bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{erhart04,
  28   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  29                  condensation of silicon nanoparticles",
  30   journal =      "Applied Surface Science",
  31   volume =       "226",
  32   number =       "1-3",
  33   pages =        "12--18",
  34   year =         "2004",
  35   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  36   ISSN =         "0169-4332",
  37   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  38   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  39   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  40 }
  41
  42 @Article{albe2002,
  43   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  44                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  45   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  46   journal =      "Phys. Rev. B",
  47   volume =       "65",
  48   number =       "19",
  49   pages =        "195124",
  50   numpages =     "11",
  51   year =         "2002",
  52   month =        may,
  53   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  54   publisher =    "American Physical Society",
  55   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  56 }
  57
  58 @Article{newman65,
  59   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  60   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  61   volume =       "26",
  62   number =       "2",
  63   pages =        "373--379",
  64   year =         "1965",
  65   note =         "",
  66   ISSN =         "0022-3697",
  67   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  68   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  69   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  70   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  71 }
  72
  73 @Article{baker68,
  74   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  75                  Buschert",
  76   collaboration = "",
  77   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  78   publisher =    "AIP",
  79   year =         "1968",
  80   journal =      "Journal of Applied Physics",
  81   volume =       "39",
  82   number =       "9",
  83   pages =        "4365--4368",
  84   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  85   doi =          "10.1063/1.1656977",
  86   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  87 }
  88
  89 @Article{bean71,
  90   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  91   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  92   volume =       "32",
  93   number =       "6",
  94   pages =        "1211--1219",
  95   year =         "1971",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 100   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 101   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 102 }
 103
 104 @Article{capano97,
 105   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 106   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 107   journal =      "MRS Bull.",
 108   volume =       "22",
 109   pages =        "19",
 110   year =         "1997",
 111 }
 112
 113 @Article{fischer90,
 114   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 115   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 116                  carbide",
 117   journal =      "Philos. Mag. B",
 118   volume =       "61",
 119   pages =        "217--236",
 120   year =         "1990",
 121   notes =        "sic polytypes",
 122 }
 123
 124 @Article{koegler03,
 125   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 126                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 127                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 128   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 129                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 130                  ions",
 131   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 132   volume =       "76",
 133   pages =        "827--835",
 134   month =        mar,
 135   year =         "2003",
 136   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 137   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 138                  precipitation by interstitial and substitutional
 139                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 140 }
 141
 142 @Article{skorupa96,
 143   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 144                  silicon-related materials",
 145   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 146   volume =       "44",
 147   number =       "2",
 148   pages =        "101--143",
 149   year =         "1996",
 150   note =         "",
 151   ISSN =         "0254-0584",
 152   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 153   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 154   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 155   notes =        "review of silicon carbon compound",
 156 }
 157
 158 @Book{laplace,
 159   author =       "P. S. de Laplace",
 160   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 161   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 162   volume =       "VII",
 163   publisher =    "Gauthier-Villars",
 164   year =         "1820",
 165 }
 166
 167 @Article{mattoni2007,
 168   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 169   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 170                  materials}",
 171   journal =      "Phys. Rev. B",
 172   year =         "2007",
 173   month =        dec,
 174   volume =       "76",
 175   number =       "22",
 176   pages =        "224103",
 177   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 178   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 179                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 180                  fracture, more available potentials, universal energy
 181                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 182 }
 183
 184 @Article{balamane92,
 185   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 186                  potentials",
 187   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 188   journal =      "Phys. Rev. B",
 189   volume =       "46",
 190   number =       "4",
 191   pages =        "2250--2279",
 192   numpages =     "29",
 193   year =         "1992",
 194   month =        jul,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 198 }
 199
 200 @Article{koster2002,
 201   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 202                  bombardment",
 203   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 204   journal =      "Phys. Rev. B",
 205   volume =       "62",
 206   number =       "16",
 207   pages =        "11219--11224",
 208   numpages =     "5",
 209   year =         "2000",
 210   month =        oct,
 211   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 212   publisher =    "American Physical Society",
 213   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 214 }
 215
 216 @Article{breadmore99,
 217   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 218                  amorphization of silicon",
 219   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 220   journal =      "Phys. Rev. B",
 221   volume =       "60",
 222   number =       "18",
 223   pages =        "12610--12616",
 224   numpages =     "6",
 225   year =         "1999",
 226   month =        nov,
 227   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 228   publisher =    "American Physical Society",
 229   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 230 }
 231
 232 @Article{nielsen83,
 233   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 234   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 235   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 236   volume =       "50",
 237   number =       "9",
 238   pages =        "697--700",
 239   numpages =     "3",
 240   year =         "1983",
 241   month =        feb,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "generalization of virial theorem",
 245 }
 246
 247 @Article{nielsen85,
 248   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 249   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 250   journal =      "Phys. Rev. B",
 251   volume =       "32",
 252   number =       "6",
 253   pages =        "3780--3791",
 254   numpages =     "11",
 255   year =         "1985",
 256   month =        sep,
 257   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 258   publisher =    "American Physical Society",
 259   notes =        "dft virial stress and forces",
 260 }
 261
 262 @Article{moissan04,
 263   author =       "Henri Moissan",
 264   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 265                  Diablo",
 266   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 267   volume =       "139",
 268   pages =        "773--786",
 269   year =         "1904",
 270 }
 271
 272 @Book{park98,
 273   author =       "Y. S. Park",
 274   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 275   publisher =    "Academic Press",
 276   address =      "San Diego",
 277   year =         "1998",
 278 }
 279
 280 @Article{tsvetkov98,
 281   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 282                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 283   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 284   journal =      "Materials Science Forum",
 285   volume =       "264-268",
 286   pages =        "3--8",
 287   year =         "1998",
 288   notes =        "modified lely process, micropipes",
 289 }
 290
 291 @Article{verlet67,
 292   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 293                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 294   author =       "Loup Verlet",
 295   journal =      "Phys. Rev.",
 296   volume =       "159",
 297   number =       "1",
 298   pages =        "98",
 299   year =         "1967",
 300   month =        jul,
 301   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 302   publisher =    "American Physical Society",
 303   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 304                  motion",
 305 }
 306
 307 @Article{berendsen84,
 308   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 309                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 310   collaboration = "",
 311   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 312   publisher =    "AIP",
 313   year =         "1984",
 314   journal =      "J. Chem. Phys.",
 315   volume =       "81",
 316   number =       "8",
 317   pages =        "3684--3690",
 318   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 319                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 320   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 321   doi =          "10.1063/1.448118",
 322   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 323 }
 324
 325 @Article{huang95,
 326   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 327                  Baskes",
 328   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 329                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 330                  potentials",
 331   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 332   volume =       "3",
 333   number =       "5",
 334   pages =        "615--627",
 335   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 336   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 337                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 338   year =         "1995",
 339 }
 340
 341 @Article{brenner89,
 342   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 343                  Tersoff potentials",
 344   author =       "Donald W. Brenner",
 345   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 346   volume =       "63",
 347   number =       "9",
 348   pages =        "1022",
 349   numpages =     "1",
 350   year =         "1989",
 351   month =        aug,
 352   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 353   publisher =    "American Physical Society",
 354   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 355 }
 356
 357 @Article{batra87,
 358   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 359                  silicon",
 360   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 361   journal =      "Phys. Rev. B",
 362   volume =       "35",
 363   number =       "18",
 364   pages =        "9552--9558",
 365   numpages =     "6",
 366   year =         "1987",
 367   month =        jun,
 368   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 369   publisher =    "American Physical Society",
 370   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 371                  calculation of defect formation energy, defect
 372                  interstitial types",
 373 }
 374
 375 @Article{schober89,
 376   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 377   author =       "H. R. Schober",
 378   journal =      "Phys. Rev. B",
 379   volume =       "39",
 380   number =       "17",
 381   pages =        "13013--13015",
 382   numpages =     "2",
 383   year =         "1989",
 384   month =        jun,
 385   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 386   publisher =    "American Physical Society",
 387   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 388                  dumbbell configuration",
 389 }
 390
 391 @Article{gao02a,
 392   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 393                  Defect accumulation, topological features, and
 394                  disordering",
 395   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 396   journal =      "Phys. Rev. B",
 397   volume =       "66",
 398   number =       "2",
 399   pages =        "024106",
 400   numpages =     "10",
 401   year =         "2002",
 402   month =        jul,
 403   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 404   publisher =    "American Physical Society",
 405   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 406                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 407                  result analyze",
 408 }
 409
 410 @Article{devanathan98,
 411   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 412                  cascade in Si{C}",
 413   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 414   volume =       "141",
 415   number =       "1-4",
 416   pages =        "118--122",
 417   year =         "1998",
 418   ISSN =         "0168-583X",
 419   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 420   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 421                  Rubia",
 422   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 423                  3c-sic",
 424 }
 425
 426 @Article{devanathan98_2,
 427   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 428   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 429   volume =       "253",
 430   number =       "1-3",
 431   pages =        "47--52",
 432   year =         "1998",
 433   ISSN =         "0022-3115",
 434   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 435   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 436                  Weber",
 437   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 438                  tersoff",
 439 }
 440
 441 @Article{kitabatake00,
 442   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 443   author =       "M. Kitabatake",
 444   journal =      "Thin Solid Films",
 445   volume =       "369",
 446   pages =        "257--264",
 447   numpages =     "8",
 448   year =         "2000",
 449   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 450 }
 451
 452 @Article{tang97,
 453   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 454                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 455                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 456                  formation volumes",
 457   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 458                  Rubia",
 459   journal =      "Phys. Rev. B",
 460   volume =       "55",
 461   number =       "21",
 462   pages =        "14279--14289",
 463   numpages =     "10",
 464   year =         "1997",
 465   month =        jun,
 466   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 467   publisher =    "American Physical Society",
 468   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 469 }
 470
 471 @Article{johnson98,
 472   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 473                  Rubia",
 474   collaboration = "",
 475   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 476                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 477                  presence of carbon and boron",
 478   publisher =    "AIP",
 479   year =         "1998",
 480   journal =      "J. Appl. Phys.",
 481   volume =       "84",
 482   number =       "4",
 483   pages =        "1963--1967",
 484   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 485                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 486                  semiconductors; self-diffusion",
 487   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 488   doi =          "10.1063/1.368328",
 489   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 490                  diffsuion",
 491 }
 492
 493 @Article{bar-yam84,
 494   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 495                  Self-Interstitial",
 496   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 497   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 498   volume =       "52",
 499   number =       "13",
 500   pages =        "1129--1132",
 501   numpages =     "3",
 502   year =         "1984",
 503   month =        mar,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 507 }
 508
 509 @Article{bar-yam84_2,
 510   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 511                  barriers of silicon self-interstitials",
 512   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "30",
 515   number =       "4",
 516   pages =        "1844--1852",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "1984",
 519   month =        aug,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522 }
 523
 524 @Article{bloechl93,
 525   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 526                  constants in silicon",
 527   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 528                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "70",
 531   number =       "16",
 532   pages =        "2435--2438",
 533   numpages =     "3",
 534   year =         "1993",
 535   month =        apr,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 539                  entropy calculations",
 540 }
 541
 542 @Article{munro99,
 543   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 544   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 545   journal =      "Phys. Rev. B",
 546   volume =       "59",
 547   number =       "6",
 548   pages =        "3969--3980",
 549   numpages =     "11",
 550   year =         "1999",
 551   month =        feb,
 552   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 553   publisher =    "American Physical Society",
 554   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 555                  defect migration mechanisms",
 556 }
 557
 558 @Article{colombo02,
 559   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 560                  silicon",
 561   author =       "L. Colombo",
 562   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 563   volume =       "32",
 564   pages =        "271--295",
 565   numpages =     "25",
 566   year =         "2002",
 567   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 568   publisher =    "Annual Reviews",
 569   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 570 }
 571
 572 @Article{al-mushadani03,
 573   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 574                  silicon",
 575   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 576   journal =      "Phys. Rev. B",
 577   volume =       "68",
 578   number =       "23",
 579   pages =        "235205",
 580   numpages =     "8",
 581   year =         "2003",
 582   month =        dec,
 583   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 584   publisher =    "American Physical Society",
 585   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 586                  silicon, si self interstitials, free energy",
 587 }
 588
 589 @Article{goedecker02,
 590   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 591   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 592   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 593   volume =       "88",
 594   number =       "23",
 595   pages =        "235501",
 596   numpages =     "4",
 597   year =         "2002",
 598   month =        may,
 599   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 600   publisher =    "American Physical Society",
 601   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 602                  silicon",
 603 }
 604
 605 @Article{sahli05,
 606   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 607                  self-interstitial diffusion in silicon",
 608   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 609   journal =      "Phys. Rev. B",
 610   volume =       "72",
 611   number =       "24",
 612   pages =        "245210",
 613   numpages =     "6",
 614   year =         "2005",
 615   month =        dec,
 616   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 617   publisher =    "American Physical Society",
 618   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 619                  mapping applied",
 620 }
 621
 622 @Article{hobler05,
 623   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 624                  native point defects in silicon",
 625   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 626   volume =       "124-125",
 627   number =       "",
 628   pages =        "368--371",
 629   year =         "2005",
 630   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 631                  Issues for Future Technologies",
 632   ISSN =         "0921-5107",
 633   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 634   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 635   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 636   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 637                  radius",
 638 }
 639
 640 @Article{ma10,
 641   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 642                  wide temperature range: Point defect states and
 643                  migration mechanisms",
 644   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 645   journal =      "Phys. Rev. B",
 646   volume =       "81",
 647   number =       "19",
 648   pages =        "193203",
 649   numpages =     "4",
 650   year =         "2010",
 651   month =        may,
 652   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 653   publisher =    "American Physical Society",
 654   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 655 }
 656
 657 @Article{posselt06,
 658   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 659                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 660   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 661   journal =      "Phys. Rev. B",
 662   volume =       "73",
 663   number =       "12",
 664   pages =        "125206",
 665   numpages =     "8",
 666   year =         "2006",
 667   month =        mar,
 668   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 669   publisher =    "American Physical Society",
 670 }
 671
 672 @Article{posselt08,
 673   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 674                  migration mechanisms of vacancies and
 675                  self-interstitials: An atomistic study",
 676   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 677   journal =      "Phys. Rev. B",
 678   volume =       "78",
 679   number =       "3",
 680   pages =        "035208",
 681   numpages =     "9",
 682   year =         "2008",
 683   month =        jul,
 684   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 685   publisher =    "American Physical Society",
 686   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 687                  weber and tersoff",
 688 }
 689
 690 @Article{gao2001,
 691   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 692                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 693   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 694                  Corrales",
 695   journal =      "Phys. Rev. B",
 696   volume =       "64",
 697   number =       "24",
 698   pages =        "245208",
 699   numpages =     "7",
 700   year =         "2001",
 701   month =        dec,
 702   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 703   publisher =    "American Physical Society",
 704   notes =        "defects in 3c-sic",
 705 }
 706
 707 @Article{gao02,
 708   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 709                  3{C}-Si{C}",
 710   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 711   volume =       "191",
 712   number =       "1-4",
 713   pages =        "487--496",
 714   year =         "2002",
 715   note =         "",
 716   ISSN =         "0168-583X",
 717   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 718   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 719   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 720   keywords =     "Empirical potential",
 721   keywords =     "Defect properties",
 722   keywords =     "Silicon carbide",
 723   keywords =     "Computer simulation",
 724   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 725 }
 726
 727 @Article{gao04,
 728   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 729                  3{C}-Si{C}",
 730   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 731                  Belko",
 732   journal =      "Phys. Rev. B",
 733   volume =       "69",
 734   number =       "24",
 735   pages =        "245205",
 736   numpages =     "5",
 737   year =         "2004",
 738   month =        jun,
 739   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 740   publisher =    "American Physical Society",
 741   notes =        "defect migration in sic",
 742 }
 743
 744 @Article{gao07,
 745   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 746                  W. J. Weber",
 747   collaboration = "",
 748   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 749                  in cubic silicon carbide",
 750   publisher =    "AIP",
 751   year =         "2007",
 752   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 753   volume =       "90",
 754   number =       "22",
 755   eid =          "221915",
 756   numpages =     "3",
 757   pages =        "221915",
 758   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 759                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 760                  dynamics method; density functional theory;
 761                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 762                  impurities; diffusion",
 763   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 764   doi =          "10.1063/1.2743751",
 765 }
 766
 767 @Article{mattoni2002,
 768   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 769                  crystalline silicon",
 770   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 771   journal =      "Phys. Rev. B",
 772   volume =       "66",
 773   number =       "19",
 774   pages =        "195214",
 775   numpages =     "6",
 776   year =         "2002",
 777   month =        nov,
 778   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 779   publisher =    "American Physical Society",
 780   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 781                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 782                  tersoff suitability",
 783 }
 784
 785 @Article{leung99,
 786   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 787   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 788                  Itoh and S. Ihara",
 789   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 790   volume =       "83",
 791   number =       "12",
 792   pages =        "2351--2354",
 793   numpages =     "3",
 794   year =         "1999",
 795   month =        sep,
 796   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 797   publisher =    "American Physical Society",
 798   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 799                  refs",
 800 }
 801
 802 @Article{capaz94,
 803   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 804                  carbon in silicon",
 805   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 806   journal =      "Phys. Rev. B",
 807   volume =       "50",
 808   number =       "11",
 809   pages =        "7439--7442",
 810   numpages =     "3",
 811   year =         "1994",
 812   month =        sep,
 813   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 814   publisher =    "American Physical Society",
 815   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 816                  dumbbell",
 817 }
 818
 819 @Article{capaz98,
 820   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 821   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 822   journal =      "Phys. Rev. B",
 823   volume =       "58",
 824   number =       "15",
 825   pages =        "9845--9850",
 826   numpages =     "5",
 827   year =         "1998",
 828   month =        oct,
 829   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 830   publisher =    "American Physical Society",
 831   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 832 }
 833
 834 @Article{song90_2,
 835   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 836                  pair in silicon",
 837   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 838                  Watkins",
 839   journal =      "Phys. Rev. B",
 840   volume =       "42",
 841   number =       "9",
 842   pages =        "5765--5783",
 843   numpages =     "18",
 844   year =         "1990",
 845   month =        sep,
 846   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 847   publisher =    "American Physical Society",
 848   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 849 }
 850
 851 @Article{liu02,
 852   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 853                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 854   collaboration = "",
 855   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 856                  interactions in Si",
 857   publisher =    "AIP",
 858   year =         "2002",
 859   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 860   volume =       "80",
 861   number =       "1",
 862   pages =        "52--54",
 863   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 864                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 865                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 866   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 867   doi =          "10.1063/1.1430505",
 868   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 869 }
 870
 871 @Article{dal_pino93,
 872   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 873                  silicon",
 874   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 875                  Joannopoulos",
 876   journal =      "Phys. Rev. B",
 877   volume =       "47",
 878   number =       "19",
 879   pages =        "12554--12557",
 880   numpages =     "3",
 881   year =         "1993",
 882   month =        may,
 883   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 884   publisher =    "American Physical Society",
 885   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 886 }
 887
 888 @Article{car84,
 889   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 890                  Silicon",
 891   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 892                  Sokrates T. Pantelides",
 893   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 894   volume =       "52",
 895   number =       "20",
 896   pages =        "1814--1817",
 897   numpages =     "3",
 898   year =         "1984",
 899   month =        may,
 900   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 901   publisher =    "American Physical Society",
 902   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 903                  path formation",
 904 }
 905
 906 @Article{car85,
 907   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 908                  Density-Functional Theory",
 909   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 910   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 911   volume =       "55",
 912   number =       "22",
 913   pages =        "2471--2474",
 914   numpages =     "3",
 915   year =         "1985",
 916   month =        nov,
 917   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 918   publisher =    "American Physical Society",
 919   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 920 }
 921
 922 @Article{kelires97,
 923   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 924                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 925   author =       "P. C. Kelires",
 926   journal =      "Phys. Rev. B",
 927   volume =       "55",
 928   number =       "14",
 929   pages =        "8784--8787",
 930   numpages =     "3",
 931   year =         "1997",
 932   month =        apr,
 933   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 934   publisher =    "American Physical Society",
 935   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 936                  neighbour dist",
 937 }
 938
 939 @Article{kelires95,
 940   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 941                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 942   author =       "P. C. Kelires",
 943   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 944   volume =       "75",
 945   number =       "6",
 946   pages =        "1114--1117",
 947   numpages =     "3",
 948   year =         "1995",
 949   month =        aug,
 950   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 951   publisher =    "American Physical Society",
 952   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 953 }
 954
 955 @Article{bean70,
 956   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 957                  containing carbon",
 958   journal =      "Solid State Communications",
 959   volume =       "8",
 960   number =       "3",
 961   pages =        "175--177",
 962   year =         "1970",
 963   note =         "",
 964   ISSN =         "0038-1098",
 965   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 966   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 967   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 968 }
 969
 970 @Article{durand99,
 971   author =       "F. Durand and J. Duby",
 972   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 973   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 974                  review with reference to eutectic equilibrium",
 975   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 976   publisher =    "Springer New York",
 977   ISSN =         "1054-9714",
 978   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 979   pages =        "61--63",
 980   volume =       "20",
 981   issue =        "1",
 982   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 983   note =         "10.1361/105497199770335956",
 984   year =         "1999",
 985   notes =        "better c solubility limit in silicon",
 986 }
 987
 988 @Article{watkins76,
 989   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 990                  Atom in Silicon",
 991   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 992   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 993   volume =       "36",
 994   number =       "22",
 995   pages =        "1329--1332",
 996   numpages =     "3",
 997   year =         "1976",
 998   month =        may,
 999   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1000   publisher =    "American Physical Society",
1001   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1002                  silicon",
1003 }
1004
1005 @Article{song90,
1006   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1007                  interstitial carbon in silicon",
1008   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1009   journal =      "Phys. Rev. B",
1010   volume =       "42",
1011   number =       "9",
1012   pages =        "5759--5764",
1013   numpages =     "5",
1014   year =         "1990",
1015   month =        sep,
1016   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1017   publisher =    "American Physical Society",
1018   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1019 }
1020
1021 @Article{tipping87,
1022   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1023   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1024                  silicon",
1025   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1026   volume =       "2",
1027   number =       "5",
1028   pages =        "315--317",
1029   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1030   year =         "1987",
1031   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1032                  silicon",
1033 }
1034
1035 @Article{isomae93,
1036   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1037                  Masao Tamura",
1038   collaboration = "",
1039   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1040                  silicon",
1041   publisher =    "AIP",
1042   year =         "1993",
1043   journal =      "Journal of Applied Physics",
1044   volume =       "74",
1045   number =       "6",
1046   pages =        "3815--3820",
1047   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1048                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1049                  PROFILES",
1050   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1051   doi =          "10.1063/1.354474",
1052   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1053 }
1054
1055 @Article{strane96,
1056   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1057                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1058   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1059                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1060   journal =      "J. Appl. Phys.",
1061   volume =       "79",
1062   pages =        "637",
1063   year =         "1996",
1064   month =        jan,
1065   doi =          "10.1063/1.360806",
1066   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1067 }
1068
1069 @Article{laveant2002,
1070   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1071   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1072   volume =       "89",
1073   number =       "1-3",
1074   pages =        "241--245",
1075   year =         "2002",
1076   ISSN =         "0921-5107",
1077   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1078   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1079   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1080                  G{\"{o}}sele",
1081   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1082                  stress, avoid sic precipitation",
1083 }
1084
1085 @Article{foell77,
1086   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1087                  agglomeration of self-interstitials",
1088   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1089   volume =       "40",
1090   number =       "1",
1091   pages =        "90--108",
1092   year =         "1977",
1093   note =         "",
1094   ISSN =         "0022-0248",
1095   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1096   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1097   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1098   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1099                  agglomerate",
1100 }
1101
1102 @Article{foell81,
1103   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1104                  defects",
1105   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1106   volume =       "52",
1107   number =       "Part 2",
1108   pages =        "907--916",
1109   year =         "1981",
1110   note =         "",
1111   ISSN =         "0022-0248",
1112   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1113   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1114   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1115   notes =        "swirl review",
1116 }
1117
1118 @Article{werner97,
1119   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1120                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1121   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1122                  silicon by transmission electron microscopy",
1123   publisher =    "AIP",
1124   year =         "1997",
1125   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1126   volume =       "70",
1127   number =       "2",
1128   pages =        "252--254",
1129   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1130                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1131                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1132                  layers; precipitation",
1133   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1134   doi =          "10.1063/1.118381",
1135   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1136                  precipitate",
1137 }
1138
1139 @InProceedings{werner96,
1140   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1141                  Eichler",
1142   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1143                  International Conference on",
1144   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1145                  implanted silicon",
1146   year =         "1996",
1147   month =        jun,
1148   volume =       "",
1149   number =       "",
1150   pages =        "675--678",
1151   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1152   ISSN =         "",
1153   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1154 }
1155
1156 @Article{werner98,
1157   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1158                  D. C. Jacobson",
1159   collaboration = "",
1160   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1161   publisher =    "AIP",
1162   year =         "1998",
1163   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1164   volume =       "73",
1165   number =       "17",
1166   pages =        "2465--2467",
1167   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1168                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1169                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1170                  impurity distribution",
1171   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1172   doi =          "10.1063/1.122483",
1173   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1174 }
1175
1176 @Article{kalejs84,
1177   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1178   collaboration = "",
1179   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1180                  silicon",
1181   publisher =    "AIP",
1182   year =         "1984",
1183   journal =      "Applied Physics Letters",
1184   volume =       "45",
1185   number =       "3",
1186   pages =        "268--269",
1187   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1188                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1189                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1190   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1191   doi =          "10.1063/1.95167",
1192   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1193 }
1194
1195 @Article{fukami90,
1196   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1197                  and Cary Y. Yang",
1198   collaboration = "",
1199   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1200                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1201   publisher =    "AIP",
1202   year =         "1990",
1203   journal =      "Applied Physics Letters",
1204   volume =       "57",
1205   number =       "22",
1206   pages =        "2345--2347",
1207   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1208                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1209                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1210                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1211   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1212   doi =          "10.1063/1.103888",
1213 }
1214
1215 @Article{strane93,
1216   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1217                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1993",
1222   journal =      "Applied Physics Letters",
1223   volume =       "63",
1224   number =       "20",
1225   pages =        "2786--2788",
1226   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1227                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1228                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1229                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1230                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1231   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1232   doi =          "10.1063/1.110334",
1233 }
1234
1235 @Article{goorsky92,
1236   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1237                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1238   collaboration = "",
1239   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1240                  strained layer superlattices",
1241   publisher =    "AIP",
1242   year =         "1992",
1243   journal =      "Applied Physics Letters",
1244   volume =       "60",
1245   number =       "22",
1246   pages =        "2758--2760",
1247   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1248                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1249                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1250                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1251                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1252   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1253   doi =          "10.1063/1.106868",
1254 }
1255
1256 @Article{strane94,
1257   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1258                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1259   collaboration = "",
1260   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1261                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1262   publisher =    "AIP",
1263   year =         "1994",
1264   journal =      "J. Appl. Phys.",
1265   volume =       "76",
1266   number =       "6",
1267   pages =        "3656--3668",
1268   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1269   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1270   doi =          "10.1063/1.357429",
1271   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1272                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1273                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1274                  energy",
1275 }
1276
1277 @Article{fischer95,
1278   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1279                  Osten",
1280   collaboration = "",
1281   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1282                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1283   publisher =    "AIP",
1284   year =         "1995",
1285   journal =      "J. Appl. Phys.",
1286   volume =       "77",
1287   number =       "5",
1288   pages =        "1934--1937",
1289   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1290                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1291                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1292                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1293   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1294   doi =          "10.1063/1.358826",
1295 }
1296
1297 @Article{edgar92,
1298   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1299                  semiconductors",
1300   author =       "J. H. Edgar",
1301   journal =      "J. Mater. Res.",
1302   volume =       "7",
1303   pages =        "235",
1304   year =         "1992",
1305   month =        jan,
1306   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1307   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1308                  polytypes",
1309 }
1310
1311 @Article{zirkelbach2007,
1312   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1313                  process leading to ordered precipitate structures",
1314   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1315                  and B. Stritzker",
1316   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1317   volume =       "257",
1318   number =       "1--2",
1319   pages =        "75--79",
1320   numpages =     "5",
1321   year =         "2007",
1322   month =        apr,
1323   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1324   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1325                  NETHERLANDS",
1326 }
1327
1328 @Article{zirkelbach2006,
1329   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1330                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1331                  during ion irradiation",
1332   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1333                  and B. Stritzker",
1334   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1335   volume =       "242",
1336   number =       "1--2",
1337   pages =        "679--682",
1338   numpages =     "4",
1339   year =         "2006",
1340   month =        jan,
1341   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1342   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1343                  NETHERLANDS",
1344 }
1345
1346 @Article{zirkelbach2005,
1347   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1348                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1349                  ion irradiation",
1350   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1351                  and B. Stritzker",
1352   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1353   volume =       "33",
1354   number =       "1--3",
1355   pages =        "310--316",
1356   numpages =     "7",
1357   year =         "2005",
1358   month =        apr,
1359   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1360   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1361                  NETHERLANDS",
1362 }
1363
1364 @Article{zirkelbach09,
1365   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1366                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1367   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1368   volume =       "159-160",
1369   number =       "",
1370   pages =        "149--152",
1371   year =         "2009",
1372   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1373                  Silicon Materials Research for Electronic and
1374                  Photovoltaic Applications",
1375   ISSN =         "0921-5107",
1376   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1377   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1378   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1379                  B. Stritzker",
1380   keywords =     "Silicon",
1381   keywords =     "Carbon",
1382   keywords =     "Silicon carbide",
1383   keywords =     "Nucleation",
1384   keywords =     "Defect formation",
1385   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1386 }
1387
1388 @Article{zirkelbach10,
1389   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1390                  classical potentials and first-principles methods",
1391   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1392                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1393   journal =      "Phys. Rev. B",
1394   volume =       "82",
1395   number =       "9",
1396   pages =        "094110",
1397   numpages =     "6",
1398   year =         "2010",
1399   month =        sep,
1400   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1401   publisher =    "American Physical Society",
1402 }
1403
1404 @Article{zirkelbach11a,
1405   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1406                  silicon",
1407   journal =      "to be published",
1408   volume =       "",
1409   number =       "",
1410   pages =        "",
1411   year =         "2011",
1412   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1413                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1414 }
1415
1416 @Article{zirkelbach11b,
1417   title =        "...",
1418   journal =      "to be published",
1419   volume =       "",
1420   number =       "",
1421   pages =        "",
1422   year =         "2011",
1423   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1424                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1425 }
1426
1427 @Article{lindner95,
1428   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1429                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1430   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1431                  Layers in Silicon",
1432   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1433   volume =       "354",
1434   number =       "",
1435   pages =        "171",
1436   year =         "1994",
1437   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1438   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1439   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1440   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1441 }
1442
1443 @Article{lindner96,
1444   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1445                  in silicon by ion beam synthesis",
1446   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1447   volume =       "46",
1448   number =       "2-3",
1449   pages =        "147--155",
1450   year =         "1996",
1451   note =         "",
1452   ISSN =         "0254-0584",
1453   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1454   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1455   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1456                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1457                  Stritzker",
1458   notes =        "dose window",
1459 }
1460
1461 @Article{calcagno96,
1462   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1463                  ion implantation",
1464   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1465                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1466   volume =       "120",
1467   number =       "1-4",
1468   pages =        "121--124",
1469   year =         "1996",
1470   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1471                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1472   ISSN =         "0168-583X",
1473   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1474   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1475   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1476                  Grimaldi and P. Musumeci",
1477   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1478 }
1479
1480 @Article{lindner98,
1481   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1482                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1483   journal =      "Materials Science Forum",
1484   volume =       "264-268",
1485   pages =        "215--218",
1486   year =         "1998",
1487   note =         "",
1488   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1489   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1490   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1491   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1492                  crystallinity",
1493 }
1494
1495 @Article{lindner99,
1496   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1497                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1498                  layers in silicon",
1499   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1500   volume =       "147",
1501   number =       "1-4",
1502   pages =        "249--255",
1503   year =         "1999",
1504   note =         "",
1505   ISSN =         "0168-583X",
1506   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1507   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1508   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1509   notes =        "two-step implantation process",
1510 }
1511
1512 @Article{lindner99_2,
1513   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1514                  in silicon",
1515   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1516   volume =       "148",
1517   number =       "1-4",
1518   pages =        "528--533",
1519   year =         "1999",
1520   ISSN =         "0168-583X",
1521   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1522   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1523   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1524   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1525 }
1526
1527 @Article{lindner01,
1528   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1529                  Basic physical processes",
1530   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1531   volume =       "178",
1532   number =       "1-4",
1533   pages =        "44--54",
1534   year =         "2001",
1535   note =         "",
1536   ISSN =         "0168-583X",
1537   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1538   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1539   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1540 }
1541
1542 @Article{lindner02,
1543   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1544                  fundamental studies for new technological tricks",
1545   author =       "J. K. N. Lindner",
1546   journal =      "Appl. Phys. A",
1547   volume =       "77",
1548   pages =        "27--38",
1549   year =         "2003",
1550   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1551   notes =        "ibs, burried sic layers",
1552 }
1553
1554 @Article{lindner06,
1555   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1556                  formation and displacive precipitate resolution in the
1557                  {C}-Si system",
1558   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1559   volume =       "26",
1560   number =       "5-7",
1561   pages =        "857--861",
1562   year =         "2006",
1563   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1564                  Applications",
1565   ISSN =         "0928-4931",
1566   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1567   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1568   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1569                  and B. Stritzker",
1570   notes =        "c int diffusion barrier",
1571 }
1572
1573 @Article{ito04,
1574   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1575                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1576                  growth",
1577   journal =      "Applied Surface Science",
1578   volume =       "238",
1579   number =       "1-4",
1580   pages =        "159--164",
1581   year =         "2004",
1582   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1583   ISSN =         "0169-4332",
1584   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1585   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1586   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1587                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1588   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1589 }
1590
1591 @Article{yamamoto04,
1592   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1593                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1594                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1595   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1596   volume =       "261",
1597   number =       "2-3",
1598   pages =        "266--270",
1599   year =         "2004",
1600   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1601                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1602   ISSN =         "0022-0248",
1603   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1605   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1606                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1607   notes =        "gan on 3c-sic",
1608 }
1609
1610 @Article{liu_l02,
1611   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1612   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1613   volume =       "37",
1614   number =       "3",
1615   pages =        "61--127",
1616   year =         "2002",
1617   note =         "",
1618   ISSN =         "0927-796X",
1619   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1621   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1622   notes =        "gan substrates",
1623 }
1624
1625 @Article{takeuchi91,
1626   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1627                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1628   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1629   volume =       "115",
1630   number =       "1-4",
1631   pages =        "634--638",
1632   year =         "1991",
1633   note =         "",
1634   ISSN =         "0022-0248",
1635   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1636   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1637   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1638                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1639   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1640 }
1641
1642 @Article{alder57,
1643   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1644   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1645   publisher =    "AIP",
1646   year =         "1957",
1647   journal =      "J. Chem. Phys.",
1648   volume =       "27",
1649   number =       "5",
1650   pages =        "1208--1209",
1651   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1652   doi =          "10.1063/1.1743957",
1653 }
1654
1655 @Article{alder59,
1656   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1657   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1658   publisher =    "AIP",
1659   year =         "1959",
1660   journal =      "J. Chem. Phys.",
1661   volume =       "31",
1662   number =       "2",
1663   pages =        "459--466",
1664   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1665   doi =          "10.1063/1.1730376",
1666 }
1667
1668 @Article{horsfield96,
1669   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1670   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1671                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1672   journal =      "Phys. Rev. B",
1673   volume =       "53",
1674   number =       "19",
1675   pages =        "12694--12712",
1676   numpages =     "18",
1677   year =         "1996",
1678   month =        may,
1679   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1680   publisher =    "American Physical Society",
1681 }
1682
1683 @Article{abell85,
1684   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1685                  and metallic bonding",
1686   author =       "G. C. Abell",
1687   journal =      "Phys. Rev. B",
1688   volume =       "31",
1689   number =       "10",
1690   pages =        "6184--6196",
1691   numpages =     "12",
1692   year =         "1985",
1693   month =        may,
1694   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1695   publisher =    "American Physical Society",
1696 }
1697
1698 @Article{tersoff_si1,
1699   title =        "New empirical model for the structural properties of
1700                  silicon",
1701   author =       "J. Tersoff",
1702   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1703   volume =       "56",
1704   number =       "6",
1705   pages =        "632--635",
1706   numpages =     "3",
1707   year =         "1986",
1708   month =        feb,
1709   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1710   publisher =    "American Physical Society",
1711 }
1712
1713 @Article{dodson87,
1714   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1715                  silicon",
1716   author =       "Brian W. Dodson",
1717   journal =      "Phys. Rev. B",
1718   volume =       "35",
1719   number =       "6",
1720   pages =        "2795--2798",
1721   numpages =     "3",
1722   year =         "1987",
1723   month =        feb,
1724   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1725   publisher =    "American Physical Society",
1726 }
1727
1728 @Article{tersoff_si2,
1729   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1730                  covalent systems",
1731   author =       "J. Tersoff",
1732   journal =      "Phys. Rev. B",
1733   volume =       "37",
1734   number =       "12",
1735   pages =        "6991--7000",
1736   numpages =     "9",
1737   year =         "1988",
1738   month =        apr,
1739   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1740   publisher =    "American Physical Society",
1741 }
1742
1743 @Article{tersoff_si3,
1744   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1745                  improved elastic properties",
1746   author =       "J. Tersoff",
1747   journal =      "Phys. Rev. B",
1748   volume =       "38",
1749   number =       "14",
1750   pages =        "9902--9905",
1751   numpages =     "3",
1752   year =         "1988",
1753   month =        nov,
1754   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1755   publisher =    "American Physical Society",
1756 }
1757
1758 @Article{tersoff_c,
1759   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1760                  Applications to Amorphous Carbon",
1761   author =       "J. Tersoff",
1762   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1763   volume =       "61",
1764   number =       "25",
1765   pages =        "2879--2882",
1766   numpages =     "3",
1767   year =         "1988",
1768   month =        dec,
1769   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1770   publisher =    "American Physical Society",
1771 }
1772
1773 @Article{tersoff_m,
1774   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1775                  for multicomponent systems",
1776   author =       "J. Tersoff",
1777   journal =      "Phys. Rev. B",
1778   volume =       "39",
1779   number =       "8",
1780   pages =        "5566--5568",
1781   numpages =     "2",
1782   year =         "1989",
1783   month =        mar,
1784   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1785   publisher =    "American Physical Society",
1786 }
1787
1788 @Article{tersoff90,
1789   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1790   author =       "J. Tersoff",
1791   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1792   volume =       "64",
1793   number =       "15",
1794   pages =        "1757--1760",
1795   numpages =     "3",
1796   year =         "1990",
1797   month =        apr,
1798   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1799   publisher =    "American Physical Society",
1800 }
1801
1802 @Article{fahey89,
1803   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1804   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1805   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1806   volume =       "61",
1807   number =       "2",
1808   pages =        "289--384",
1809   numpages =     "95",
1810   year =         "1989",
1811   month =        apr,
1812   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1813   publisher =    "American Physical Society",
1814 }
1815
1816 @Article{wesch96,
1817   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1818   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1819   volume =       "116",
1820   number =       "1-4",
1821   pages =        "305--321",
1822   year =         "1996",
1823   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1824   ISSN =         "0168-583X",
1825   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1826   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1827   author =       "W. Wesch",
1828 }
1829
1830 @Article{davis91,
1831   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1832                  Palmour and J. A. Edmond",
1833   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1834   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1835                  optoelectronic device fabrication and characterization
1836                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1837   year =         "1991",
1838   month =        may,
1839   volume =       "79",
1840   number =       "5",
1841   pages =        "677--701",
1842   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1843                  diode;SiC;dry etching;electrical
1844                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1845                  device fabrication;solid-state devices;surface
1846                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1847                  transistors;Schottky-barrier
1848                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1849                  transistors;insulated gate field effect
1850                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1851                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1852   doi =          "10.1109/5.90132",
1853   ISSN =         "0018-9219",
1854   notes =        "sic growth methods",
1855 }
1856
1857 @Article{morkoc94,
1858   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1859                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1860   collaboration = "",
1861   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1862                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1863   publisher =    "AIP",
1864   year =         "1994",
1865   journal =      "J. Appl. Phys.",
1866   volume =       "76",
1867   number =       "3",
1868   pages =        "1363--1398",
1869   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1870                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1871                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1872                  FILMS; INDUSTRY",
1873   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1874   doi =          "10.1063/1.358463",
1875   notes =        "sic intro, properties",
1876 }
1877
1878 @Article{foo,
1879   author =       "Noch Unbekannt",
1880   title =        "How to find references",
1881   journal =      "Journal of Applied References",
1882   year =         "2009",
1883   volume =       "77",
1884   pages =        "1--23",
1885 }
1886
1887 @Article{tang95,
1888   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1889                  \beta{}-Si{C}",
1890   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1891   journal =      "Phys. Rev. B",
1892   volume =       "52",
1893   number =       "21",
1894   pages =        "15150--15159",
1895   numpages =     "9",
1896   year =         "1995",
1897   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1898   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1899                  tersoff reparametrization",
1900   publisher =    "American Physical Society",
1901 }
1902
1903 @Article{sarro00,
1904   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1905   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1906   volume =       "82",
1907   number =       "1-3",
1908   pages =        "210--218",
1909   year =         "2000",
1910   ISSN =         "0924-4247",
1911   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1912   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1913   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1914   keywords =     "MEMS",
1915   keywords =     "Silicon carbide",
1916   keywords =     "Micromachining",
1917   keywords =     "Mechanical stress",
1918 }
1919
1920 @Article{casady96,
1921   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1922                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1923                  review",
1924   journal =      "Solid-State Electronics",
1925   volume =       "39",
1926   number =       "10",
1927   pages =        "1409--1422",
1928   year =         "1996",
1929   ISSN =         "0038-1101",
1930   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1931   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1932   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1933   notes =        "sic intro",
1934 }
1935
1936 @Article{giancarli98,
1937   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1938                  structural material in fusion power reactor blankets",
1939   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1940   volume =       "41",
1941   number =       "1-4",
1942   pages =        "165--171",
1943   year =         "1998",
1944   ISSN =         "0920-3796",
1945   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1946   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1947   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1948                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1949 }
1950
1951 @Article{pensl93,
1952   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1953   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1954   volume =       "185",
1955   number =       "1-4",
1956   pages =        "264--283",
1957   year =         "1993",
1958   ISSN =         "0921-4526",
1959   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1960   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1961   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1962 }
1963
1964 @Article{tairov78,
1965   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1966                  carbide single crystals",
1967   journal =      "J. Cryst. Growth",
1968   volume =       "43",
1969   number =       "2",
1970   pages =        "209--212",
1971   year =         "1978",
1972   notes =        "modified lely process",
1973   ISSN =         "0022-0248",
1974   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1975   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1976   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1977 }
1978
1979 @Article{tairov81,
1980   title =        "General principles of growing large-size single
1981                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1982   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1983   volume =       "52",
1984   number =       "Part 1",
1985   pages =        "146--150",
1986   year =         "1981",
1987   note =         "",
1988   ISSN =         "0022-0248",
1989   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1990   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1991   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1992 }
1993
1994 @Article{barrett91,
1995   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1996   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1997   volume =       "109",
1998   number =       "1-4",
1999   pages =        "17--23",
2000   year =         "1991",
2001   note =         "",
2002   ISSN =         "0022-0248",
2003   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2004   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2005   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2006                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2007 }
2008
2009 @Article{barrett93,
2010   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2011   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2012   volume =       "128",
2013   number =       "1-4",
2014   pages =        "358--362",
2015   year =         "1993",
2016   note =         "",
2017   ISSN =         "0022-0248",
2018   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2019   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2020   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2021                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2022                  W. J. Choyke",
2023 }
2024
2025 @Article{stein93,
2026   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2027                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2028                  sublimation method",
2029   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2030   volume =       "131",
2031   number =       "1-2",
2032   pages =        "71--74",
2033   year =         "1993",
2034   note =         "",
2035   ISSN =         "0022-0248",
2036   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2037   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2038   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2039   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2040 }
2041
2042 @Article{nishino83,
2043   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2044                  Will",
2045   collaboration = "",
2046   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2047                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2048   publisher =    "AIP",
2049   year =         "1983",
2050   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2051   volume =       "42",
2052   number =       "5",
2053   pages =        "460--462",
2054   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2055                  monocrystals",
2056   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2057   doi =          "10.1063/1.93970",
2058   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2059 }
2060
2061 @Article{nishino87,
2062   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2063                  and Hiroyuki Matsunami",
2064   collaboration = "",
2065   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2066                  Si{C} on silicon",
2067   publisher =    "AIP",
2068   year =         "1987",
2069   journal =      "J. Appl. Phys.",
2070   volume =       "61",
2071   number =       "10",
2072   pages =        "4889--4893",
2073   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2074   doi =          "10.1063/1.338355",
2075   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2076                  carbonization",
2077 }
2078
2079 @Article{powell87,
2080   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2081                  Kuczmarski",
2082   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2083                  Single-Crystal Films on Si",
2084   publisher =    "ECS",
2085   year =         "1987",
2086   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2087   volume =       "134",
2088   number =       "6",
2089   pages =        "1558--1565",
2090   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2091                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2092   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2093   doi =          "10.1149/1.2100708",
2094   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2095 }
2096
2097 @Article{powell87_2,
2098   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2099                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2100   collaboration = "",
2101   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2102                  off-axis Si substrates",
2103   publisher =    "AIP",
2104   year =         "1987",
2105   journal =      "Applied Physics Letters",
2106   volume =       "51",
2107   number =       "11",
2108   pages =        "823--825",
2109   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2110                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2111                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2112                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2113                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2114   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2115   doi =          "10.1063/1.98824",
2116   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2117 }
2118
2119 @Article{ueda90,
2120   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2121   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2122   volume =       "104",
2123   number =       "3",
2124   pages =        "695--700",
2125   year =         "1990",
2126   note =         "",
2127   ISSN =         "0022-0248",
2128   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2129   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2130   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2131                  Matsunami",
2132   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2133 }
2134
2135 @Article{kimoto93,
2136   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2137                  and Hiroyuki Matsunami",
2138   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2139                  epitaxy",
2140   publisher =    "AIP",
2141   year =         "1993",
2142   journal =      "J. Appl. Phys.",
2143   volume =       "73",
2144   number =       "2",
2145   pages =        "726--732",
2146   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2147                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2148                  VAPOR DEPOSITION",
2149   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2150   doi =          "10.1063/1.353329",
2151   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2152 }
2153
2154 @Article{powell90_2,
2155   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2156                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2157                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2158   collaboration = "",
2159   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2160                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2161   publisher =    "AIP",
2162   year =         "1990",
2163   journal =      "Applied Physics Letters",
2164   volume =       "56",
2165   number =       "15",
2166   pages =        "1442--1444",
2167   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2168                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2169                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2170                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2171   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2172   doi =          "10.1063/1.102492",
2173   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2174 }
2175
2176 @Article{kong88_2,
2177   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2178   collaboration = "",
2179   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2180                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2181                  substrates",
2182   publisher =    "AIP",
2183   year =         "1988",
2184   journal =      "Journal of Applied Physics",
2185   volume =       "64",
2186   number =       "5",
2187   pages =        "2672--2679",
2188   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2189                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2190                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2191                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2192                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2193   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2194   doi =          "10.1063/1.341608",
2195 }
2196
2197 @Article{powell90,
2198   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2199                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2200                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2201   collaboration = "",
2202   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2203                  6{H}-Si{C} substrates",
2204   publisher =    "AIP",
2205   year =         "1990",
2206   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2207   volume =       "56",
2208   number =       "14",
2209   pages =        "1353--1355",
2210   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2211                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2212                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2213                  PHASE EPITAXY",
2214   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2215   doi =          "10.1063/1.102512",
2216   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2217 }
2218
2219 @Article{kong88,
2220   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2221                  Rozgonyi and K. L. More",
2222   collaboration = "",
2223   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2224                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2225                  substrates",
2226   publisher =    "AIP",
2227   year =         "1988",
2228   journal =      "Journal of Applied Physics",
2229   volume =       "63",
2230   number =       "8",
2231   pages =        "2645--2650",
2232   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2233                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2234                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2235                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2236                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2237   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2238   doi =          "10.1063/1.341004",
2239 }
2240
2241 @Article{powell91,
2242   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2243                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2244                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2245   collaboration = "",
2246   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2247                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2248   publisher =    "AIP",
2249   year =         "1991",
2250   journal =      "Applied Physics Letters",
2251   volume =       "59",
2252   number =       "3",
2253   pages =        "333--335",
2254   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2255                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2256                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2257   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2258   doi =          "10.1063/1.105587",
2259 }
2260
2261 @Article{yuan95,
2262   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2263                  Thokala and M. J. Loboda",
2264   collaboration = "",
2265   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2266                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2267                  silacyclobutane",
2268   publisher =    "AIP",
2269   year =         "1995",
2270   journal =      "J. Appl. Phys.",
2271   volume =       "78",
2272   number =       "2",
2273   pages =        "1271--1273",
2274   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2275                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2276                  SPECTROPHOTOMETRY",
2277   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2278   doi =          "10.1063/1.360368",
2279   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2280 }
2281
2282 @Article{kaneda87,
2283   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2284                  properties of its p-n junction",
2285   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2286   volume =       "81",
2287   number =       "1-4",
2288   pages =        "536--542",
2289   year =         "1987",
2290   note =         "",
2291   ISSN =         "0022-0248",
2292   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2293   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2294   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2295                  and Takao Tanaka",
2296   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2297 }
2298
2299 @Article{fissel95,
2300   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2301                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2302                  molecular beam epitaxy",
2303   journal =      "J. Cryst. Growth",
2304   volume =       "154",
2305   number =       "1-2",
2306   pages =        "72--80",
2307   year =         "1995",
2308   ISSN =         "0022-0248",
2309   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2310   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2311   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2312                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2313   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2314 }
2315
2316 @Article{fissel95_apl,
2317   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2318   collaboration = "",
2319   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2320                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2321   publisher =    "AIP",
2322   year =         "1995",
2323   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2324   volume =       "66",
2325   number =       "23",
2326   pages =        "3182--3184",
2327   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2328                  RHEED; NUCLEATION",
2329   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2330   doi =          "10.1063/1.113716",
2331   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2332 }
2333
2334 @Article{fissel96,
2335   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2336                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2337   collaboration = "",
2338   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2339                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2340                  level using surface superstructures",
2341   publisher =    "AIP",
2342   year =         "1996",
2343   journal =      "Applied Physics Letters",
2344   volume =       "68",
2345   number =       "9",
2346   pages =        "1204--1206",
2347   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2348                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2349                  SURFACE STRUCTURE",
2350   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2351   doi =          "10.1063/1.115969",
2352   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2353 }
2354
2355 @Article{righi03,
2356   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2357   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2358                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2359   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2360   volume =       "91",
2361   number =       "13",
2362   pages =        "136101",
2363   numpages =     "4",
2364   year =         "2003",
2365   month =        sep,
2366   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2367   publisher =    "American Physical Society",
2368   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2369 }
2370
2371 @Article{borders71,
2372   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2373   collaboration = "",
2374   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2375                  {IMPLANTATION}",
2376   publisher =    "AIP",
2377   year =         "1971",
2378   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2379   volume =       "18",
2380   number =       "11",
2381   pages =        "509--511",
2382   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2383   doi =          "10.1063/1.1653516",
2384   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2385                  ideas",
2386 }
2387
2388 @Article{edelman76,
2389   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2390                  and E. V. Lubopytova",
2391   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2392                  by ion implantation",
2393   publisher =    "Taylor \& Francis",
2394   year =         "1976",
2395   journal =      "Radiation Effects",
2396   volume =       "29",
2397   number =       "1",
2398   pages =        "13--15",
2399   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2400   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2401                  single crystalline",
2402 }
2403
2404 @Article{akimchenko80,
2405   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2406                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2407   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2408                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2409   publisher =    "Taylor \& Francis",
2410   year =         "1980",
2411   journal =      "Radiation Effects",
2412   volume =       "48",
2413   number =       "1",
2414   pages =        "7",
2415   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2416   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2417 }
2418
2419 @Article{kimura81,
2420   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2421                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2422                  silicon",
2423   journal =      "Thin Solid Films",
2424   volume =       "81",
2425   number =       "4",
2426   pages =        "319--327",
2427   year =         "1981",
2428   note =         "",
2429   ISSN =         "0040-6090",
2430   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2431   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2432   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2433                  Yugo",
2434 }
2435
2436 @Article{kimura82,
2437   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2438                  the implantation of carbon ions into silicon",
2439   journal =      "Thin Solid Films",
2440   volume =       "94",
2441   number =       "3",
2442   pages =        "191--198",
2443   year =         "1982",
2444   note =         "",
2445   ISSN =         "0040-6090",
2446   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2447   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2448   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2449                  Yugo",
2450 }
2451
2452 @Article{reeson86,
2453   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2454                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2455                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2456   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2457                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2458   publisher =    "Taylor \& Francis",
2459   year =         "1986",
2460   journal =      "Radiation Effects",
2461   volume =       "99",
2462   number =       "1",
2463   pages =        "71--81",
2464   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2465   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2466                  no c redistribution",
2467 }
2468
2469 @Article{reeson87,
2470   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2471                  J. Davis and G. E. Celler",
2472   collaboration = "",
2473   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2474                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2475   publisher =    "AIP",
2476   year =         "1987",
2477   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2478   volume =       "51",
2479   number =       "26",
2480   pages =        "2242--2244",
2481   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2482                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2483   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2484   doi =          "10.1063/1.98953",
2485   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2486 }
2487
2488 @Article{martin90,
2489   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2490                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2491   collaboration = "",
2492   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2493   publisher =    "AIP",
2494   year =         "1990",
2495   journal =      "Journal of Applied Physics",
2496   volume =       "67",
2497   number =       "6",
2498   pages =        "2908--2912",
2499   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2500                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2501                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2502                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2503                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2504                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2505   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2506   doi =          "10.1063/1.346092",
2507   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2508                  temepratures",
2509 }
2510
2511 @Article{scace59,
2512   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2513   collaboration = "",
2514   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2515   publisher =    "AIP",
2516   year =         "1959",
2517   journal =      "J. Chem. Phys.",
2518   volume =       "30",
2519   number =       "6",
2520   pages =        "1551--1555",
2521   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2522   doi =          "10.1063/1.1730236",
2523   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2524 }
2525
2526 @Article{hofker74,
2527   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2528                  Koeman",
2529   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2530                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2531                  Netherlands",
2532   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2533                  charge carrier and boron concentration profiles",
2534   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2535   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2536   ISSN =         "0947-8396",
2537   keyword =      "Physics and Astronomy",
2538   pages =        "125--133",
2539   volume =       "4",
2540   issue =        "2",
2541   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2542   note =         "10.1007/BF00884267",
2543   year =         "1974",
2544   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2545 }
2546
2547 @Article{michel87,
2548   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2549                  H. Kastl",
2550   collaboration = "",
2551   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2552                  implanted boron into silicon",
2553   publisher =    "AIP",
2554   year =         "1987",
2555   journal =      "Applied Physics Letters",
2556   volume =       "50",
2557   number =       "7",
2558   pages =        "416--418",
2559   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2560                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2561                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2562   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2563   doi =          "10.1063/1.98160",
2564   notes =        "ted of boron in si",
2565 }
2566
2567 @Article{cowern90,
2568   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2569                  Jos",
2570   collaboration = "",
2571   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2572                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2573                  profiles",
2574   publisher =    "AIP",
2575   year =         "1990",
2576   journal =      "Journal of Applied Physics",
2577   volume =       "68",
2578   number =       "12",
2579   pages =        "6191--6198",
2580   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2581                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2582                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2583   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2584   doi =          "10.1063/1.346910",
2585   notes =        "ted of boron in si",
2586 }
2587
2588 @Article{cowern96,
2589   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2590                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2591   collaboration = "",
2592   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2593                  {B} in silicon",
2594   publisher =    "AIP",
2595   year =         "1996",
2596   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2597   volume =       "68",
2598   number =       "8",
2599   pages =        "1150--1152",
2600   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2601                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2602                  SILICON",
2603   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2604   doi =          "10.1063/1.115706",
2605   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2606 }
2607
2608 @Article{stolk95,
2609   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2610                  of the silicon self-interstitial",
2611   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2612   volume =       "96",
2613   number =       "1-2",
2614   pages =        "187--195",
2615   year =         "1995",
2616   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2617                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2618   ISSN =         "0168-583X",
2619   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2621   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2622                  and J. M. Poate",
2623 }
2624
2625 @Article{stolk97,
2626   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2627                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2628                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2629                  E. Haynes",
2630   collaboration = "",
2631   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2632                  diffusion in ion-implanted silicon",
2633   publisher =    "AIP",
2634   year =         "1997",
2635   journal =      "J. Appl. Phys.",
2636   volume =       "81",
2637   number =       "9",
2638   pages =        "6031--6050",
2639   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2640   doi =          "10.1063/1.364452",
2641   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2642 }
2643
2644 @Article{powell94,
2645   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2646   collaboration = "",
2647   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2648                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2649   publisher =    "AIP",
2650   year =         "1994",
2651   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2652   volume =       "64",
2653   number =       "3",
2654   pages =        "324--326",
2655   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2656                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2657                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2658                  SYNTHESIS",
2659   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2660   doi =          "10.1063/1.111195",
2661   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2662 }
2663
2664 @Article{soref91,
2665   author =       "Richard A. Soref",
2666   collaboration = "",
2667   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2668                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2669   publisher =    "AIP",
2670   year =         "1991",
2671   journal =      "J. Appl. Phys.",
2672   volume =       "70",
2673   number =       "4",
2674   pages =        "2470--2472",
2675   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2676                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2677                  TERNARY ALLOYS",
2678   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2679   doi =          "10.1063/1.349403",
2680   notes =        "band gap of strained si by c",
2681 }
2682
2683 @Article{kasper91,
2684   author =       "E Kasper",
2685   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2686                  possibility to produce direct band gap material",
2687   journal =      "Physica Scripta",
2688   volume =       "T35",
2689   pages =        "232--236",
2690   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2691   year =         "1991",
2692   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2693                  quasi-direct one",
2694 }
2695
2696 @Article{eberl92,
2697   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2698                  and F. K. LeGoues",
2699   collaboration = "",
2700   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2701                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2702   publisher =    "AIP",
2703   year =         "1992",
2704   journal =      "Applied Physics Letters",
2705   volume =       "60",
2706   number =       "24",
2707   pages =        "3033--3035",
2708   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2709                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2710                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2711                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2712                  STUDIES",
2713   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2714   doi =          "10.1063/1.106774",
2715 }
2716
2717 @Article{powell93,
2718   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2719                  Ek and S. S. Iyer",
2720   collaboration = "",
2721   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2722                  alloy layers",
2723   publisher =    "AVS",
2724   year =         "1993",
2725   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2726   volume =       "11",
2727   number =       "3",
2728   pages =        "1064--1068",
2729   location =     "Ottawa (Canada)",
2730   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2731                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2732                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2733                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2734   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2735   doi =          "10.1116/1.587008",
2736   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2737 }
2738
2739 @Article{powell93_2,
2740   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2741                  of the ternary system",
2742   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2743   volume =       "127",
2744   number =       "1-4",
2745   pages =        "425--429",
2746   year =         "1993",
2747   note =         "",
2748   ISSN =         "0022-0248",
2749   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2750   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2751   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2752                  Iyer",
2753 }
2754
2755 @Article{osten94,
2756   author =       "H. J. Osten",
2757   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2758                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2759   journal =      "physica status solidi (a)",
2760   volume =       "145",
2761   number =       "2",
2762   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2763   ISSN =         "1521-396X",
2764   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2765   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2766   pages =        "235--245",
2767   year =         "1994",
2768 }
2769
2770 @Article{dietrich94,
2771   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2772                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2773   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2774                  Methfessel and P. Zaumseil",
2775   journal =      "Phys. Rev. B",
2776   volume =       "49",
2777   number =       "24",
2778   pages =        "17185--17190",
2779   numpages =     "5",
2780   year =         "1994",
2781   month =        jun,
2782   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2783   publisher =    "American Physical Society",
2784 }
2785
2786 @Article{osten94_2,
2787   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2788   collaboration = "",
2789   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2790                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2791   publisher =    "AIP",
2792   year =         "1994",
2793   journal =      "Applied Physics Letters",
2794   volume =       "64",
2795   number =       "25",
2796   pages =        "3440--3442",
2797   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2798                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2799                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2800                  LATTICES",
2801   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2802   doi =          "10.1063/1.111235",
2803   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2804 }
2805
2806 @Article{iyer92,
2807   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2808                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2809   collaboration = "",
2810   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2811                  molecular beam epitaxy",
2812   publisher =    "AIP",
2813   year =         "1992",
2814   journal =      "Applied Physics Letters",
2815   volume =       "60",
2816   number =       "3",
2817   pages =        "356--358",
2818   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2819                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2820                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2821                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2823   doi =          "10.1063/1.106655",
2824 }
2825
2826 @Article{osten99,
2827   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2828   collaboration = "",
2829   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2830                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2831                  molecular beam epitaxy",
2832   publisher =    "AIP",
2833   year =         "1999",
2834   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2835   volume =       "74",
2836   number =       "6",
2837   pages =        "836--838",
2838   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2839                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2840                  compounds",
2841   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2842   doi =          "10.1063/1.123384",
2843   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2844 }
2845
2846 @Article{born27,
2847   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
2848   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
2849   journal =      "Annalen der Physik",
2850   volume =       "389",
2851   number =       "20",
2852   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2853   ISSN =         "1521-3889",
2854   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
2855   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
2856   pages =        "457--484",
2857   year =         "1927",
2858 }
2859
2860 @Article{hohenberg64,
2861   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2862   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2863   journal =      "Phys. Rev.",
2864   volume =       "136",
2865   number =       "3B",
2866   pages =        "B864--B871",
2867   numpages =     "7",
2868   year =         "1964",
2869   month =        nov,
2870   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2871   publisher =    "American Physical Society",
2872   notes =        "density functional theory, dft",
2873 }
2874
2875 @Article{kohn65,
2876   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2877                  Correlation Effects",
2878   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2879   journal =      "Phys. Rev.",
2880   volume =       "140",
2881   number =       "4A",
2882   pages =        "A1133--A1138",
2883   numpages =     "5",
2884   year =         "1965",
2885   month =        nov,
2886   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2887   publisher =    "American Physical Society",
2888   notes =        "dft, exchange and correlation",
2889 }
2890
2891 @Article{kohn99,
2892   title = {Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave functions and density functionals},
2893   author = {Kohn, W. },
2894   journal = {Rev. Mod. Phys.},
2895   volume = {71},
2896   number = {5},
2897   pages = {1253--1266},
2898   numpages = {13},
2899   year = {1999},
2900   month = {Oct},
2901   doi = {10.1103/RevModPhys.71.1253},
2902   publisher = {American Physical Society}
2903 }
2904
2905 @Article{ruecker94,
2906   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2907                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2908   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2909                  J. Osten",
2910   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2911   volume =       "72",
2912   number =       "22",
2913   pages =        "3578--3581",
2914   numpages =     "3",
2915   year =         "1994",
2916   month =        may,
2917   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2918   publisher =    "American Physical Society",
2919   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2920                  si, dft",
2921 }
2922
2923 @Article{yagi02,
2924   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2925                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2926                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2927   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2928                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2929   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2930   volume =       "41",
2931   number =       "Part 1, No. 4B",
2932   pages =        "2472--2475",
2933   numpages =     "3",
2934   year =         "2002",
2935   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2936   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2937   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2938   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2939 }
2940
2941 @Article{chang05,
2942   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2943                  Alloy",
2944   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2945   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2946   volume =       "44",
2947   number =       "4B",
2948   pages =        "2257--2262",
2949   numpages =     "5",
2950   year =         "2005",
2951   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2952   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2953   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2954   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
2955 }
2956
2957 @Article{kissinger94,
2958   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
2959                  Eichler",
2960   collaboration = "",
2961   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
2962                  y] layers on Si(001)",
2963   publisher =    "AIP",
2964   year =         "1994",
2965   journal =      "Applied Physics Letters",
2966   volume =       "65",
2967   number =       "26",
2968   pages =        "3356--3358",
2969   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
2970                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
2971                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
2972                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
2973   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
2974   doi =          "10.1063/1.112390",
2975   notes =        "strained si influence on optical properties",
2976 }
2977
2978 @Article{osten96,
2979   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
2980                  Zaumseil",
2981   collaboration = "",
2982   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
2983                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
2984                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
2985   publisher =    "AIP",
2986   year =         "1996",
2987   journal =      "Journal of Applied Physics",
2988   volume =       "80",
2989   number =       "12",
2990   pages =        "6711--6715",
2991   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
2992                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
2993                  XRD; STRAINS",
2994   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
2995   doi =          "10.1063/1.363797",
2996   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
2997 }
2998
2999 @Article{osten97,
3000   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3001   collaboration = "",
3002   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3003                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3004                  Si(001)",
3005   publisher =    "AIP",
3006   year =         "1997",
3007   journal =      "J. Appl. Phys.",
3008   volume =       "82",
3009   number =       "10",
3010   pages =        "4977--4981",
3011   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3012                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3013                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3014   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3015   doi =          "10.1063/1.366364",
3016   notes =        "charge transport in strained si",
3017 }
3018
3019 @Article{kapur04,
3020   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3021                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3022   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3023   journal =      "Phys. Rev. B",
3024   volume =       "69",
3025   number =       "15",
3026   pages =        "155214",
3027   numpages =     "8",
3028   year =         "2004",
3029   month =        apr,
3030   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3031   publisher =    "American Physical Society",
3032   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3033 }
3034
3035 @Article{barkema96,
3036   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3037                  Systems",
3038   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3039   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3040   volume =       "77",
3041   number =       "21",
3042   pages =        "4358--4361",
3043   numpages =     "3",
3044   year =         "1996",
3045   month =        nov,
3046   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3047   publisher =    "American Physical Society",
3048   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3049                  dynamic mds",
3050 }
3051
3052 @Article{cances09,
3053   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3054                  Minoukadeh and F. Willaime",
3055   collaboration = "",
3056   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3057                  technique method for finding transition pathways on
3058                  potential energy surfaces",
3059   publisher =    "AIP",
3060   year =         "2009",
3061   journal =      "J. Chem. Phys.",
3062   volume =       "130",
3063   number =       "11",
3064   eid =          "114711",
3065   numpages =     "6",
3066   pages =        "114711",
3067   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3068                  surfaces; vacancies (crystal)",
3069   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3070   doi =          "10.1063/1.3088532",
3071   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3072                  transition pathways",
3073 }
3074
3075 @Article{parrinello81,
3076   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3077   collaboration = "",
3078   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3079                  molecular dynamics method",
3080   publisher =    "AIP",
3081   year =         "1981",
3082   journal =      "J. Appl. Phys.",
3083   volume =       "52",
3084   number =       "12",
3085   pages =        "7182--7190",
3086   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3087                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3088                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3089                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3090                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3091                  IMPACT SHOCK",
3092   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3093   doi =          "10.1063/1.328693",
3094 }
3095
3096 @Article{stillinger85,
3097   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3098                  of silicon",
3099   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3100   journal =      "Phys. Rev. B",
3101   volume =       "31",
3102   number =       "8",
3103   pages =        "5262--5271",
3104   numpages =     "9",
3105   year =         "1985",
3106   month =        apr,
3107   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3108   publisher =    "American Physical Society",
3109 }
3110
3111 @Article{brenner90,
3112   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3113                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3114                  films",
3115   author =       "Donald W. Brenner",
3116   journal =      "Phys. Rev. B",
3117   volume =       "42",
3118   number =       "15",
3119   pages =        "9458--9471",
3120   numpages =     "13",
3121   year =         "1990",
3122   month =        nov,
3123   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3124   publisher =    "American Physical Society",
3125   notes =        "brenner hydro carbons",
3126 }
3127
3128 @Article{bazant96,
3129   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3130                  Cohesive Energy Curves",
3131   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3132   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3133   volume =       "77",
3134   number =       "21",
3135   pages =        "4370--4373",
3136   numpages =     "3",
3137   year =         "1996",
3138   month =        nov,
3139   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3140   publisher =    "American Physical Society",
3141   notes =        "first si edip",
3142 }
3143
3144 @Article{bazant97,
3145   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3146                  silicon",
3147   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3148                  Justo",
3149   journal =      "Phys. Rev. B",
3150   volume =       "56",
3151   number =       "14",
3152   pages =        "8542--8552",
3153   numpages =     "10",
3154   year =         "1997",
3155   month =        oct,
3156   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3157   publisher =    "American Physical Society",
3158   notes =        "second si edip",
3159 }
3160
3161 @Article{justo98,
3162   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3163                  disordered phases",
3164   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3165                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3166   journal =      "Phys. Rev. B",
3167   volume =       "58",
3168   number =       "5",
3169   pages =        "2539--2550",
3170   numpages =     "11",
3171   year =         "1998",
3172   month =        aug,
3173   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3174   publisher =    "American Physical Society",
3175   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3176 }
3177
3178 @Article{parcas_md,
3179   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3180   author =       "K. Nordlund",
3181   year =         "2008",
3182 }
3183
3184 @Article{voter97,
3185   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3186                  Infrequent Events",
3187   author =       "Arthur F. Voter",
3188   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3189   volume =       "78",
3190   number =       "20",
3191   pages =        "3908--3911",
3192   numpages =     "3",
3193   year =         "1997",
3194   month =        may,
3195   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3196   publisher =    "American Physical Society",
3197   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3198 }
3199
3200 @Article{voter97_2,
3201   author =       "Arthur F. Voter",
3202   collaboration = "",
3203   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3204                  simulation of infrequent events",
3205   publisher =    "AIP",
3206   year =         "1997",
3207   journal =      "J. Chem. Phys.",
3208   volume =       "106",
3209   number =       "11",
3210   pages =        "4665--4677",
3211   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3212                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3213                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3214                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3215                  theory; potential energy surfaces",
3216   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3217   doi =          "10.1063/1.473503",
3218   notes =        "improved hyperdynamics md",
3219 }
3220
3221 @Article{sorensen2000,
3222   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3223   collaboration = "",
3224   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3225                  infrequent events",
3226   publisher =    "AIP",
3227   year =         "2000",
3228   journal =      "J. Chem. Phys.",
3229   volume =       "112",
3230   number =       "21",
3231   pages =        "9599--9606",
3232   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3233                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3234   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3235   doi =          "10.1063/1.481576",
3236   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3237 }
3238
3239 @Article{voter98,
3240   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3241                  events",
3242   author =       "Arthur F. Voter",
3243   journal =      "Phys. Rev. B",
3244   volume =       "57",
3245   number =       "22",
3246   pages =        "R13985--R13988",
3247   numpages =     "3",
3248   year =         "1998",
3249   month =        jun,
3250   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3251   publisher =    "American Physical Society",
3252   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3253 }
3254
3255 @Article{wu99,
3256   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3257   collaboration = "",
3258   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3259                  simulation",
3260   publisher =    "AIP",
3261   year =         "1999",
3262   journal =      "J. Chem. Phys.",
3263   volume =       "110",
3264   number =       "19",
3265   pages =        "9401--9410",
3266   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3267                  potential; crystallisation; liquid theory",
3268   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3269   doi =          "10.1063/1.478948",
3270   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3271                  systematic motion",
3272 }
3273
3274 @Article{choudhary05,
3275   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3276   collaboration = "",
3277   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3278                  to the production of amorphous silicon",
3279   publisher =    "AIP",
3280   year =         "2005",
3281   journal =      "J. Chem. Phys.",
3282   volume =       "122",
3283   number =       "15",
3284   eid =          "154509",
3285   numpages =     "8",
3286   pages =        "154509",
3287   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3288                  amorphous semiconductors",
3289   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3290   doi =          "10.1063/1.1878733",
3291   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3292                  silicon",
3293 }
3294
3295 @Article{taylor93,
3296   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3297   collaboration = "",
3298   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3299                  difficult?",
3300   publisher =    "AIP",
3301   year =         "1993",
3302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3303   volume =       "62",
3304   number =       "25",
3305   pages =        "3336--3338",
3306   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3307                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3308                  ENERGY",
3309   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3310   doi =          "10.1063/1.109063",
3311   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3312                  interstitials necessary for precipitation, volume
3313                  decrease, high interface energy",
3314 }
3315
3316 @Article{chaussende08,
3317   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3318   journal =      "J. Cryst. Growth",
3319   volume =       "310",
3320   number =       "5",
3321   pages =        "976--981",
3322   year =         "2008",
3323   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3324                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3325   ISSN =         "0022-0248",
3326   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3327   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3328   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3329                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3330                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3331                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3332   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3333                  metastable",
3334 }
3335
3336 @Article{chaussende07,
3337   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3338   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3339   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3340   volume =       "40",
3341   number =       "20",
3342   pages =        "6150",
3343   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3344   year =         "2007",
3345   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3346                  modelling",
3347 }
3348
3349 @Article{feynman39,
3350   title =        "Forces in Molecules",
3351   author =       "R. P. Feynman",
3352   journal =      "Phys. Rev.",
3353   volume =       "56",
3354   number =       "4",
3355   pages =        "340--343",
3356   numpages =     "3",
3357   year =         "1939",
3358   month =        aug,
3359   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3360   publisher =    "American Physical Society",
3361   notes =        "hellmann feynman forces",
3362 }
3363
3364 @Article{buczko00,
3365   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3366                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3367                  their Contrasting Properties",
3368   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3369                  T. Pantelides",
3370   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3371   volume =       "84",
3372   number =       "5",
3373   pages =        "943--946",
3374   numpages =     "3",
3375   year =         "2000",
3376   month =        jan,
3377   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3378   publisher =    "American Physical Society",
3379   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3380 }
3381
3382 @Article{djurabekova08,
3383   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3384                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3385   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3386   journal =      "Phys. Rev. B",
3387   volume =       "77",
3388   number =       "11",
3389   pages =        "115325",
3390   numpages =     "7",
3391   year =         "2008",
3392   month =        mar,
3393   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3394   publisher =    "American Physical Society",
3395   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3396                  angular distribution, coordination",
3397 }
3398
3399 @Article{wen09,
3400   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3401                  W. Liang and J. Zou",
3402   collaboration = "",
3403   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3404                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3405                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3406   publisher =    "AIP",
3407   year =         "2009",
3408   journal =      "J. Appl. Phys.",
3409   volume =       "106",
3410   number =       "7",
3411   eid =          "073522",
3412   numpages =     "8",
3413   pages =        "073522",
3414   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3415                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3416                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3417                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3418   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3419   doi =          "10.1063/1.3234380",
3420   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3421                  deconvolution, dislocation defects",
3422 }
3423
3424 @Article{kitabatake93,
3425   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3426                  Hirao",
3427   collaboration = "",
3428   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3429                  growth on Si(001) surface",
3430   publisher =    "AIP",
3431   year =         "1993",
3432   journal =      "J. Appl. Phys.",
3433   volume =       "74",
3434   number =       "7",
3435   pages =        "4438--4445",
3436   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3437                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3438                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3439   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3440   doi =          "10.1063/1.354385",
3441   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3442                  model, interface",
3443 }
3444
3445 @Article{kitabatake97,
3446   author =       "Makoto Kitabatake",
3447   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3448                  Heteroepitaxial Growth",
3449   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3450   year =         "1997",
3451   journal =      "physica status solidi (b)",
3452   volume =       "202",
3453   pages =        "405--420",
3454   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3455   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3456   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3457 }
3458
3459 @Article{chirita97,
3460   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3461                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3462                  dynamics study",
3463   journal =      "Thin Solid Films",
3464   volume =       "294",
3465   number =       "1-2",
3466   pages =        "47--49",
3467   year =         "1997",
3468   note =         "",
3469   ISSN =         "0040-6090",
3470   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3471   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3472   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3473   keywords =     "Strain relaxation",
3474   keywords =     "Interfaces",
3475   keywords =     "Thermal stability",
3476   keywords =     "Molecular dynamics",
3477   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3478 }
3479
3480 @Article{cicero02,
3481   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3482                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3483   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3484                  Catellani",
3485   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3486   volume =       "89",
3487   number =       "15",
3488   pages =        "156101",
3489   numpages =     "4",
3490   year =         "2002",
3491   month =        sep,
3492   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3493   publisher =    "American Physical Society",
3494   notes =        "sic/si interface study",
3495 }
3496
3497 @Article{pizzagalli03,
3498   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3499                  interface: Si{C}/Si(001)",
3500   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3501                  Catellani",
3502   journal =      "Phys. Rev. B",
3503   volume =       "68",
3504   number =       "19",
3505   pages =        "195302",
3506   numpages =     "10",
3507   year =         "2003",
3508   month =        nov,
3509   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3510   publisher =    "American Physical Society",
3511   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3512 }
3513
3514 @Article{tang07,
3515   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3516                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3517                  electron microscopy",
3518   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3519                  H. Zheng and J. W. Liang",
3520   journal =      "Phys. Rev. B",
3521   volume =       "75",
3522   number =       "18",
3523   pages =        "184103",
3524   numpages =     "7",
3525   year =         "2007",
3526   month =        may,
3527   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3528   publisher =    "American Physical Society",
3529   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3530                  si and c",
3531 }
3532
3533 @Article{hornstra58,
3534   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3535   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3536   volume =       "5",
3537   number =       "1-2",
3538   pages =        "129--141",
3539   year =         "1958",
3540   note =         "",
3541   ISSN =         "0022-3697",
3542   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3543   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3544   author =       "J. Hornstra",
3545   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3546 }
3547
3548 @Article{deguchi92,
3549   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3550                  Ion `Hot' Implantation",
3551   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3552                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3553   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3554   volume =       "31",
3555   number =       "Part 1, No. 2A",
3556   pages =        "343--347",
3557   numpages =     "4",
3558   year =         "1992",
3559   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3560   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3561   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3562   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3563                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3564 }
3565
3566 @Article{eichhorn99,
3567   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3568                  K{\"{o}}gler",
3569   collaboration = "",
3570   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3571                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3572                  synchrotron x-ray diffraction",
3573   publisher =    "AIP",
3574   year =         "1999",
3575   journal =      "J. Appl. Phys.",
3576   volume =       "86",
3577   number =       "8",
3578   pages =        "4184--4187",
3579   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3580                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3581                  precipitation; semiconductor doping",
3582   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3583   doi =          "10.1063/1.371344",
3584   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3585                  expansion of si lattice",
3586 }
3587
3588 @Article{eichhorn02,
3589   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3590                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3591   collaboration = "",
3592   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3593                  carbon ion implantation",
3594   publisher =    "AIP",
3595   year =         "2002",
3596   journal =      "J. Appl. Phys.",
3597   volume =       "91",
3598   number =       "3",
3599   pages =        "1287--1292",
3600   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3601                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3602                  electron microscopy",
3603   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3604   doi =          "10.1063/1.1428105",
3605   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3606                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3607 }
3608
3609 @Article{lucas10,
3610   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3611   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3612                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3613                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3614                  amorphous structures",
3615   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3616   volume =       "22",
3617   number =       "3",
3618   pages =        "035802",
3619   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3620   year =         "2010",
3621   notes =        "edip sic",
3622 }
3623
3624 @Article{godet03,
3625   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3626                  Beauchamp",
3627   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3628                  methods for silicon under large shear",
3629   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3630   volume =       "15",
3631   number =       "41",
3632   pages =        "6943",
3633   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3634   year =         "2003",
3635   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3636                  edip, tersoff, ab initio",
3637 }
3638
3639 @Article{moriguchi98,
3640   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3641                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3642   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3643   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3644   volume =       "37",
3645   number =       "Part 1, No. 2",
3646   pages =        "414--422",
3647   numpages =     "8",
3648   year =         "1998",
3649   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3650   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3651   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3652   notes =        "tersoff stringent test",
3653 }
3654
3655 @Article{mazzarolo01,
3656   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3657                  simulations",
3658   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3659                  Lulli and Eros Albertazzi",
3660   journal =      "Phys. Rev. B",
3661   volume =       "63",
3662   number =       "19",
3663   pages =        "195207",
3664   numpages =     "4",
3665   year =         "2001",
3666   month =        apr,
3667   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3668   publisher =    "American Physical Society",
3669 }
3670
3671 @Article{holmstroem08,
3672   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3673                  density functional theory molecular dynamics
3674                  simulations",
3675   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3676   journal =      "Phys. Rev. B",
3677   volume =       "78",
3678   number =       "4",
3679   pages =        "045202",
3680   numpages =     "6",
3681   year =         "2008",
3682   month =        jul,
3683   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3684   publisher =    "American Physical Society",
3685   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3686                  initio",
3687 }
3688
3689 @Article{nordlund97,
3690   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3691                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3692   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3693   volume =       "132",
3694   number =       "1",
3695   pages =        "45--54",
3696   year =         "1997",
3697   note =         "",
3698   ISSN =         "0168-583X",
3699   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3700   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3701   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3702   notes =        "repulsive ab initio potential",
3703 }
3704
3705 @Article{kresse96,
3706   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3707                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3708                  set",
3709   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3710   volume =       "6",
3711   number =       "1",
3712   pages =        "15--50",
3713   year =         "1996",
3714   note =         "",
3715   ISSN =         "0927-0256",
3716   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3717   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3718   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3719   notes =        "vasp ref",
3720 }
3721
3722 @Article{bloechl94,
3723   title =        "Projector augmented-wave method",
3724   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3725   journal =      "Phys. Rev. B",
3726   volume =       "50",
3727   number =       "24",
3728   pages =        "17953--17979",
3729   numpages =     "26",
3730   year =         "1994",
3731   month =        dec,
3732   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3733   publisher =    "American Physical Society",
3734   notes =        "paw method",
3735 }
3736
3737 @Article{hamann79,
3738   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3739   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3740   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3741   volume =       "43",
3742   number =       "20",
3743   pages =        "1494--1497",
3744   numpages =     "3",
3745   year =         "1979",
3746   month =        nov,
3747   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3748   publisher =    "American Physical Society",
3749   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3750 }
3751
3752 @Article{vanderbilt90,
3753   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3754                  eigenvalue formalism",
3755   author =       "David Vanderbilt",
3756   journal =      "Phys. Rev. B",
3757   volume =       "41",
3758   number =       "11",
3759   pages =        "7892--7895",
3760   numpages =     "3",
3761   year =         "1990",
3762   month =        apr,
3763   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3764   publisher =    "American Physical Society",
3765   notes =        "vasp pseudopotentials",
3766 }
3767
3768 @Article{perdew86,
3769   title =        "Accurate and simple density functional for the
3770                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3771                  approximation",
3772   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3773   journal =      "Phys. Rev. B",
3774   volume =       "33",
3775   number =       "12",
3776   pages =        "8800--8802",
3777   numpages =     "2",
3778   year =         "1986",
3779   month =        jun,
3780   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3781   publisher =    "American Physical Society",
3782   notes =        "rapid communication gga",
3783 }
3784
3785 @Article{perdew02,
3786   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3787                  correlation: {A} look backward and forward",
3788   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3789   volume =       "172",
3790   number =       "1-2",
3791   pages =        "1--6",
3792   year =         "1991",
3793   note =         "",
3794   ISSN =         "0921-4526",
3795   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3796   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3797   author =       "John P. Perdew",
3798   notes =        "gga overview",
3799 }
3800
3801 @Article{perdew92,
3802   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3803                  of the generalized gradient approximation for exchange
3804                  and correlation",
3805   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3806                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3807                  and Carlos Fiolhais",
3808   journal =      "Phys. Rev. B",
3809   volume =       "46",
3810   number =       "11",
3811   pages =        "6671--6687",
3812   numpages =     "16",
3813   year =         "1992",
3814   month =        sep,
3815   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3816   publisher =    "American Physical Society",
3817   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3818 }
3819
3820 @Article{baldereschi73,
3821   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3822   author =       "A. Baldereschi",
3823   journal =      "Phys. Rev. B",
3824   volume =       "7",
3825   number =       "12",
3826   pages =        "5212--5215",
3827   numpages =     "3",
3828   year =         "1973",
3829   month =        jun,
3830   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3831   publisher =    "American Physical Society",
3832   notes =        "mean value k point",
3833 }
3834
3835 @Article{zhu98,
3836   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3837                  diffusion in Si",
3838   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3839   volume =       "12",
3840   number =       "4",
3841   pages =        "309--318",
3842   year =         "1998",
3843   note =         "",
3844   ISSN =         "0927-0256",
3845   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3846   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3847   author =       "Jing Zhu",
3848   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3849   keywords =     "Boron dopant",
3850   keywords =     "Carbon dopant",
3851   keywords =     "Defect",
3852   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3853   keywords =     "Impurity cluster",
3854   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3855 }
3856
3857 @Article{nejim95,
3858   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3859   collaboration = "",
3860   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3861                  950 [degree]{C}",
3862   publisher =    "AIP",
3863   year =         "1995",
3864   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3865   volume =       "66",
3866   number =       "20",
3867   pages =        "2646--2648",
3868   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3869                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3870                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3871                  ELECTRON MICROSCOPY",
3872   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3873   doi =          "10.1063/1.113112",
3874   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3875                  self interstitials react with further implanted c",
3876 }
3877
3878 @Article{guedj98,
3879   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3880                  Kolodzey and A. Hairie",
3881   collaboration = "",
3882   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3883                  alloys",
3884   publisher =    "AIP",
3885   year =         "1998",
3886   journal =      "J. Appl. Phys.",
3887   volume =       "84",
3888   number =       "8",
3889   pages =        "4631--4633",
3890   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3891                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3892                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3893                  annealing",
3894   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3895   doi =          "10.1063/1.368703",
3896   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3897 }
3898
3899 @Article{jones04,
3900   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3901   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3902                  semiconductors",
3903   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3904   volume =       "16",
3905   number =       "27",
3906   pages =        "S2643",
3907   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3908   year =         "2004",
3909   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3910                  si",
3911 }
3912
3913 @Article{park02,
3914   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3915                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3916                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3917   collaboration = "",
3918   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3919                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3920                  molecular-beam epitaxy",
3921   publisher =    "AIP",
3922   year =         "2002",
3923   journal =      "J. Appl. Phys.",
3924   volume =       "91",
3925   number =       "9",
3926   pages =        "5716--5727",
3927   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3928   doi =          "10.1063/1.1465122",
3929   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3930 }
3931
3932 @Article{leary97,
3933   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3934                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3935   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3936                  Torres",
3937   journal =      "Phys. Rev. B",
3938   volume =       "55",
3939   number =       "4",
3940   pages =        "2188--2194",
3941   numpages =     "6",
3942   year =         "1997",
3943   month =        jan,
3944   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3945   publisher =    "American Physical Society",
3946   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3947                  energies, different migration barriers and paths",
3948 }
3949
3950 @Article{burnard93,
3951   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3952                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3953                  calculations",
3954   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3955   journal =      "Phys. Rev. B",
3956   volume =       "47",
3957   number =       "16",
3958   pages =        "10217--10225",
3959   numpages =     "8",
3960   year =         "1993",
3961   month =        apr,
3962   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3963   publisher =    "American Physical Society",
3964   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3965                  carbon defect, formation energies",
3966 }
3967
3968 @Article{besson91,
3969   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3970                  silicon",
3971   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3972   journal =      "Phys. Rev. B",
3973   volume =       "43",
3974   number =       "5",
3975   pages =        "4028--4033",
3976   numpages =     "5",
3977   year =         "1991",
3978   month =        feb,
3979   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3980   publisher =    "American Physical Society",
3981 }
3982
3983 @Article{kaxiras96,
3984   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3985                  and growth on semiconductors",
3986   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3987   volume =       "6",
3988   number =       "2",
3989   pages =        "158--172",
3990   year =         "1996",
3991   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3992                  Epitaxy",
3993   ISSN =         "0927-0256",
3994   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3995   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3996   author =       "Efthimios Kaxiras",
3997   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3998                  tight binding, first principles",
3999 }
4000
4001 @Article{kaukonen98,
4002   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4003                  diamond
4004                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4005                  surfaces",
4006   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4007                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4008                  Th. Frauenheim",
4009   journal =      "Phys. Rev. B",
4010   volume =       "57",
4011   number =       "16",
4012   pages =        "9965--9970",
4013   numpages =     "5",
4014   year =         "1998",
4015   month =        apr,
4016   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4017   publisher =    "American Physical Society",
4018   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4019                  (crt)",
4020 }
4021
4022 @Article{gali03,
4023   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4024                  center in Si{C}",
4025   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4026                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4027                  W. J. Choyke",
4028   journal =      "Phys. Rev. B",
4029   volume =       "67",
4030   number =       "15",
4031   pages =        "155203",
4032   numpages =     "5",
4033   year =         "2003",
4034   month =        apr,
4035   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4036   publisher =    "American Physical Society",
4037 }
4038
4039 @Article{chen98,
4040   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4041                  irradiation and deformation",
4042   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4043   volume =       "258-263",
4044   number =       "Part 2",
4045   pages =        "1803--1808",
4046   year =         "1998",
4047   note =         "",
4048   ISSN =         "0022-3115",
4049   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4050   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4051   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4052 }
4053
4054 @Article{weber01,
4055   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4056                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4057   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4058   volume =       "175-177",
4059   number =       "",
4060   pages =        "26--30",
4061   year =         "2001",
4062   note =         "",
4063   ISSN =         "0168-583X",
4064   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4065   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4066   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4067 }
4068
4069 @Article{bockstedte03,
4070   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4071                  in $3{C}-Si{C}$",
4072   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4073                  Pankratov",
4074   journal =      "Phys. Rev. B",
4075   volume =       "68",
4076   number =       "20",
4077   pages =        "205201",
4078   numpages =     "17",
4079   year =         "2003",
4080   month =        nov,
4081   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4082   publisher =    "American Physical Society",
4083   notes =        "defect migration in sic",
4084 }
4085
4086 @Article{rauls03a,
4087   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4088                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4089   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4090                  De\'ak",
4091   journal =      "Phys. Rev. B",
4092   volume =       "68",
4093   number =       "15",
4094   pages =        "155208",
4095   numpages =     "9",
4096   year =         "2003",
4097   month =        oct,
4098   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4099   publisher =    "American Physical Society",
4100 }
4101
4102 @Article{losev27,
4103   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4104   volume =       "44",
4105   pages =        "485--494",
4106   year =         "1927",
4107   author =       "O. V. Lossev",
4108 }
4109
4110 @Article{losev28,
4111   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4112                  oscillations with crystals",
4113   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4114   volume =       "6",
4115   number =       "39",
4116   pages =        "1024--1044",
4117   year =         "1928",
4118   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4119   author =       "O. V. Lossev",
4120 }
4121
4122 @Article{losev29,
4123   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4124   volume =       "30",
4125   pages =        "920--923",
4126   year =         "1929",
4127   author =       "O. V. Lossev",
4128 }
4129
4130 @Article{losev31,
4131   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4132   volume =       "32",
4133   pages =        "692--696",
4134   year =         "1931",
4135   author =       "O. V. Lossev",
4136 }
4137
4138 @Article{losev33,
4139   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4140   volume =       "34",
4141   pages =        "397--403",
4142   year =         "1933",
4143   author =       "O. V. Lossev",
4144 }
4145
4146 @Article{round07,
4147   title =        "A note on carborundum",
4148   journal =      "Electrical World",
4149   volume =       "49",
4150   pages =        "308",
4151   year =         "1907",
4152   author =       "H. J. Round",
4153 }
4154
4155 @Article{vashishath08,
4156   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4157   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4158   volume =       "2",
4159   number =       "03",
4160   pages =        "444--470",
4161   year =         "2008",
4162   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4163   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4164   notes =        "sic polytype electronic properties",
4165 }
4166
4167 @Article{nelson69,
4168   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4169   collaboration = "",
4170   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4171   publisher =    "AIP",
4172   year =         "1966",
4173   journal =      "Journal of Applied Physics",
4174   volume =       "37",
4175   number =       "1",
4176   pages =        "333--336",
4177   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4178   doi =          "10.1063/1.1707837",
4179   notes =        "sic melt growth",
4180 }
4181
4182 @Article{arkel25,
4183   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4184   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4185                  und Thoriummetall",
4186   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4187   year =         "1925",
4188   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4189   volume =       "148",
4190   pages =        "345--350",
4191   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4192   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4193   notes =        "van arkel apparatus",
4194 }
4195
4196 @Article{moers31,
4197   author =       "K. Moers",
4198   year =         "1931",
4199   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4200   volume =       "198",
4201   pages =        "293",
4202   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4203                  process",
4204 }
4205
4206 @Article{kendall53,
4207   author =       "J. T. Kendall",
4208   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4209   publisher =    "AIP",
4210   year =         "1953",
4211   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4212   volume =       "21",
4213   number =       "5",
4214   pages =        "821--827",
4215   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4216   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4217                  process",
4218 }
4219
4220 @Article{lely55,
4221   author =       "J. A. Lely",
4222   year =         "1955",
4223   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4224   volume =       "32",
4225   pages =        "229",
4226   notes =        "lely sublimation growth process",
4227 }
4228
4229 @Article{knippenberg63,
4230   author =       "W. F. Knippenberg",
4231   year =         "1963",
4232   journal =      "Philips Res. Repts.",
4233   volume =       "18",
4234   pages =        "161",
4235   notes =        "acheson process",
4236 }
4237
4238 @Article{hoffmann82,
4239   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4240                  Weyrich",
4241   collaboration = "",
4242   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4243                  improved external quantum efficiency",
4244   publisher =    "AIP",
4245   year =         "1982",
4246   journal =      "Journal of Applied Physics",
4247   volume =       "53",
4248   number =       "10",
4249   pages =        "6962--6967",
4250   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4251                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4252                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4253                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4254                  electroluminescence; spectra; current density;
4255                  optimization",
4256   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4257   doi =          "10.1063/1.330041",
4258   notes =        "blue led, sublimation process",
4259 }
4260
4261 @Article{neudeck95,
4262   author =       "Philip Neudeck",
4263   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4264                  Road 44135 Cleveland OH",
4265   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4266                  technology",
4267   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4268   publisher =    "Springer Boston",
4269   ISSN =         "0361-5235",
4270   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4271   pages =        "283--288",
4272   volume =       "24",
4273   issue =        "4",
4274   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4275   note =         "10.1007/BF02659688",
4276   year =         "1995",
4277   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4278 }
4279
4280 @Article{bhatnagar93,
4281   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4282   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4283   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4284                  devices",
4285   year =         "1993",
4286   month =        mar,
4287   volume =       "40",
4288   number =       "3",
4289   pages =        "645--655",
4290   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4291                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4292                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4293                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4294                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4295                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4296                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4297                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4298   doi =          "10.1109/16.199372",
4299   ISSN =         "0018-9383",
4300   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4301 }
4302
4303 @Article{neudeck94,
4304   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4305                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4306   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4307   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4308                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4309                  6{H}-Si{C} substrates",
4310   year =         "1994",
4311   month =        may,
4312   volume =       "41",
4313   number =       "5",
4314   pages =        "826--835",
4315   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4316                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4317                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4318                  properties;epitaxial layers;light
4319                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4320                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4321                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4322                  currents;power electronics;semiconductor
4323                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4324                  growth;semiconductor materials;silicon
4325                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4326                  phase epitaxial growth;",
4327   doi =          "10.1109/16.285038",
4328   ISSN =         "0018-9383",
4329   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4330                  substrate",
4331 }
4332
4333 @Article{schulze98,
4334   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4335   collaboration = "",
4336   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4337                  single crystals by physical vapor transport",
4338   publisher =    "AIP",
4339   year =         "1998",
4340   journal =      "Applied Physics Letters",
4341   volume =       "72",
4342   number =       "13",
4343   pages =        "1632--1634",
4344   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4345                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4346                  photoluminescence; Hall mobility",
4347   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4348   doi =          "10.1063/1.121136",
4349   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4350 }
4351
4352 @Article{pirouz87,
4353   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4354   collaboration = "",
4355   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4356   publisher =    "AIP",
4357   year =         "1987",
4358   journal =      "Applied Physics Letters",
4359   volume =       "50",
4360   number =       "4",
4361   pages =        "221--223",
4362   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4363                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4364                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4365                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4366                  BOUNDARIES",
4367   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4368   doi =          "10.1063/1.97667",
4369   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4370 }
4371
4372 @Article{shibahara86,
4373   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4374                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4375   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4376   volume =       "78",
4377   number =       "3",
4378   pages =        "538--544",
4379   year =         "1986",
4380   note =         "",
4381   ISSN =         "0022-0248",
4382   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4383   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4384   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4385                  Matsunami",
4386   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4387 }
4388
4389 @Article{desjardins96,
4390   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4391   collaboration = "",
4392   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4393   publisher =    "AIP",
4394   year =         "1996",
4395   journal =      "Journal of Applied Physics",
4396   volume =       "79",
4397   number =       "3",
4398   pages =        "1423--1434",
4399   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4400                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4401   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4402   doi =          "10.1063/1.360980",
4403   notes =        "apb model",
4404 }
4405
4406 @Article{henke95,
4407   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4408   collaboration = "",
4409   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4410                  carbonization of silicon",
4411   publisher =    "AIP",
4412   year =         "1995",
4413   journal =      "Journal of Applied Physics",
4414   volume =       "78",
4415   number =       "3",
4416   pages =        "2070--2073",
4417   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4418                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4419                  STRUCTURE",
4420   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4421   doi =          "10.1063/1.360184",
4422   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4423 }
4424
4425 @Article{fuyuki89,
4426   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4427                  {MBE} using surface superstructure",
4428   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4429   volume =       "95",
4430   number =       "1-4",
4431   pages =        "461--463",
4432   year =         "1989",
4433   note =         "",
4434   ISSN =         "0022-0248",
4435   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4436   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4437   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4438                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4439   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4440 }
4441
4442 @Article{yoshinobu92,
4443   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4444                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4445   collaboration = "",
4446   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4447                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4448                  molecular beam epitaxy",
4449   publisher =    "AIP",
4450   year =         "1992",
4451   journal =      "Applied Physics Letters",
4452   volume =       "60",
4453   number =       "7",
4454   pages =        "824--826",
4455   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4456                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4457                  INTERFACE STRUCTURE",
4458   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4459   doi =          "10.1063/1.107430",
4460   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4461 }
4462
4463 @Article{yoshinobu90,
4464   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4465                  cubic Si{C}",
4466   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4467   volume =       "99",
4468   number =       "1-4",
4469   pages =        "520--524",
4470   year =         "1990",
4471   note =         "",
4472   ISSN =         "0022-0248",
4473   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4474   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4475   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4476                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4477   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4478 }
4479
4480 @Article{fuyuki93,
4481   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4482                  superstructures in Si{C}",
4483   journal =      "Thin Solid Films",
4484   volume =       "225",
4485   number =       "1-2",
4486   pages =        "225--229",
4487   year =         "1993",
4488   note =         "",
4489   ISSN =         "0040-6090",
4490   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4491   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4492   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4493                  Matsunami",
4494   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4495                  epitaxy, ale",
4496 }
4497
4498 @Article{hara93,
4499   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4500                  growth of [beta]-Si{C}",
4501   journal =      "Thin Solid Films",
4502   volume =       "225",
4503   number =       "1-2",
4504   pages =        "240--243",
4505   year =         "1993",
4506   note =         "",
4507   ISSN =         "0040-6090",
4508   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4509   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4510   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4511                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4512   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4513                  epitaxy, ale",
4514 }
4515
4516 @Article{tanaka94,
4517   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4518   collaboration = "",
4519   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4520                  growth mode and polytype formation during gas-source
4521                  molecular beam epitaxy",
4522   publisher =    "AIP",
4523   year =         "1994",
4524   journal =      "Applied Physics Letters",
4525   volume =       "65",
4526   number =       "22",
4527   pages =        "2851--2853",
4528   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4529                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4530                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4531                  FLOW; FLOW RATE",
4532   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4533   doi =          "10.1063/1.112513",
4534   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4535 }
4536
4537 @Article{fuyuki97,
4538   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4539   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4540                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4541   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4542   year =         "1997",
4543   journal =      "physica status solidi (b)",
4544   volume =       "202",
4545   pages =        "359--378",
4546   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4547                  temperatures 750",
4548 }
4549
4550 @Article{takaoka98,
4551   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4552   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4553   volume =       "183",
4554   number =       "1-2",
4555   pages =        "175--182",
4556   year =         "1998",
4557   note =         "",
4558   ISSN =         "0022-0248",
4559   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4560   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4561   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4562   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4563   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4564   keywords =     "Silicon carbide",
4565   keywords =     "Silicon",
4566   keywords =     "Island growth",
4567   notes =        "lower temperature, 550-700",
4568 }
4569
4570 @Article{hatayama95,
4571   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4572                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4573                  molecular beam epitaxy",
4574   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4575   volume =       "150",
4576   number =       "Part 2",
4577   pages =        "934--938",
4578   year =         "1995",
4579   note =         "",
4580   ISSN =         "0022-0248",
4581   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4582   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4583   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4584                  and Hiroyuki Matsunami",
4585 }
4586
4587 @Article{heine91,
4588   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4589   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4590                  Metastable Cubic Form",
4591   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4592   volume =       "74",
4593   number =       "10",
4594   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4595   ISSN =         "1551-2916",
4596   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4597   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4598   pages =        "2630--2633",
4599   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4600                  calculations, stability",
4601   year =         "1991",
4602   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4603                  polytype dft calculation refs",
4604 }
4605
4606 @Article{allendorf91,
4607   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4608                  [beta]-silicon carbide",
4609   journal =      "Surface Science",
4610   volume =       "258",
4611   number =       "1-3",
4612   pages =        "177--189",
4613   year =         "1991",
4614   note =         "",
4615   ISSN =         "0039-6028",
4616   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4617   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4618   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4619   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4620 }
4621
4622 @Article{eaglesham93,
4623   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4624                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4625   collaboration = "",
4626   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4627   publisher =    "AIP",
4628   year =         "1993",
4629   journal =      "Journal of Applied Physics",
4630   volume =       "74",
4631   number =       "11",
4632   pages =        "6615--6618",
4633   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4634                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4635                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4636   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4637   doi =          "10.1063/1.355101",
4638   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4639                  mobility",
4640 }
4641
4642 @Article{newman85,
4643   author =       "Ronald C. Newman",
4644   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4645   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4646   volume =       "59",
4647   number =       "",
4648   pages =        "403",
4649   year =         "1985",
4650   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4651   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4652   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4653 }
4654
4655 @Article{newman61,
4656   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4657   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4658   volume =       "19",
4659   number =       "3-4",
4660   pages =        "230--234",
4661   year =         "1961",
4662   note =         "",
4663   ISSN =         "0022-3697",
4664   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4665   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4666   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4667   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4668 }
4669
4670 @Article{goesele85,
4671   author =       "U. Gösele",
4672   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4673   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4674   volume =       "59",
4675   number =       "",
4676   pages =        "419",
4677   year =         "1985",
4678   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4679   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4680   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4681 }
4682
4683 @Article{mukashev82,
4684   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4685   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4686                  Fukuoka and Haruo Saito",
4687   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4688   volume =       "21",
4689   number =       "Part 1, No. 2",
4690   pages =        "399--400",
4691   numpages =     "1",
4692   year =         "1982",
4693   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4694   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4695   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4696 }
4697
4698 @Article{puska98,
4699   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4700                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4701   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4702                  M. Nieminen",
4703   journal =      "Phys. Rev. B",
4704   volume =       "58",
4705   number =       "3",
4706   pages =        "1318--1325",
4707   numpages =     "7",
4708   year =         "1998",
4709   month =        jul,
4710   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4711   publisher =    "American Physical Society",
4712   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4713                  silicon",
4714 }
4715
4716 @Article{serre95,
4717   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4718                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4719                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4720   collaboration = "",
4721   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4722                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4723   publisher =    "AIP",
4724   year =         "1995",
4725   journal =      "Journal of Applied Physics",
4726   volume =       "77",
4727   number =       "7",
4728   pages =        "2978--2984",
4729   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4730                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4731                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4732                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4733   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4734   doi =          "10.1063/1.358714",
4735 }
4736
4737 @Article{romano-rodriguez96,
4738   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4739                  dose carbon ion implantation in silicon",
4740   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4741   volume =       "36",
4742   number =       "1-3",
4743   pages =        "282--285",
4744   year =         "1996",
4745   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4746                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4747                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4748                  Semiconductors",
4749   ISSN =         "0921-5107",
4750   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4751   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4752   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4753                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4754                  and W. Skorupa",
4755   keywords =     "Silicon",
4756   keywords =     "Ion implantation",
4757   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4758 }