bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  45   title =        "",
  46   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  47   volume =       "32",
  48   pages =        "1211",
  49   year =         "1971",
  50   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  51 }
  52
  53 @Article{capano97,
  54   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  55   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  56   journal =      "MRS Bull.",
  57   volume =       "22",
  58   pages =        "19",
  59   year =         "1997",
  60 }
  61
  62 @Article{fischer90,
  63   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  64   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  65                  carbide",
  66   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  67   volume =       "61",
  68   pages =        "217--236",
  69   year =         "1990",
  70   notes =        "sic polytypes",
  71 }
  72
  73 @Book{laplace,
  74   author =       "P. S. de Laplace",
  75   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  76   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  77   volume =       "VII",
  78   publisher =    "Gauthier-Villars",
  79   year =         "1820",
  80 }
  81
  82 @Article{mattoni2007,
  83   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  84   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  85                  materials}",
  86   journal =      "Phys. Rev. B",
  87   year =         "2007",
  88   month =        dec,
  89   volume =       "76",
  90   number =       "22",
  91   pages =        "224103",
  92   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  93   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  94                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  95                  fracture, more available potentials, universal energy
  96                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  97 }
  98
  99 @Article{balamane92,
 100   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 101                  potentials",
 102   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 103   journal =      "Phys. Rev. B",
 104   volume =       "46",
 105   number =       "4",
 106   pages =        "2250--2279",
 107   numpages =     "29",
 108   year =         "1992",
 109   month =        jul,
 110   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 111   publisher =    "American Physical Society",
 112   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 113 }
 114
 115 @Article{koster2002,
 116   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 117                  bombardment",
 118   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 119   journal =      "Phys. Rev. B",
 120   volume =       "62",
 121   number =       "16",
 122   pages =        "11219--11224",
 123   numpages =     "5",
 124   year =         "2000",
 125   month =        oct,
 126   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 127   publisher =    "American Physical Society",
 128   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 129 }
 130
 131 @Article{breadmore99,
 132   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 133                  amorphization of silicon",
 134   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 135   journal =      "Phys. Rev. B",
 136   volume =       "60",
 137   number =       "18",
 138   pages =        "12610--12616",
 139   numpages =     "6",
 140   year =         "1999",
 141   month =        nov,
 142   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 143   publisher =    "American Physical Society",
 144   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 145 }
 146
 147 @Article{moissan04,
 148   author =       "Henri Moissan",
 149   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 150                  Diablo",
 151   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 152   volume =       "139",
 153   pages =        "773--786",
 154   year =         "1904",
 155 }
 156
 157 @Book{park98,
 158   author =       "Y. S. Park",
 159   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 160   publisher =    "Academic Press",
 161   address =      "San Diego",
 162   year =         "1998",
 163 }
 164
 165 @Article{tsvetkov98,
 166   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 167                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 168   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 169   journal =      "Materials Science Forum",
 170   volume =       "264-268",
 171   pages =        "3--8",
 172   year =         "1998",
 173   notes =        "modified lely process, micropipes",
 174 }
 175
 176 @Article{verlet67,
 177   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 178                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 179   author =       "Loup Verlet",
 180   journal =      "Phys. Rev.",
 181   volume =       "159",
 182   number =       "1",
 183   pages =        "98",
 184   year =         "1967",
 185   month =        jul,
 186   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 187   publisher =    "American Physical Society",
 188   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 189                  motion",
 190 }
 191
 192 @Article{berendsen84,
 193   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 194                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 195   collaboration = "",
 196   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 197   publisher =    "AIP",
 198   year =         "1984",
 199   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 200   volume =       "81",
 201   number =       "8",
 202   pages =        "3684--3690",
 203   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 204                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 205   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 206   doi =          "10.1063/1.448118",
 207   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 208 }
 209
 210 @Article{huang95,
 211   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 212                  Baskes",
 213   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 214                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 215                  potentials",
 216   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 217                  Engineering",
 218   volume =       "3",
 219   number =       "5",
 220   pages =        "615--627",
 221   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 222   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 223                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 224   year =         "1995",
 225 }
 226
 227 @Article{tersoff89,
 228   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 229                  Tersoff potentials",
 230   author =       "Donald W. Brenner",
 231   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 232   volume =       "63",
 233   number =       "9",
 234   pages =        "1022",
 235   numpages =     "1",
 236   year =         "1989",
 237   month =        aug,
 238   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 239   publisher =    "American Physical Society",
 240   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 241 }
 242
 243 @Article{batra87,
 244   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 245                  silicon",
 246   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 247   journal =      "Phys. Rev. B",
 248   volume =       "35",
 249   number =       "18",
 250   pages =        "9552--9558",
 251   numpages =     "6",
 252   year =         "1987",
 253   month =        jun,
 254   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 257                  calculation of defect formation energy, defect
 258                  interstitial types",
 259 }
 260
 261 @Article{schober89,
 262   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 263   author =       "H. R. Schober",
 264   journal =      "Phys. Rev. B",
 265   volume =       "39",
 266   number =       "17",
 267   pages =        "13013--13015",
 268   numpages =     "2",
 269   year =         "1989",
 270   month =        jun,
 271   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 272   publisher =    "American Physical Society",
 273   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 274                  dumbbell configuration",
 275 }
 276
 277 @Article{gao02,
 278   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 279                  Defect accumulation, topological features, and
 280                  disordering",
 281   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 282   journal =      "Phys. Rev. B",
 283   volume =       "66",
 284   number =       "2",
 285   pages =        "024106",
 286   numpages =     "10",
 287   year =         "2002",
 288   month =        jul,
 289   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 290   publisher =    "American Physical Society",
 291   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 292                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 293                  result analyze",
 294 }
 295
 296 @Article{devanathan98,
 297   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 298                  cascade in Si{C}",
 299   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 300                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 301   volume =       "141",
 302   number =       "1-4",
 303   pages =        "118--122",
 304   year =         "1998",
 305   ISSN =         "0168-583X",
 306   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 307   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 308                  Rubia",
 309   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 310                  3c-sic",
 311 }
 312
 313 @Article{devanathan98_2,
 314   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 315   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 316   volume =       "253",
 317   number =       "1-3",
 318   pages =        "47--52",
 319   year =         "1998",
 320   ISSN =         "0022-3115",
 321   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 322   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 323                  Weber",
 324   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 325                  tersoff",
 326 }
 327
 328 @Article{batra87,
 329   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 330   author =       "M. Kitabatake",
 331   journal =      "Thin Solid Films",
 332   volume =       "369",
 333   pages =        "257--264",
 334   numpages =     "8",
 335   year =         "2000",
 336   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 337 }
 338
 339 @Article{tang97,
 340   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 341                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 342                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 343                  formation volumes",
 344   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 345                  Rubia",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "55",
 348   number =       "21",
 349   pages =        "14279--14289",
 350   numpages =     "10",
 351   year =         "1997",
 352   month =        jun,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 356 }
 357
 358 @Article{tang97,
 359   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 360                  silicon",
 361   author =       "L. Colombo",
 362   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 363   volume =       "32",
 364   pages =        "271--295",
 365   numpages =     "25",
 366   year =         "2002",
 367   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 368   publisher =    "Annual Reviews",
 369   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 370 }
 371
 372 @Article{al-mushadani03,
 373   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 374                  silicon",
 375   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 376   journal =      "Phys. Rev. B",
 377   volume =       "68",
 378   number =       "23",
 379   pages =        "235205",
 380   numpages =     "8",
 381   year =         "2003",
 382   month =        dec,
 383   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 384   publisher =    "American Physical Society",
 385   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 386                  silicon, si self interstitials",
 387 }
 388
 389 @Article{ma10,
 390   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 391                  wide temperature range: Point defect states and
 392                  migration mechanisms",
 393   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 394   journal =      "Phys. Rev. B",
 395   volume =       "81",
 396   number =       "19",
 397   pages =        "193203",
 398   numpages =     "4",
 399   year =         "2010",
 400   month =        may,
 401   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 402   publisher =    "American Physical Society",
 403   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 404 }
 405
 406 @Article{gao2001,
 407   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 408                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 409   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 410                  Corrales",
 411   journal =      "Phys. Rev. B",
 412   volume =       "64",
 413   number =       "24",
 414   pages =        "245208",
 415   numpages =     "7",
 416   year =         "2001",
 417   month =        dec,
 418   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 419   publisher =    "American Physical Society",
 420   notes =        "defects in 3c-sic",
 421 }
 422
 423 @Article{mattoni2002,
 424   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 425                  crystalline silicon",
 426   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 427   journal =      "Phys. Rev. B",
 428   volume =       "66",
 429   number =       "19",
 430   pages =        "195214",
 431   numpages =     "6",
 432   year =         "2002",
 433   month =        nov,
 434   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 435   publisher =    "American Physical Society",
 436   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 437                  links, interaction of carbon and silicon
 438                  interstitials",
 439 }
 440
 441 @Article{leung99,
 442   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 443   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 444                  Itoh and S. Ihara",
 445   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 446   volume =       "83",
 447   number =       "12",
 448   pages =        "2351--2354",
 449   numpages =     "3",
 450   year =         "1999",
 451   month =        sep,
 452   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 453   publisher =    "American Physical Society",
 454   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 455                  refs",
 456 }
 457
 458 @Article{capaz94,
 459   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 460                  carbon in silicon",
 461   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 462   journal =      "Phys. Rev. B",
 463   volume =       "50",
 464   number =       "11",
 465   pages =        "7439--7442",
 466   numpages =     "3",
 467   year =         "1994",
 468   month =        sep,
 469   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 470   publisher =    "American Physical Society",
 471   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 472                  dumbbell",
 473 }
 474
 475 @Article{dal_pino93,
 476   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 477                  silicon",
 478   author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
 479                  Joannopoulos",
 480   journal =      "Phys. Rev. B",
 481   volume =       "47",
 482   number =       "19",
 483   pages =        "12554--12557",
 484   numpages =     "3",
 485   year =         "1993",
 486   month =        may,
 487   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 488   publisher =    "American Physical Society",
 489   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 490 }
 491
 492 @Article{car84,
 493   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 494                  Silicon",
 495   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 496                  Sokrates T. Pantelides",
 497   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 498   volume =       "52",
 499   number =       "20",
 500   pages =        "1814--1817",
 501   numpages =     "3",
 502   year =         "1984",
 503   month =        may,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 507                  path formation",
 508 }
 509
 510 @Article{kelires97,
 511   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 512                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 513   author =       "P. C. Kelires",
 514   journal =      "Phys. Rev. B",
 515   volume =       "55",
 516   number =       "14",
 517   pages =        "8784--8787",
 518   numpages =     "3",
 519   year =         "1997",
 520   month =        apr,
 521   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 522   publisher =    "American Physical Society",
 523   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 524                  neighbour dist",
 525 }
 526
 527 @Article{kelires95,
 528   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 529                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 530   author =       "P. C. Kelires",
 531   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 532   volume =       "75",
 533   number =       "6",
 534   pages =        "1114--1117",
 535   numpages =     "3",
 536   year =         "1995",
 537   month =        aug,
 538   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 539   publisher =    "American Physical Society",
 540   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 541 }
 542
 543 @Article{bean70,
 544   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 545                  containing carbon",
 546   journal =      "Solid State Communications",
 547   volume =       "8",
 548   number =       "3",
 549   pages =        "175--177",
 550   year =         "1970",
 551   note =         "",
 552   ISSN =         "0038-1098",
 553   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 554   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 555   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 556 }
 557
 558 @Article{watkins76,
 559   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 560                  Atom in Silicon",
 561   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 562   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 563   volume =       "36",
 564   number =       "22",
 565   pages =        "1329--1332",
 566   numpages =     "3",
 567   year =         "1976",
 568   month =        may,
 569   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 570   publisher =    "American Physical Society",
 571   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 572                  silicon",
 573 }
 574
 575 @Article{song90,
 576   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 577                  interstitial carbon in silicon",
 578   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 579   journal =      "Phys. Rev. B",
 580   volume =       "42",
 581   number =       "9",
 582   pages =        "5759--5764",
 583   numpages =     "5",
 584   year =         "1990",
 585   month =        sep,
 586   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 587   publisher =    "American Physical Society",
 588   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 589 }
 590
 591 @Article{tipping87,
 592   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 593   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 594                  silicon",
 595   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 596   volume =       "2",
 597   number =       "5",
 598   pages =        "315--317",
 599   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 600   year =         "1987",
 601   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 602                  silicon",
 603 }
 604
 605 @Article{strane96,
 606   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 607                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 608   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 609                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 610   journal =      "J. Appl. Phys.",
 611   volume =       "79",
 612   pages =        "637",
 613   year =         "1996",
 614   month =        jan,
 615   doi =          "10.1063/1.360806",
 616   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 617 }
 618
 619 @Article{laveant2002,
 620   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 621   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 622                  G{\"o}sele",
 623   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 624   volume =       "89",
 625   number =       "1-3",
 626   pages =        "241--245",
 627   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 628   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 629                  stress, avoid sic precipitation",
 630 }
 631
 632 @Article{werner97,
 633   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 634                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 635   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 636                  silicon by transmission electron microscopy",
 637   publisher =    "AIP",
 638   year =         "1997",
 639   journal =      "Applied Physics Letters",
 640   volume =       "70",
 641   number =       "2",
 642   pages =        "252--254",
 643   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 644                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 645                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 646                  layers; precipitation",
 647   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 648   doi =          "10.1063/1.118381",
 649   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 650                  precipitate",
 651 }
 652
 653 @Article{strane94,
 654   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 655                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 656   collaboration = "",
 657   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 658                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 659   publisher =    "AIP",
 660   year =         "1994",
 661   journal =      "Journal of Applied Physics",
 662   volume =       "76",
 663   number =       "6",
 664   pages =        "3656--3668",
 665   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 666   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 667   doi =          "10.1063/1.357429",
 668   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 669 }
 670
 671 @Article{edgar92,
 672   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 673                  semiconductors",
 674   author =       "J. H. Edgar",
 675   journal =      "J. Mater. Res.",
 676   volume =       "7",
 677   pages =        "235",
 678   year =         "1992",
 679   month =        jan,
 680   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 681   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 682                  polytypes",
 683 }
 684
 685 @Article{zirkelbach2007,
 686   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 687                  process leading to ordered precipitate structures",
 688   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 689                  and B. Stritzker",
 690   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 691   volume =       "257",
 692   number =       "1--2",
 693   pages =        "75--79",
 694   numpages =     "5",
 695   year =         "2007",
 696   month =        apr,
 697   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 698   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 699                  NETHERLANDS",
 700 }
 701
 702 @Article{zirkelbach2006,
 703   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 704                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 705                  during ion irradiation",
 706   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 707                  and B. Stritzker",
 708   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 709   volume =       "242",
 710   number =       "1--2",
 711   pages =        "679--682",
 712   numpages =     "4",
 713   year =         "2006",
 714   month =        jan,
 715   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 716   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 717                  NETHERLANDS",
 718 }
 719
 720 @Article{zirkelbach2005,
 721   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 722                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 723                  ion irradiation",
 724   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 725                  and B. Stritzker",
 726   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 727   volume =       "33",
 728   number =       "1--3",
 729   pages =        "310--316",
 730   numpages =     "7",
 731   year =         "2005",
 732   month =        apr,
 733   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 734   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 735                  NETHERLANDS",
 736 }
 737
 738 @Article{lindner99,
 739   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 740                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 741                  layers in silicon",
 742   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 743                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 744   volume =       "147",
 745   number =       "1-4",
 746   pages =        "249--255",
 747   year =         "1999",
 748   note =         "",
 749   ISSN =         "0168-583X",
 750   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 751   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 752   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 753   notes =        "two-step implantation process",
 754 }
 755
 756 @Article{lindner99_2,
 757   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 758                  in silicon",
 759   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 760                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 761   volume =       "148",
 762   number =       "1-4",
 763   pages =        "528--533",
 764   year =         "1999",
 765   note =         "",
 766   ISSN =         "0168-583X",
 767   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 768   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 769   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 770 }
 771
 772 @Article{lindner01,
 773   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 774                  Basic physical processes",
 775   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 776                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 777   volume =       "178",
 778   number =       "1-4",
 779   pages =        "44--54",
 780   year =         "2001",
 781   note =         "",
 782   ISSN =         "0168-583X",
 783   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 784   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 785   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 786 }
 787
 788 @Article{lindner02,
 789   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 790                  fundamental studies for new technological tricks",
 791   author =       "J. K. N. Lindner",
 792   journal =      "Appl. Phys. A",
 793   volume =       "77",
 794   pages =        "27--38",
 795   year =         "2003",
 796   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 797   notes =        "ibs, burried sic layers",
 798 }
 799
 800 @Article{alder57,
 801   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 802   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 803   publisher =    "AIP",
 804   year =         "1957",
 805   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 806   volume =       "27",
 807   number =       "5",
 808   pages =        "1208--1209",
 809   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 810   doi =          "10.1063/1.1743957",
 811 }
 812
 813 @Article{alder59,
 814   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 815   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 816   publisher =    "AIP",
 817   year =         "1959",
 818   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 819   volume =       "31",
 820   number =       "2",
 821   pages =        "459--466",
 822   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 823   doi =          "10.1063/1.1730376",
 824 }
 825
 826 @Article{tersoff_si1,
 827   title =        "New empirical model for the structural properties of
 828                  silicon",
 829   author =       "J. Tersoff",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "56",
 832   number =       "6",
 833   pages =        "632--635",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1986",
 836   month =        feb,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839 }
 840
 841 @Article{tersoff_si2,
 842   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 843                  covalent systems",
 844   author =       "J. Tersoff",
 845   journal =      "Phys. Rev. B",
 846   volume =       "37",
 847   number =       "12",
 848   pages =        "6991--7000",
 849   numpages =     "9",
 850   year =         "1988",
 851   month =        apr,
 852   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 853   publisher =    "American Physical Society",
 854 }
 855
 856 @Article{tersoff_si3,
 857   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 858                  improved elastic properties",
 859   author =       "J. Tersoff",
 860   journal =      "Phys. Rev. B",
 861   volume =       "38",
 862   number =       "14",
 863   pages =        "9902--9905",
 864   numpages =     "3",
 865   year =         "1988",
 866   month =        nov,
 867   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 868   publisher =    "American Physical Society",
 869 }
 870
 871 @Article{tersoff_c,
 872   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 873                  Applications to Amorphous Carbon",
 874   author =       "J. Tersoff",
 875   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 876   volume =       "61",
 877   number =       "25",
 878   pages =        "2879--2882",
 879   numpages =     "3",
 880   year =         "1988",
 881   month =        dec,
 882   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 883   publisher =    "American Physical Society",
 884 }
 885
 886 @Article{tersoff_m,
 887   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 888                  for multicomponent systems",
 889   author =       "J. Tersoff",
 890   journal =      "Phys. Rev. B",
 891   volume =       "39",
 892   number =       "8",
 893   pages =        "5566--5568",
 894   numpages =     "2",
 895   year =         "1989",
 896   month =        mar,
 897   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 898   publisher =    "American Physical Society",
 899 }
 900
 901 @Article{tersoff90,
 902   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
 903   author =       "J. Tersoff",
 904   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 905   volume =       "64",
 906   number =       "15",
 907   pages =        "1757--1760",
 908   numpages =     "3",
 909   year =         "1990",
 910   month =        apr,
 911   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
 912   publisher =    "American Physical Society",
 913 }
 914
 915 @Article{fahey89,
 916   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 917   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 918   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 919   volume =       "61",
 920   number =       "2",
 921   pages =        "289--384",
 922   numpages =     "95",
 923   year =         "1989",
 924   month =        apr,
 925   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 926   publisher =    "American Physical Society",
 927 }
 928
 929 @Article{wesch96,
 930   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 931   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 932                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 933   volume =       "116",
 934   number =       "1-4",
 935   pages =        "305--321",
 936   year =         "1996",
 937   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 938   ISSN =         "0168-583X",
 939   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 940   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 941   author =       "W. Wesch",
 942 }
 943
 944 @Article{morkoc94,
 945   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 946                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 947   collaboration = "",
 948   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 949                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 950   publisher =    "AIP",
 951   year =         "1994",
 952   journal =      "Journal of Applied Physics",
 953   volume =       "76",
 954   number =       "3",
 955   pages =        "1363--1398",
 956   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 957                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 958                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 959                  FILMS; INDUSTRY",
 960   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 961   doi =          "10.1063/1.358463",
 962 }
 963
 964 @Article{foo,
 965   author =       "Noch Unbekannt",
 966   title =        "How to find references",
 967   journal =      "Journal of Applied References",
 968   year =         "2009",
 969   volume =       "77",
 970   pages =        "1--23",
 971 }
 972
 973 @Article{tang95,
 974   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 975                  \beta{}-Si{C}",
 976   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 977   journal =      "Phys. Rev. B",
 978   volume =       "52",
 979   number =       "21",
 980   pages =        "15150--15159",
 981   numpages =     "9",
 982   year =         "1995",
 983   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 984   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
 985                  tersoff reparametrization",
 986   publisher =    "American Physical Society",
 987 }
 988
 989 @Article{sarro00,
 990   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 991   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 992   volume =       "82",
 993   number =       "1-3",
 994   pages =        "210--218",
 995   year =         "2000",
 996   ISSN =         "0924-4247",
 997   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 998   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 999   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1000   keywords =     "MEMS",
1001   keywords =     "Silicon carbide",
1002   keywords =     "Micromachining",
1003   keywords =     "Mechanical stress",
1004 }
1005
1006 @Article{casady96,
1007   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1008                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1009                  review",
1010   journal =      "Solid-State Electronics",
1011   volume =       "39",
1012   number =       "10",
1013   pages =        "1409--1422",
1014   year =         "1996",
1015   ISSN =         "0038-1101",
1016   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1017   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1018   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1019 }
1020
1021 @Article{giancarli98,
1022   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1023                  structural material in fusion power reactor blankets",
1024   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1025   volume =       "41",
1026   number =       "1-4",
1027   pages =        "165--171",
1028   year =         "1998",
1029   ISSN =         "0920-3796",
1030   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1031   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1032   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1033                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1034 }
1035
1036 @Article{pensl93,
1037   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1038   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1039   volume =       "185",
1040   number =       "1-4",
1041   pages =        "264--283",
1042   year =         "1993",
1043   ISSN =         "0921-4526",
1044   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1045   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1046   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1047 }
1048
1049 @Article{tairov78,
1050   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1051                  carbide single crystals",
1052   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1053   volume =       "43",
1054   number =       "2",
1055   pages =        "209--212",
1056   year =         "1978",
1057   notes =        "modifief lely process",
1058   ISSN =         "0022-0248",
1059   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1060   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1061   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1062 }
1063
1064 @Article{nishino83,
1065   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1066                  Will",
1067   collaboration = "",
1068   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1069                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1070   publisher =    "AIP",
1071   year =         "1983",
1072   journal =      "Applied Physics Letters",
1073   volume =       "42",
1074   number =       "5",
1075   pages =        "460--462",
1076   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1077                  monocrystals",
1078   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1079   doi =          "10.1063/1.93970",
1080   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1081 }
1082
1083 @Article{nishino:4889,
1084   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1085                  and Hiroyuki Matsunami",
1086   collaboration = "",
1087   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1088                  Si{C} on silicon",
1089   publisher =    "AIP",
1090   year =         "1987",
1091   journal =      "Journal of Applied Physics",
1092   volume =       "61",
1093   number =       "10",
1094   pages =        "4889--4893",
1095   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1096   doi =          "10.1063/1.338355",
1097   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1098                  carbonization",
1099 }
1100
1101 @Article{powell87,
1102   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1103                  Kuczmarski",
1104   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1105                  Single-Crystal Films on Si",
1106   publisher =    "ECS",
1107   year =         "1987",
1108   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1109   volume =       "134",
1110   number =       "6",
1111   pages =        "1558--1565",
1112   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1113                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1114   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1115   doi =          "10.1149/1.2100708",
1116   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1117 }
1118
1119 @Article{kimoto93,
1120   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1121                  and Hiroyuki Matsunami",
1122   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1123                  epitaxy",
1124   publisher =    "AIP",
1125   year =         "1993",
1126   journal =      "Journal of Applied Physics",
1127   volume =       "73",
1128   number =       "2",
1129   pages =        "726--732",
1130   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1131                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1132                  VAPOR DEPOSITION",
1133   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1134   doi =          "10.1063/1.353329",
1135   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1136 }
1137
1138 @Article{powell90,
1139   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1140                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1141                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1142   collaboration = "",
1143   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1144                  6{H}-Si{C} substrates",
1145   publisher =    "AIP",
1146   year =         "1990",
1147   journal =      "Applied Physics Letters",
1148   volume =       "56",
1149   number =       "14",
1150   pages =        "1353--1355",
1151   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1152                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1153                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1154                  PHASE EPITAXY",
1155   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1156   doi =          "10.1063/1.102512",
1157   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1158 }
1159
1160 @Article{yuan95,
1161   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1162                  Thokala and M. J. Loboda",
1163   collaboration = "",
1164   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1165                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1166                  silacyclobutane",
1167   publisher =    "AIP",
1168   year =         "1995",
1169   journal =      "Journal of Applied Physics",
1170   volume =       "78",
1171   number =       "2",
1172   pages =        "1271--1273",
1173   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1174                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1175                  SPECTROPHOTOMETRY",
1176   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1177   doi =          "10.1063/1.360368",
1178   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1179 }
1180
1181 @Article{fissel95,
1182   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1183                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1184                  molecular beam epitaxy",
1185   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1186   volume =       "154",
1187   number =       "1-2",
1188   pages =        "72--80",
1189   year =         "1995",
1190   notes =        "solid source mbe",
1191   ISSN =         "0022-0248",
1192   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1193   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1194   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1195                  and W. Richter",
1196 }
1197
1198 @Article{borders71,
1199   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1200   collaboration = "",
1201   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1202                  {IMPLANTATION}",
1203   publisher =    "AIP",
1204   year =         "1971",
1205   journal =      "Applied Physics Letters",
1206   volume =       "18",
1207   number =       "11",
1208   pages =        "509--511",
1209   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1210   notes =        "first time sic by ibs",
1211   doi =          "10.1063/1.1653516",
1212 }
1213
1214 @Article{reeson87,
1215   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1216                  J. Davis and G. E. Celler",
1217   collaboration = "",
1218   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1219                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1987",
1222   journal =      "Applied Physics Letters",
1223   volume =       "51",
1224   number =       "26",
1225   pages =        "2242--2244",
1226   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1227                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1228   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1229   doi =          "10.1063/1.98953",
1230   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1231 }
1232
1233 @Article{scace59,
1234   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1235   collaboration = "",
1236   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1237   publisher =    "AIP",
1238   year =         "1959",
1239   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1240   volume =       "30",
1241   number =       "6",
1242   pages =        "1551--1555",
1243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1244   doi =          "10.1063/1.1730236",
1245   notes =        "solubility of c in c-si",
1246 }
1247
1248 @Article{cowern96,
1249   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1250                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1251   collaboration = "",
1252   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1253                  {B} in silicon",
1254   publisher =    "AIP",
1255   year =         "1996",
1256   journal =      "Applied Physics Letters",
1257   volume =       "68",
1258   number =       "8",
1259   pages =        "1150--1152",
1260   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1261                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1262                  SILICON",
1263   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1264   doi =          "10.1063/1.115706",
1265   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1266 }
1267
1268 @Article{stolk95,
1269   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1270                  of the silicon self-interstitial",
1271   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1272                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1273   volume =       "96",
1274   number =       "1-2",
1275   pages =        "187--195",
1276   year =         "1995",
1277   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1278                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1279   ISSN =         "0168-583X",
1280   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1281   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1282   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1283                  and J. M. Poate",
1284 }
1285
1286 @Article{stolk97,
1287   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1288                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1289                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1290                  E. Haynes",
1291   collaboration = "",
1292   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1293                  diffusion in ion-implanted silicon",
1294   publisher =    "AIP",
1295   year =         "1997",
1296   journal =      "Journal of Applied Physics",
1297   volume =       "81",
1298   number =       "9",
1299   pages =        "6031--6050",
1300   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1301   doi =          "10.1063/1.364452",
1302   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1303 }
1304
1305 @Article{powell94,
1306   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1307   collaboration = "",
1308   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1309                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1310   publisher =    "AIP",
1311   year =         "1994",
1312   journal =      "Applied Physics Letters",
1313   volume =       "64",
1314   number =       "3",
1315   pages =        "324--326",
1316   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1317                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1318                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1319                  SYNTHESIS",
1320   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1321   doi =          "10.1063/1.111195",
1322   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1323 }
1324
1325 @Article{soref91,
1326   author =       "Richard A. Soref",
1327   collaboration = "",
1328   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1329                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1330   publisher =    "AIP",
1331   year =         "1991",
1332   journal =      "Journal of Applied Physics",
1333   volume =       "70",
1334   number =       "4",
1335   pages =        "2470--2472",
1336   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1337                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1338                  TERNARY ALLOYS",
1339   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1340   doi =          "10.1063/1.349403",
1341   notes =        "band gap of strained si by c",
1342 }
1343
1344 @Article{kasper91,
1345   author =       "E Kasper",
1346   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1347                  possibility to produce direct band gap material",
1348   journal =      "Physica Scripta",
1349   volume =       "T35",
1350   pages =        "232--236",
1351   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1352   year =         "1991",
1353   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1354                  quasi-direct one",
1355 }
1356
1357 @Article{osten99,
1358   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1359   collaboration = "",
1360   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1361                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1362                  molecular beam epitaxy",
1363   publisher =    "AIP",
1364   year =         "1999",
1365   journal =      "Applied Physics Letters",
1366   volume =       "74",
1367   number =       "6",
1368   pages =        "836--838",
1369   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1370                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1371                  compounds",
1372   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1373   doi =          "10.1063/1.123384",
1374   notes =        "substitutional c in si",
1375 }
1376
1377 @Article{hohenberg64,
1378   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1379   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1380   journal =      "Phys. Rev.",
1381   volume =       "136",
1382   number =       "3B",
1383   pages =        "B864--B871",
1384   numpages =     "7",
1385   year =         "1964",
1386   month =        nov,
1387   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1388   publisher =    "American Physical Society",
1389   notes =        "density functional theory, dft",
1390 }
1391
1392 @Article{kohn65,
1393   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1394                  Correlation Effects",
1395   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1396   journal =      "Phys. Rev.",
1397   volume =       "140",
1398   number =       "4A",
1399   pages =        "A1133--A1138",
1400   numpages =     "5",
1401   year =         "1965",
1402   month =        nov,
1403   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1404   publisher =    "American Physical Society",
1405   notes =        "dft, exchange and correlation",
1406 }
1407
1408 @Article{ruecker94,
1409   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1410                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1411   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1412                  J. Osten",
1413   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1414   volume =       "72",
1415   number =       "22",
1416   pages =        "3578--3581",
1417   numpages =     "3",
1418   year =         "1994",
1419   month =        may,
1420   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1421   publisher =    "American Physical Society",
1422   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1423                  si, dft",
1424 }
1425
1426 @Article{chang05,
1427   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1428                  Alloy",
1429   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1430   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1431   volume =       "44",
1432   number =       "4B",
1433   pages =        "2257--2262",
1434   numpages =     "5",
1435   year =         "2005",
1436   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1437   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1438   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1439   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1440 }
1441
1442 @Article{osten97,
1443   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1444   collaboration = "",
1445   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1446                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1447                  Si(001)",
1448   publisher =    "AIP",
1449   year =         "1997",
1450   journal =      "Journal of Applied Physics",
1451   volume =       "82",
1452   number =       "10",
1453   pages =        "4977--4981",
1454   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1455                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1456                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1457   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1458   doi =          "10.1063/1.366364",
1459   notes =        "charge transport in strained si",
1460 }
1461
1462 @Article{kapur04,
1463   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1464                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1465   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1466   journal =      "Phys. Rev. B",
1467   volume =       "69",
1468   number =       "15",
1469   pages =        "155214",
1470   numpages =     "8",
1471   year =         "2004",
1472   month =        apr,
1473   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1474   publisher =    "American Physical Society",
1475   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1476 }
1477
1478 @Article{barkema96,
1479   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1480                  Systems",
1481   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1483   volume =       "77",
1484   number =       "21",
1485   pages =        "4358--4361",
1486   numpages =     "3",
1487   year =         "1996",
1488   month =        nov,
1489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1490   publisher =    "American Physical Society",
1491   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1492                  dynamic mds",
1493 }
1494
1495 @Article{cances09,
1496   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1497                  Minoukadeh and F. Willaime",
1498   collaboration = "",
1499   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1500                  technique method for finding transition pathways on
1501                  potential energy surfaces",
1502   publisher =    "AIP",
1503   year =         "2009",
1504   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1505   volume =       "130",
1506   number =       "11",
1507   eid =          "114711",
1508   numpages =     "6",
1509   pages =        "114711",
1510   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1511                  surfaces; vacancies (crystal)",
1512   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1513   doi =          "10.1063/1.3088532",
1514   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1515                  transition pathways",
1516 }
1517
1518 @Article{parrinello81,
1519   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1520   collaboration = "",
1521   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1522                  molecular dynamics method",
1523   publisher =    "AIP",
1524   year =         "1981",
1525   journal =      "Journal of Applied Physics",
1526   volume =       "52",
1527   number =       "12",
1528   pages =        "7182--7190",
1529   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1530                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1531                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1532                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1533                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1534                  IMPACT SHOCK",
1535   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1536   doi =          "10.1063/1.328693",
1537 }
1538
1539 @Article{stillinger85,
1540   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1541                  of silicon",
1542   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1543   journal =      "Phys. Rev. B",
1544   volume =       "31",
1545   number =       "8",
1546   pages =        "5262--5271",
1547   numpages =     "9",
1548   year =         "1985",
1549   month =        apr,
1550   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1551   publisher =    "American Physical Society",
1552 }
1553
1554 @Article{bazant97,
1555   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1556                  silicon",
1557   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1558                  Justo",
1559   journal =      "Phys. Rev. B",
1560   volume =       "56",
1561   number =       "14",
1562   pages =        "8542--8552",
1563   numpages =     "10",
1564   year =         "1997",
1565   month =        oct,
1566   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1567   publisher =    "American Physical Society",
1568 }
1569
1570 @Article{justo98,
1571   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1572                  disordered phases",
1573   author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
1574                  Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1575   journal =      "Phys. Rev. B",
1576   volume =       "58",
1577   number =       "5",
1578   pages =        "2539--2550",
1579   numpages =     "11",
1580   year =         "1998",
1581   month =        aug,
1582   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1583   publisher =    "American Physical Society",
1584 }
1585
1586 @Article{parcas_md,
1587   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1588   author =       "K. Nordlund",
1589   year =         "2008",
1590 }
1591
1592 @Article{voter97,
1593   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1594                  Infrequent Events",
1595   author =       "Arthur F. Voter",
1596   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1597   volume =       "78",
1598   number =       "20",
1599   pages =        "3908--3911",
1600   numpages =     "3",
1601   year =         "1997",
1602   month =        may,
1603   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1604   publisher =    "American Physical Society",
1605   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1606 }
1607
1608 @Article{voter97_2,
1609   author =       "Arthur F. Voter",
1610   collaboration = "",
1611   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1612                  simulation of infrequent events",
1613   publisher =    "AIP",
1614   year =         "1997",
1615   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1616   volume =       "106",
1617   number =       "11",
1618   pages =        "4665--4677",
1619   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1620                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1621                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1622                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1623                  theory; potential energy surfaces",
1624   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1625   doi =          "10.1063/1.473503",
1626   notes =        "improved hyperdynamics md",
1627 }
1628
1629 @Article{sorensen2000,
1630   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1631   collaboration = "",
1632   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1633                  infrequent events",
1634   publisher =    "AIP",
1635   year =         "2000",
1636   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1637   volume =       "112",
1638   number =       "21",
1639   pages =        "9599--9606",
1640   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1641                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1642   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1643   doi =          "10.1063/1.481576",
1644   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1645 }
1646
1647 @Article{voter98,
1648   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1649                  events",
1650   author =       "Arthur F. Voter",
1651   journal =      "Phys. Rev. B",
1652   volume =       "57",
1653   number =       "22",
1654   pages =        "R13985--R13988",
1655   numpages =     "3",
1656   year =         "1998",
1657   month =        jun,
1658   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1659   publisher =    "American Physical Society",
1660   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1661 }
1662
1663 @Article{wu99,
1664   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1665   collaboration = "",
1666   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1667                  simulation",
1668   publisher =    "AIP",
1669   year =         "1999",
1670   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1671   volume =       "110",
1672   number =       "19",
1673   pages =        "9401--9410",
1674   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1675                  potential; crystallisation; liquid theory",
1676   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1677   doi =          "10.1063/1.478948",
1678   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1679                  systematic motion",
1680 }
1681
1682 @Article{choudhary05,
1683   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1684   collaboration = "",
1685   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1686                  to the production of amorphous silicon",
1687   publisher =    "AIP",
1688   year =         "2005",
1689   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1690   volume =       "122",
1691   number =       "15",
1692   eid =          "154509",
1693   numpages =     "8",
1694   pages =        "154509",
1695   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1696                  amorphous semiconductors",
1697   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1698   doi =          "10.1063/1.1878733",
1699   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1700                  silicon",
1701 }
1702
1703 @Article{taylor93,
1704   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
1705   collaboration = "",
1706   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
1707                  difficult?",
1708   publisher =    "AIP",
1709   year =         "1993",
1710   journal =      "Applied Physics Letters",
1711   volume =       "62",
1712   number =       "25",
1713   pages =        "3336--3338",
1714   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
1715                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
1716                  ENERGY",
1717   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
1718   doi =          "10.1063/1.109063",
1719   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
1720 }
1721
1722 @Article{chaussende08,
1723   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
1724   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1725   volume =       "310",
1726   number =       "5",
1727   pages =        "976--981",
1728   year =         "2008",
1729   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
1730                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
1731   ISSN =         "0022-0248",
1732   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
1733   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
1734   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
1735                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
1736                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
1737                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
1738   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
1739                  metastable",
1740 }
1741
1742 @Article{feynman39,
1743   title =        "Forces in Molecules",
1744   author =       "R. P. Feynman",
1745   journal =      "Phys. Rev.",
1746   volume =       "56",
1747   number =       "4",
1748   pages =        "340--343",
1749   numpages =     "3",
1750   year =         "1939",
1751   month =        aug,
1752   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
1753   publisher =    "American Physical Society",
1754   notes =        "hellmann feynman forces",
1755 }
1756
1757 @Article{buczko00,
1758   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
1759                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
1760                  their Contrasting Properties",
1761   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
1762                  T. Pantelides",
1763   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1764   volume =       "84",
1765   number =       "5",
1766   pages =        "943--946",
1767   numpages =     "3",
1768   year =         "2000",
1769   month =        jan,
1770   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
1771   publisher =    "American Physical Society",
1772   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
1773 }
1774
1775 @Article{djurabekova08,
1776   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
1777                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
1778   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
1779   journal =      "Phys. Rev. B",
1780   volume =       "77",
1781   number =       "11",
1782   pages =        "115325",
1783   numpages =     "7",
1784   year =         "2008",
1785   month =        mar,
1786   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
1787   publisher =    "American Physical Society",
1788   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
1789                  angular distribution, coordination",
1790 }
1791
1792 @Article{wen:073522,
1793   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
1794                  W. Liang and J. Zou",
1795   collaboration = "",
1796   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
1797                  strain relaxation at highly lattice mismatched
1798                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
1799   publisher =    "AIP",
1800   year =         "2009",
1801   journal =      "Journal of Applied Physics",
1802   volume =       "106",
1803   number =       "7",
1804   eid =          "073522",
1805   numpages =     "8",
1806   pages =        "073522",
1807   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
1808                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
1809                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
1810                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
1811   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
1812   doi =          "10.1063/1.3234380",
1813   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
1814                  deconvolution",
1815 }
1816
1817 @Article{kitabatake93,
1818   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
1819                  Hirao",
1820   collaboration = "",
1821   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
1822                  growth on Si(001) surface",
1823   publisher =    "AIP",
1824   year =         "1993",
1825   journal =      "Journal of Applied Physics",
1826   volume =       "74",
1827   number =       "7",
1828   pages =        "4438--4445",
1829   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
1830                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
1831                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
1832   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
1833   doi =          "10.1063/1.354385",
1834   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
1835                  model, interface",
1836 }
1837
1838 @Article{pizzagalli03,
1839   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
1840                  interface: Si{C}/Si(001)",
1841   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
1842                  Catellani",
1843   journal =      "Phys. Rev. B",
1844   volume =       "68",
1845   number =       "19",
1846   pages =        "195302",
1847   numpages =     "10",
1848   year =         "2003",
1849   month =        nov,
1850   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
1851   publisher =    "American Physical Society",
1852   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
1853 }
1854
1855 @Article{tang07,
1856   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
1857                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
1858                  electron microscopy",
1859   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
1860                  H. Zheng and J. W. Liang",
1861   journal =      "Phys. Rev. B",
1862   volume =       "75",
1863   number =       "18",
1864   pages =        "184103",
1865   numpages =     "7",
1866   year =         "2007",
1867   month =        may,
1868   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
1869   publisher =    "American Physical Society",
1870   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
1871                  si and c",
1872 }
1873
1874 @Article{hornstra58,
1875   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
1876   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
1877   volume =       "5",
1878   number =       "1-2",
1879   pages =        "129--141",
1880   year =         "1958",
1881   note =         "",
1882   ISSN =         "0022-3697",
1883   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
1884   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
1885   author =       "J. Hornstra",
1886   notes =        "dislocations in diamond lattice",
1887 }