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1020   volume =       "30",
1021   number =       "6",
1022   pages =        "1551--1555",
1023   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1024   doi =          "10.1063/1.1730236",
1025   notes =        "solubility of c in c-si",
1026 }