bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 % molecular dynamics: basics / potential
   6
   7 @article{albe_sic_pot,
   8   author = {Paul Erhart and Karsten Albe},
   9   title = {Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon,
  10            and silicon carbide},
  11   publisher = {APS},
  12   year = {2005},
  13   journal = {Phys. Rev. B},
  14   volume = {71},
  15   number = {3},
  16   eid = {035211},
  17   numpages = {14},
  18   pages = {035211},
  19   notes = {alble reparametrization, analytical bond oder potential (ABOP)},
  20   keywords = {silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon compounds;
  21               wide band gap semiconductors; elasticity; enthalpy;
  22               point defects; crystallographic shear; atomic forces},
  23   url = {http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211},
  24   doi = {10.1103/PhysRevB.71.035211}
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title = {Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29            Analytical bond-order potential for platinum-carbon},
  30   author = {Albe, Karsten  and Nordlund, Kai  and Averback, Robert S.},
  31   journal = {Phys. Rev. B},
  32   volume = {65},
  33   number = {19},
  34   pages = {195124},
  35   numpages = {11},
  36   year = {2002},
  37   month = {May},
  38   doi = {10.1103/PhysRevB.65.195124},
  39   publisher = {American Physical Society},
  40   notes = {derivation of albe bond order formalism},
  41 }
  42
  43 @Article{koster2002,
  44   title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
  45   author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
  46   journal = {Phys. Rev. B},
  47   volume = {62},
  48   number = {16},
  49   pages = {11219--11224},
  50   numpages = {5},
  51   year = {2000},
  52   month = {Oct},
  53   doi = {10.1103/PhysRevB.62.11219},
  54   publisher = {American Physical Society},
  55   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  56 }
  57
  58 @Article{breadmore99,
  59   title = {Direct simulation of ion-beam-induced stressing
  60            and amorphization of silicon},
  61   author = {K. M. Beardmore, N. Gr\o{}nbech-Jensen},
  62   journal = {Phys. Rev. B},
  63   volume = {60},
  64   number = {18},
  65   pages = {12610--12616},
  66   numpages = {6},
  67   year = {1999},
  68   month = {Nov},
  69   doi = {10.1103/PhysRevB.60.12610},
  70   publisher = {American Physical Society},
  71   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  72 }
  73
  74 @Article{verlet67,
  75   title = {Computer "Experiments" on Classical Fluids. I. Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules},
  76   author = {Verlet, Loup },
  77   journal = {Phys. Rev.},
  78   volume = {159},
  79   number = {1},
  80   pages = {98},
  81   year = {1967},
  82   month = {Jul},
  83   doi = {10.1103/PhysRev.159.98},
  84   publisher = {American Physical Society},
  85   notes = {velocity verlet integration algorithm equation of motion}
  86 }
  87
  88 @Article{berendsen84,
  89   title = {Molecular dynamics with coupling to an external bath},
  90   author = {H. J. C. Berendsen},
  91   year = {1984},
  92   journal = {J. Chem. Phys.},
  93   volume = {81},
  94   pages = {3684},
  95   notes = {berendsen thermostat barostat}
  96 }
  97
  98 % molecular dynamics: applications
  99
 100 @Article{batra87,
 101   title = {Molecular-dynamics study of self-interstitials in silicon},
 102   author = {Inder P. Batra, Farid F. Abraham, S. Ciraci},
 103   journal = {Phys. Rev. B},
 104   volume = {35},
 105   number = {18},
 106   pages = {9552--9558},
 107   numpages = {6},
 108   year = {1987},
 109   month = {Jun},
 110   doi = {10.1103/PhysRevB.35.9552},
 111   publisher = {American Physical Society},
 112   notes = {selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 113            calculation of defect formation energy, defect interstitial types}
 114 }
 115
 116 @Article{schober89,
 117   title = {Extended interstitials in silicon and germanium},
 118   author = {H. R. Schober},
 119   journal = {Phys. Rev. B},
 120   volume = {39},
 121   number = {17},
 122   pages = {13013--13015},
 123   numpages = {2},
 124   year = {1989},
 125   month = {Jun},
 126   doi = {10.1103/PhysRevB.39.13013},
 127   publisher = {American Physical Society},
 128   notes = {stillinger-weber silicon 110 stable and metastable dumbbell
 129            configuration}
 130 }
 131
 132 % tight binding
 133
 134 @Article{tang97,
 135   title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 136            Tight-binding molecular dynamics studiesof self-diffusion,
 137            interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
 138   author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
 139   journal = {Phys. Rev. B},
 140   volume = {55},
 141   number = {21},
 142   pages = {14279--14289},
 143   numpages = {10},
 144   year = {1997},
 145   month = {Jun},
 146   doi = {10.1103/PhysRevB.55.14279},
 147   publisher = {American Physical Society},
 148   notes = {si self interstitial, diffusion, tbmd}
 149 }
 150
 151 @Article{tang97,
 152   title = {Tight-binding theory of native point defects in silicon},
 153   author = {L. Colombo},
 154   journal = {Annu. Rev. Mater. Res.},
 155   volume = {32},
 156   pages = {271--295},
 157   numpages = {25},
 158   year = {2002},
 159   doi = {10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036},
 160   publisher = {Annual Reviews},
 161   notes = {si self interstitial, tbmd, virial stress}
 162 }
 163
 164 % mixed
 165
 166 @Article{gao2001,
 167   title = {Ab initio and empirical-potential studies of defect properties
 168            in $3C-SiC$ },
 169   author = {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber, L. R. Corrales},
 170   journal = {Phys. Rev. B},
 171   volume = {64},
 172   number = {24},
 173   pages = {245208},
 174   numpages = {7},
 175   year = {2001},
 176   month = {Dec},
 177   doi = {10.1103/PhysRevB.64.245208},
 178   publisher = {American Physical Society},
 179   notes = {defects in 3c-sic}
 180 }
 181
 182 % ab initio
 183
 184 @Article{leung99,
 185   title = {Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects},
 186   author = {Leung, W.-K.  and Needs, R. J. and Rajagopal, G.  and
 187             Itoh, S.  and Ihara, S. },
 188   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 189   volume = {83},
 190   number = {12},
 191   pages = {2351--2354},
 192   numpages = {3},
 193   year = {1999},
 194   month = {Sep},
 195   doi = {10.1103/PhysRevLett.83.2351},
 196   publisher = {American Physical Society},
 197   notes = {nice images of the defects}
 198 }
 199
 200 @Article{PhysRevB.50.7439,
 201   title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
 202            in silicon},
 203   author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
 204   journal = {Phys. Rev. B},
 205   volume = {50},
 206   number = {11},
 207   pages = {7439--7442},
 208   numpages = {3},
 209   year = {1994},
 210   month = {Sep},
 211   doi = {10.1103/PhysRevB.50.7439},
 212   publisher = {American Physical Society},
 213   notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
 214 }
 215
 216 % experimental stuff
 217
 218 @Article{watkins76,
 219   title = {EPR Observation of the Isolated Interstitial Carbon Atom in Silicon},
 220   author = {G. D. Watkins and K. L. Brower},
 221   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 222   volume = {36},
 223   number = {22},
 224   pages = {1329--1332},
 225   numpages = {3},
 226   year = {1976},
 227   month = {May},
 228   doi = {10.1103/PhysRevLett.36.1329},
 229   publisher = {American Physical Society},
 230   notes = {epr observations of 100 interstitial carbon atom in silicon}
 231 }
 232
 233 @Article{PhysRevB.42.5759,
 234   title = {EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon},
 235   author = {L. W. Song, G. D. Watkins},
 236   journal = {Phys. Rev. B},
 237   volume = {42},
 238   number = {9},
 239   pages = {5759--5764},
 240   numpages = {5},
 241   year = {1990},
 242   month = {Sep},
 243   doi = {10.1103/PhysRevB.42.5759},
 244   publisher = {American Physical Society}
 245 }
 246
 247 % my own publications
 248
 249 @article{zirkelbach2007,
 250   title = {Monte Carlo simulation study of a selforganisation process
 251            leading to ordered precipitate structures},
 252   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 253   journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
 254   volume = {257},
 255   number = {1--2},
 256   pages = {75--79},
 257   numpages = {5},
 258   year = {2007},
 259   month = {Apr},
 260   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118},
 261   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 262 }
 263
 264 @article{zirkelbach2006,
 265   title = {Monte-Carlo simulation study of the self-organization of nanometric
 266            amorphous precipitates in regular arrays during ion irradiation},
 267   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 268   journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
 269   volume = {242},
 270   number = {1--2},
 271   pages = {679--682},
 272   numpages = {4},
 273   year = {2006},
 274   month = {Jan},
 275   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162},
 276   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 277 }
 278
 279 @article{zirkelbach2005,
 280   title = {Modelling of a selforganization process leading to periodic arrays
 281            of nanometric amorphous precipitates by ion irradiation},
 282   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 283   journal = {Comp. Mater. Sci.},
 284   volume = {33},
 285   number = {1--3},
 286   pages = {310--316},
 287   numpages = {7},
 288   year = {2005},
 289   month = {Apr},
 290   doi = {doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016},
 291   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 292 }
 293