bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies",
  91 }
  92
  93 @Book{laplace,
  94   author =       "P. S. de Laplace",
  95   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  96   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  97   volume =       "VII",
  98   publisher =    "Gauthier-Villars",
  99   year =         "1820",
 100 }
 101
 102 @Article{mattoni2007,
 103   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 104   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 105                  materials}",
 106   journal =      "Phys. Rev. B",
 107   year =         "2007",
 108   month =        dec,
 109   volume =       "76",
 110   number =       "22",
 111   pages =        "224103",
 112   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 113   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 114                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 115                  fracture, more available potentials, universal energy
 116                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 117 }
 118
 119 @Article{balamane92,
 120   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 121                  potentials",
 122   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 123   journal =      "Phys. Rev. B",
 124   volume =       "46",
 125   number =       "4",
 126   pages =        "2250--2279",
 127   numpages =     "29",
 128   year =         "1992",
 129   month =        jul,
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 131   publisher =    "American Physical Society",
 132   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 133 }
 134
 135 @Article{koster2002,
 136   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 137                  bombardment",
 138   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 139   journal =      "Phys. Rev. B",
 140   volume =       "62",
 141   number =       "16",
 142   pages =        "11219--11224",
 143   numpages =     "5",
 144   year =         "2000",
 145   month =        oct,
 146   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 147   publisher =    "American Physical Society",
 148   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 149 }
 150
 151 @Article{breadmore99,
 152   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 153                  amorphization of silicon",
 154   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 155   journal =      "Phys. Rev. B",
 156   volume =       "60",
 157   number =       "18",
 158   pages =        "12610--12616",
 159   numpages =     "6",
 160   year =         "1999",
 161   month =        nov,
 162   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 163   publisher =    "American Physical Society",
 164   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 165 }
 166
 167 @Article{moissan04,
 168   author =       "Henri Moissan",
 169   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 170                  Diablo",
 171   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 172   volume =       "139",
 173   pages =        "773--786",
 174   year =         "1904",
 175 }
 176
 177 @Book{park98,
 178   author =       "Y. S. Park",
 179   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 180   publisher =    "Academic Press",
 181   address =      "San Diego",
 182   year =         "1998",
 183 }
 184
 185 @Article{tsvetkov98,
 186   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 187                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 188   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 189   journal =      "Materials Science Forum",
 190   volume =       "264-268",
 191   pages =        "3--8",
 192   year =         "1998",
 193   notes =        "modified lely process, micropipes",
 194 }
 195
 196 @Article{verlet67,
 197   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 198                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 199   author =       "Loup Verlet",
 200   journal =      "Phys. Rev.",
 201   volume =       "159",
 202   number =       "1",
 203   pages =        "98",
 204   year =         "1967",
 205   month =        jul,
 206   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 207   publisher =    "American Physical Society",
 208   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 209                  motion",
 210 }
 211
 212 @Article{berendsen84,
 213   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 214                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 215   collaboration = "",
 216   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 217   publisher =    "AIP",
 218   year =         "1984",
 219   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 220   volume =       "81",
 221   number =       "8",
 222   pages =        "3684--3690",
 223   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 224                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 225   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 226   doi =          "10.1063/1.448118",
 227   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 228 }
 229
 230 @Article{huang95,
 231   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 232                  Baskes",
 233   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 234                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 235                  potentials",
 236   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 237                  Engineering",
 238   volume =       "3",
 239   number =       "5",
 240   pages =        "615--627",
 241   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 242   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 243                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 244   year =         "1995",
 245 }
 246
 247 @Article{brenner89,
 248   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 249                  Tersoff potentials",
 250   author =       "Donald W. Brenner",
 251   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 252   volume =       "63",
 253   number =       "9",
 254   pages =        "1022",
 255   numpages =     "1",
 256   year =         "1989",
 257   month =        aug,
 258   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 259   publisher =    "American Physical Society",
 260   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 261 }
 262
 263 @Article{batra87,
 264   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 265                  silicon",
 266   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 267   journal =      "Phys. Rev. B",
 268   volume =       "35",
 269   number =       "18",
 270   pages =        "9552--9558",
 271   numpages =     "6",
 272   year =         "1987",
 273   month =        jun,
 274   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 275   publisher =    "American Physical Society",
 276   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 277                  calculation of defect formation energy, defect
 278                  interstitial types",
 279 }
 280
 281 @Article{schober89,
 282   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 283   author =       "H. R. Schober",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "39",
 286   number =       "17",
 287   pages =        "13013--13015",
 288   numpages =     "2",
 289   year =         "1989",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 294                  dumbbell configuration",
 295 }
 296
 297 @Article{gao02,
 298   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 299                  Defect accumulation, topological features, and
 300                  disordering",
 301   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 302   journal =      "Phys. Rev. B",
 303   volume =       "66",
 304   number =       "2",
 305   pages =        "024106",
 306   numpages =     "10",
 307   year =         "2002",
 308   month =        jul,
 309   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 310   publisher =    "American Physical Society",
 311   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 312                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 313                  result analyze",
 314 }
 315
 316 @Article{devanathan98,
 317   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 318                  cascade in Si{C}",
 319   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 320                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 321   volume =       "141",
 322   number =       "1-4",
 323   pages =        "118--122",
 324   year =         "1998",
 325   ISSN =         "0168-583X",
 326   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 327   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 328                  Rubia",
 329   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 330                  3c-sic",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98_2,
 334   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 335   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 336   volume =       "253",
 337   number =       "1-3",
 338   pages =        "47--52",
 339   year =         "1998",
 340   ISSN =         "0022-3115",
 341   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 342   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 343                  Weber",
 344   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 345                  tersoff",
 346 }
 347
 348 @Article{kitabatake00,
 349   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 350   author =       "M. Kitabatake",
 351   journal =      "Thin Solid Films",
 352   volume =       "369",
 353   pages =        "257--264",
 354   numpages =     "8",
 355   year =         "2000",
 356   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 357 }
 358
 359 @Article{tang97,
 360   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 361                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 362                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 363                  formation volumes",
 364   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 365                  Rubia",
 366   journal =      "Phys. Rev. B",
 367   volume =       "55",
 368   number =       "21",
 369   pages =        "14279--14289",
 370   numpages =     "10",
 371   year =         "1997",
 372   month =        jun,
 373   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 374   publisher =    "American Physical Society",
 375   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 376 }
 377
 378 @Article{bar-yam84,
 379   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 380                  Self-Interstitial",
 381   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 382   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 383   volume =       "52",
 384   number =       "13",
 385   pages =        "1129--1132",
 386   numpages =     "3",
 387   year =         "1984",
 388   month =        mar,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 392 }
 393
 394 @Article{colombo02,
 395   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 396                  silicon",
 397   author =       "L. Colombo",
 398   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 399   volume =       "32",
 400   pages =        "271--295",
 401   numpages =     "25",
 402   year =         "2002",
 403   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 404   publisher =    "Annual Reviews",
 405   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 406 }
 407
 408 @Article{al-mushadani03,
 409   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 410                  silicon",
 411   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "68",
 414   number =       "23",
 415   pages =        "235205",
 416   numpages =     "8",
 417   year =         "2003",
 418   month =        dec,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 422                  silicon, si self interstitials, free energy",
 423 }
 424
 425 @Article{ma10,
 426   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 427                  wide temperature range: Point defect states and
 428                  migration mechanisms",
 429   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 430   journal =      "Phys. Rev. B",
 431   volume =       "81",
 432   number =       "19",
 433   pages =        "193203",
 434   numpages =     "4",
 435   year =         "2010",
 436   month =        may,
 437   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 438   publisher =    "American Physical Society",
 439   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 440 }
 441
 442 @Article{posselt08,
 443   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 444                  migration mechanisms of vacancies and
 445                  self-interstitials: An atomistic study",
 446   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 447   journal =      "Phys. Rev. B",
 448   volume =       "78",
 449   number =       "3",
 450   pages =        "035208",
 451   numpages =     "9",
 452   year =         "2008",
 453   month =        jul,
 454   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 455   publisher =    "American Physical Society",
 456   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 457                  weber and tersoff",
 458 }
 459
 460 @Article{gao2001,
 461   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 462                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 463   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 464                  Corrales",
 465   journal =      "Phys. Rev. B",
 466   volume =       "64",
 467   number =       "24",
 468   pages =        "245208",
 469   numpages =     "7",
 470   year =         "2001",
 471   month =        dec,
 472   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 473   publisher =    "American Physical Society",
 474   notes =        "defects in 3c-sic",
 475 }
 476
 477 @Article{mattoni2002,
 478   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 479                  crystalline silicon",
 480   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 481   journal =      "Phys. Rev. B",
 482   volume =       "66",
 483   number =       "19",
 484   pages =        "195214",
 485   numpages =     "6",
 486   year =         "2002",
 487   month =        nov,
 488   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 489   publisher =    "American Physical Society",
 490   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 491                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 492                  tersoff suitability",
 493 }
 494
 495 @Article{leung99,
 496   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 497   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 498                  Itoh and S. Ihara",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "83",
 501   number =       "12",
 502   pages =        "2351--2354",
 503   numpages =     "3",
 504   year =         "1999",
 505   month =        sep,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 509                  refs",
 510 }
 511
 512 @Article{capaz94,
 513   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 514                  carbon in silicon",
 515   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "50",
 518   number =       "11",
 519   pages =        "7439--7442",
 520   numpages =     "3",
 521   year =         "1994",
 522   month =        sep,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 526                  dumbbell",
 527 }
 528
 529 @Article{dal_pino93,
 530   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 531                  silicon",
 532   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 533                  Joannopoulos",
 534   journal =      "Phys. Rev. B",
 535   volume =       "47",
 536   number =       "19",
 537   pages =        "12554--12557",
 538   numpages =     "3",
 539   year =         "1993",
 540   month =        may,
 541   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 542   publisher =    "American Physical Society",
 543   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 544 }
 545
 546 @Article{car84,
 547   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 548                  Silicon",
 549   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 550                  Sokrates T. Pantelides",
 551   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 552   volume =       "52",
 553   number =       "20",
 554   pages =        "1814--1817",
 555   numpages =     "3",
 556   year =         "1984",
 557   month =        may,
 558   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 559   publisher =    "American Physical Society",
 560   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 561                  path formation",
 562 }
 563
 564 @Article{car85,
 565   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 566                  Density-Functional Theory",
 567   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 568   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 569   volume =       "55",
 570   number =       "22",
 571   pages =        "2471--2474",
 572   numpages =     "3",
 573   year =         "1985",
 574   month =        nov,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 578 }
 579
 580 @Article{kelires97,
 581   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 582                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 583   author =       "P. C. Kelires",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "55",
 586   number =       "14",
 587   pages =        "8784--8787",
 588   numpages =     "3",
 589   year =         "1997",
 590   month =        apr,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 594                  neighbour dist",
 595 }
 596
 597 @Article{kelires95,
 598   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 599                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 600   author =       "P. C. Kelires",
 601   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 602   volume =       "75",
 603   number =       "6",
 604   pages =        "1114--1117",
 605   numpages =     "3",
 606   year =         "1995",
 607   month =        aug,
 608   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 609   publisher =    "American Physical Society",
 610   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 611 }
 612
 613 @Article{bean70,
 614   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 615                  containing carbon",
 616   journal =      "Solid State Communications",
 617   volume =       "8",
 618   number =       "3",
 619   pages =        "175--177",
 620   year =         "1970",
 621   note =         "",
 622   ISSN =         "0038-1098",
 623   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 624   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 625   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 626 }
 627
 628 @Article{watkins76,
 629   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 630                  Atom in Silicon",
 631   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 632   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 633   volume =       "36",
 634   number =       "22",
 635   pages =        "1329--1332",
 636   numpages =     "3",
 637   year =         "1976",
 638   month =        may,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 642                  silicon",
 643 }
 644
 645 @Article{song90,
 646   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 647                  interstitial carbon in silicon",
 648   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 649   journal =      "Phys. Rev. B",
 650   volume =       "42",
 651   number =       "9",
 652   pages =        "5759--5764",
 653   numpages =     "5",
 654   year =         "1990",
 655   month =        sep,
 656   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 657   publisher =    "American Physical Society",
 658   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 659 }
 660
 661 @Article{tipping87,
 662   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 663   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 664                  silicon",
 665   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 666   volume =       "2",
 667   number =       "5",
 668   pages =        "315--317",
 669   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 670   year =         "1987",
 671   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 672                  silicon",
 673 }
 674
 675 @Article{strane96,
 676   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 677                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 678   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 679                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 680   journal =      "J. Appl. Phys.",
 681   volume =       "79",
 682   pages =        "637",
 683   year =         "1996",
 684   month =        jan,
 685   doi =          "10.1063/1.360806",
 686   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 687 }
 688
 689 @Article{laveant2002,
 690   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 691   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 692   volume =       "89",
 693   number =       "1-3",
 694   pages =        "241--245",
 695   year =         "2002",
 696   ISSN =         "0921-5107",
 697   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 698   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 699   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 700                  G{\"{o}}sele",
 701   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 702                  stress, avoid sic precipitation",
 703 }
 704
 705 @Article{werner97,
 706   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 707                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 708   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 709                  silicon by transmission electron microscopy",
 710   publisher =    "AIP",
 711   year =         "1997",
 712   journal =      "Applied Physics Letters",
 713   volume =       "70",
 714   number =       "2",
 715   pages =        "252--254",
 716   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 717                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 718                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 719                  layers; precipitation",
 720   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 721   doi =          "10.1063/1.118381",
 722   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 723                  precipitate",
 724 }
 725
 726 @InProceedings{werner96,
 727   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 728                  Eichler",
 729   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 730                  International Conference on",
 731   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 732                  implanted silicon",
 733   year =         "1996",
 734   month =        jun,
 735   volume =       "",
 736   number =       "",
 737   pages =        "675--678",
 738   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 739                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 740                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 741                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 742                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 743                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 744                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 745                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 746                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 747                  interactions;ion implantation;positron
 748                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 749                  annealing;secondary ion mass
 750                  spectra;silicon;transmission electron
 751                  microscopy;vacancies (crystal);",
 752   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 753   ISSN =         "",
 754   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 755 }
 756
 757 @Article{strane94,
 758   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 759                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 760   collaboration = "",
 761   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 762                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 763   publisher =    "AIP",
 764   year =         "1994",
 765   journal =      "Journal of Applied Physics",
 766   volume =       "76",
 767   number =       "6",
 768   pages =        "3656--3668",
 769   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 770   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 771   doi =          "10.1063/1.357429",
 772   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 773 }
 774
 775 @Article{edgar92,
 776   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 777                  semiconductors",
 778   author =       "J. H. Edgar",
 779   journal =      "J. Mater. Res.",
 780   volume =       "7",
 781   pages =        "235",
 782   year =         "1992",
 783   month =        jan,
 784   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 785   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 786                  polytypes",
 787 }
 788
 789 @Article{zirkelbach2007,
 790   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 791                  process leading to ordered precipitate structures",
 792   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 793                  and B. Stritzker",
 794   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 795   volume =       "257",
 796   number =       "1--2",
 797   pages =        "75--79",
 798   numpages =     "5",
 799   year =         "2007",
 800   month =        apr,
 801   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 802   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 803                  NETHERLANDS",
 804 }
 805
 806 @Article{zirkelbach2006,
 807   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 808                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 809                  during ion irradiation",
 810   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 811                  and B. Stritzker",
 812   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 813   volume =       "242",
 814   number =       "1--2",
 815   pages =        "679--682",
 816   numpages =     "4",
 817   year =         "2006",
 818   month =        jan,
 819   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 820   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 821                  NETHERLANDS",
 822 }
 823
 824 @Article{zirkelbach2005,
 825   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 826                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 827                  ion irradiation",
 828   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 829                  and B. Stritzker",
 830   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 831   volume =       "33",
 832   number =       "1--3",
 833   pages =        "310--316",
 834   numpages =     "7",
 835   year =         "2005",
 836   month =        apr,
 837   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 838   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 839                  NETHERLANDS",
 840 }
 841
 842 @Article{lindner99,
 843   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 844                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 845                  layers in silicon",
 846   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 847                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 848   volume =       "147",
 849   number =       "1-4",
 850   pages =        "249--255",
 851   year =         "1999",
 852   note =         "",
 853   ISSN =         "0168-583X",
 854   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 855   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 856   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 857   notes =        "two-step implantation process",
 858 }
 859
 860 @Article{lindner99_2,
 861   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 862                  in silicon",
 863   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 864                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 865   volume =       "148",
 866   number =       "1-4",
 867   pages =        "528--533",
 868   year =         "1999",
 869   ISSN =         "0168-583X",
 870   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 871   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 872   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 873   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
 874 }
 875
 876 @Article{lindner01,
 877   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 878                  Basic physical processes",
 879   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 880                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 881   volume =       "178",
 882   number =       "1-4",
 883   pages =        "44--54",
 884   year =         "2001",
 885   note =         "",
 886   ISSN =         "0168-583X",
 887   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 888   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 889   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
 890 }
 891
 892 @Article{lindner02,
 893   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 894                  fundamental studies for new technological tricks",
 895   author =       "J. K. N. Lindner",
 896   journal =      "Appl. Phys. A",
 897   volume =       "77",
 898   pages =        "27--38",
 899   year =         "2003",
 900   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 901   notes =        "ibs, burried sic layers",
 902 }
 903
 904 @Article{ito04,
 905   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
 906                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
 907                  growth",
 908   journal =      "Applied Surface Science",
 909   volume =       "238",
 910   number =       "1-4",
 911   pages =        "159--164",
 912   year =         "2004",
 913   note =         "APHYS'03 Special Issue",
 914   ISSN =         "0169-4332",
 915   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
 916   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
 917   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
 918                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
 919   notes =        "gan on 3c-sic",
 920 }
 921
 922 @Article{alder57,
 923   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 924   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 925   publisher =    "AIP",
 926   year =         "1957",
 927   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 928   volume =       "27",
 929   number =       "5",
 930   pages =        "1208--1209",
 931   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 932   doi =          "10.1063/1.1743957",
 933 }
 934
 935 @Article{alder59,
 936   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 937   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 938   publisher =    "AIP",
 939   year =         "1959",
 940   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 941   volume =       "31",
 942   number =       "2",
 943   pages =        "459--466",
 944   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 945   doi =          "10.1063/1.1730376",
 946 }
 947
 948 @Article{tersoff_si1,
 949   title =        "New empirical model for the structural properties of
 950                  silicon",
 951   author =       "J. Tersoff",
 952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 953   volume =       "56",
 954   number =       "6",
 955   pages =        "632--635",
 956   numpages =     "3",
 957   year =         "1986",
 958   month =        feb,
 959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 960   publisher =    "American Physical Society",
 961 }
 962
 963 @Article{tersoff_si2,
 964   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 965                  covalent systems",
 966   author =       "J. Tersoff",
 967   journal =      "Phys. Rev. B",
 968   volume =       "37",
 969   number =       "12",
 970   pages =        "6991--7000",
 971   numpages =     "9",
 972   year =         "1988",
 973   month =        apr,
 974   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 975   publisher =    "American Physical Society",
 976 }
 977
 978 @Article{tersoff_si3,
 979   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 980                  improved elastic properties",
 981   author =       "J. Tersoff",
 982   journal =      "Phys. Rev. B",
 983   volume =       "38",
 984   number =       "14",
 985   pages =        "9902--9905",
 986   numpages =     "3",
 987   year =         "1988",
 988   month =        nov,
 989   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 990   publisher =    "American Physical Society",
 991 }
 992
 993 @Article{tersoff_c,
 994   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 995                  Applications to Amorphous Carbon",
 996   author =       "J. Tersoff",
 997   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 998   volume =       "61",
 999   number =       "25",
1000   pages =        "2879--2882",
1001   numpages =     "3",
1002   year =         "1988",
1003   month =        dec,
1004   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1005   publisher =    "American Physical Society",
1006 }
1007
1008 @Article{tersoff_m,
1009   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1010                  for multicomponent systems",
1011   author =       "J. Tersoff",
1012   journal =      "Phys. Rev. B",
1013   volume =       "39",
1014   number =       "8",
1015   pages =        "5566--5568",
1016   numpages =     "2",
1017   year =         "1989",
1018   month =        mar,
1019   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1020   publisher =    "American Physical Society",
1021 }
1022
1023 @Article{tersoff90,
1024   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1025   author =       "J. Tersoff",
1026   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1027   volume =       "64",
1028   number =       "15",
1029   pages =        "1757--1760",
1030   numpages =     "3",
1031   year =         "1990",
1032   month =        apr,
1033   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1034   publisher =    "American Physical Society",
1035 }
1036
1037 @Article{fahey89,
1038   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1039   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1040   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1041   volume =       "61",
1042   number =       "2",
1043   pages =        "289--384",
1044   numpages =     "95",
1045   year =         "1989",
1046   month =        apr,
1047   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1048   publisher =    "American Physical Society",
1049 }
1050
1051 @Article{wesch96,
1052   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1053   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1054                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1055   volume =       "116",
1056   number =       "1-4",
1057   pages =        "305--321",
1058   year =         "1996",
1059   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1060   ISSN =         "0168-583X",
1061   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1062   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1063   author =       "W. Wesch",
1064 }
1065
1066 @Article{morkoc94,
1067   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1068                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1069   collaboration = "",
1070   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1071                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1072   publisher =    "AIP",
1073   year =         "1994",
1074   journal =      "Journal of Applied Physics",
1075   volume =       "76",
1076   number =       "3",
1077   pages =        "1363--1398",
1078   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1079                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1080                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1081                  FILMS; INDUSTRY",
1082   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1083   doi =          "10.1063/1.358463",
1084 }
1085
1086 @Article{foo,
1087   author =       "Noch Unbekannt",
1088   title =        "How to find references",
1089   journal =      "Journal of Applied References",
1090   year =         "2009",
1091   volume =       "77",
1092   pages =        "1--23",
1093 }
1094
1095 @Article{tang95,
1096   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1097                  \beta{}-Si{C}",
1098   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1099   journal =      "Phys. Rev. B",
1100   volume =       "52",
1101   number =       "21",
1102   pages =        "15150--15159",
1103   numpages =     "9",
1104   year =         "1995",
1105   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1106   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1107                  tersoff reparametrization",
1108   publisher =    "American Physical Society",
1109 }
1110
1111 @Article{sarro00,
1112   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1113   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1114   volume =       "82",
1115   number =       "1-3",
1116   pages =        "210--218",
1117   year =         "2000",
1118   ISSN =         "0924-4247",
1119   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1120   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1121   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1122   keywords =     "MEMS",
1123   keywords =     "Silicon carbide",
1124   keywords =     "Micromachining",
1125   keywords =     "Mechanical stress",
1126 }
1127
1128 @Article{casady96,
1129   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1130                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1131                  review",
1132   journal =      "Solid-State Electronics",
1133   volume =       "39",
1134   number =       "10",
1135   pages =        "1409--1422",
1136   year =         "1996",
1137   ISSN =         "0038-1101",
1138   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1139   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1140   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1141 }
1142
1143 @Article{giancarli98,
1144   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1145                  structural material in fusion power reactor blankets",
1146   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1147   volume =       "41",
1148   number =       "1-4",
1149   pages =        "165--171",
1150   year =         "1998",
1151   ISSN =         "0920-3796",
1152   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1153   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1154   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1155                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1156 }
1157
1158 @Article{pensl93,
1159   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1160   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1161   volume =       "185",
1162   number =       "1-4",
1163   pages =        "264--283",
1164   year =         "1993",
1165   ISSN =         "0921-4526",
1166   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1167   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1168   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1169 }
1170
1171 @Article{tairov78,
1172   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1173                  carbide single crystals",
1174   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1175   volume =       "43",
1176   number =       "2",
1177   pages =        "209--212",
1178   year =         "1978",
1179   notes =        "modifief lely process",
1180   ISSN =         "0022-0248",
1181   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1182   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1183   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1184 }
1185
1186 @Article{nishino83,
1187   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1188                  Will",
1189   collaboration = "",
1190   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1191                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1192   publisher =    "AIP",
1193   year =         "1983",
1194   journal =      "Applied Physics Letters",
1195   volume =       "42",
1196   number =       "5",
1197   pages =        "460--462",
1198   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1199                  monocrystals",
1200   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1201   doi =          "10.1063/1.93970",
1202   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1203 }
1204
1205 @Article{nishino87,
1206   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1207                  and Hiroyuki Matsunami",
1208   collaboration = "",
1209   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1210                  Si{C} on silicon",
1211   publisher =    "AIP",
1212   year =         "1987",
1213   journal =      "Journal of Applied Physics",
1214   volume =       "61",
1215   number =       "10",
1216   pages =        "4889--4893",
1217   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1218   doi =          "10.1063/1.338355",
1219   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1220                  carbonization",
1221 }
1222
1223 @Article{powell87,
1224   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1225                  Kuczmarski",
1226   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1227                  Single-Crystal Films on Si",
1228   publisher =    "ECS",
1229   year =         "1987",
1230   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1231   volume =       "134",
1232   number =       "6",
1233   pages =        "1558--1565",
1234   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1235                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1236   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1237   doi =          "10.1149/1.2100708",
1238   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1239 }
1240
1241 @Article{kimoto93,
1242   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1243                  and Hiroyuki Matsunami",
1244   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1245                  epitaxy",
1246   publisher =    "AIP",
1247   year =         "1993",
1248   journal =      "Journal of Applied Physics",
1249   volume =       "73",
1250   number =       "2",
1251   pages =        "726--732",
1252   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1253                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1254                  VAPOR DEPOSITION",
1255   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1256   doi =          "10.1063/1.353329",
1257   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1258 }
1259
1260 @Article{powell90,
1261   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1262                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1263                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1264   collaboration = "",
1265   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1266                  6{H}-Si{C} substrates",
1267   publisher =    "AIP",
1268   year =         "1990",
1269   journal =      "Applied Physics Letters",
1270   volume =       "56",
1271   number =       "14",
1272   pages =        "1353--1355",
1273   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1274                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1275                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1276                  PHASE EPITAXY",
1277   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1278   doi =          "10.1063/1.102512",
1279   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1280 }
1281
1282 @Article{yuan95,
1283   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1284                  Thokala and M. J. Loboda",
1285   collaboration = "",
1286   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1287                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1288                  silacyclobutane",
1289   publisher =    "AIP",
1290   year =         "1995",
1291   journal =      "Journal of Applied Physics",
1292   volume =       "78",
1293   number =       "2",
1294   pages =        "1271--1273",
1295   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1296                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1297                  SPECTROPHOTOMETRY",
1298   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1299   doi =          "10.1063/1.360368",
1300   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1301 }
1302
1303 @Article{fissel95,
1304   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1305                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1306                  molecular beam epitaxy",
1307   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1308   volume =       "154",
1309   number =       "1-2",
1310   pages =        "72--80",
1311   year =         "1995",
1312   ISSN =         "0022-0248",
1313   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1314   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1315   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1316                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1317   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1318 }
1319
1320 @Article{fissel95_apl,
1321   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1322   collaboration = "",
1323   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1324                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1325   publisher =    "AIP",
1326   year =         "1995",
1327   journal =      "Applied Physics Letters",
1328   volume =       "66",
1329   number =       "23",
1330   pages =        "3182--3184",
1331   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1332                  RHEED; NUCLEATION",
1333   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1334   doi =          "10.1063/1.113716",
1335   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1336 }
1337
1338 @Article{borders71,
1339   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1340   collaboration = "",
1341   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1342                  {IMPLANTATION}",
1343   publisher =    "AIP",
1344   year =         "1971",
1345   journal =      "Applied Physics Letters",
1346   volume =       "18",
1347   number =       "11",
1348   pages =        "509--511",
1349   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1350   doi =          "10.1063/1.1653516",
1351   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1352                  ideas",
1353 }
1354
1355 @Article{reeson87,
1356   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1357                  J. Davis and G. E. Celler",
1358   collaboration = "",
1359   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1360                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1361   publisher =    "AIP",
1362   year =         "1987",
1363   journal =      "Applied Physics Letters",
1364   volume =       "51",
1365   number =       "26",
1366   pages =        "2242--2244",
1367   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1368                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1369   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1370   doi =          "10.1063/1.98953",
1371   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1372 }
1373
1374 @Article{scace59,
1375   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1376   collaboration = "",
1377   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1378   publisher =    "AIP",
1379   year =         "1959",
1380   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1381   volume =       "30",
1382   number =       "6",
1383   pages =        "1551--1555",
1384   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1385   doi =          "10.1063/1.1730236",
1386   notes =        "solubility of c in c-si",
1387 }
1388
1389 @Article{cowern96,
1390   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1391                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1392   collaboration = "",
1393   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1394                  {B} in silicon",
1395   publisher =    "AIP",
1396   year =         "1996",
1397   journal =      "Applied Physics Letters",
1398   volume =       "68",
1399   number =       "8",
1400   pages =        "1150--1152",
1401   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1402                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1403                  SILICON",
1404   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1405   doi =          "10.1063/1.115706",
1406   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1407 }
1408
1409 @Article{stolk95,
1410   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1411                  of the silicon self-interstitial",
1412   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1413                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1414   volume =       "96",
1415   number =       "1-2",
1416   pages =        "187--195",
1417   year =         "1995",
1418   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1419                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1420   ISSN =         "0168-583X",
1421   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1422   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1423   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1424                  and J. M. Poate",
1425 }
1426
1427 @Article{stolk97,
1428   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1429                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1430                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1431                  E. Haynes",
1432   collaboration = "",
1433   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1434                  diffusion in ion-implanted silicon",
1435   publisher =    "AIP",
1436   year =         "1997",
1437   journal =      "Journal of Applied Physics",
1438   volume =       "81",
1439   number =       "9",
1440   pages =        "6031--6050",
1441   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1442   doi =          "10.1063/1.364452",
1443   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1444 }
1445
1446 @Article{powell94,
1447   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1448   collaboration = "",
1449   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1450                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1451   publisher =    "AIP",
1452   year =         "1994",
1453   journal =      "Applied Physics Letters",
1454   volume =       "64",
1455   number =       "3",
1456   pages =        "324--326",
1457   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1458                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1459                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1460                  SYNTHESIS",
1461   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1462   doi =          "10.1063/1.111195",
1463   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1464 }
1465
1466 @Article{soref91,
1467   author =       "Richard A. Soref",
1468   collaboration = "",
1469   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1470                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1471   publisher =    "AIP",
1472   year =         "1991",
1473   journal =      "Journal of Applied Physics",
1474   volume =       "70",
1475   number =       "4",
1476   pages =        "2470--2472",
1477   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1478                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1479                  TERNARY ALLOYS",
1480   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1481   doi =          "10.1063/1.349403",
1482   notes =        "band gap of strained si by c",
1483 }
1484
1485 @Article{kasper91,
1486   author =       "E Kasper",
1487   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1488                  possibility to produce direct band gap material",
1489   journal =      "Physica Scripta",
1490   volume =       "T35",
1491   pages =        "232--236",
1492   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1493   year =         "1991",
1494   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1495                  quasi-direct one",
1496 }
1497
1498 @Article{osten99,
1499   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1500   collaboration = "",
1501   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1502                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1503                  molecular beam epitaxy",
1504   publisher =    "AIP",
1505   year =         "1999",
1506   journal =      "Applied Physics Letters",
1507   volume =       "74",
1508   number =       "6",
1509   pages =        "836--838",
1510   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1511                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1512                  compounds",
1513   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1514   doi =          "10.1063/1.123384",
1515   notes =        "substitutional c in si",
1516 }
1517
1518 @Article{hohenberg64,
1519   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1520   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1521   journal =      "Phys. Rev.",
1522   volume =       "136",
1523   number =       "3B",
1524   pages =        "B864--B871",
1525   numpages =     "7",
1526   year =         "1964",
1527   month =        nov,
1528   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1529   publisher =    "American Physical Society",
1530   notes =        "density functional theory, dft",
1531 }
1532
1533 @Article{kohn65,
1534   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1535                  Correlation Effects",
1536   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1537   journal =      "Phys. Rev.",
1538   volume =       "140",
1539   number =       "4A",
1540   pages =        "A1133--A1138",
1541   numpages =     "5",
1542   year =         "1965",
1543   month =        nov,
1544   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1545   publisher =    "American Physical Society",
1546   notes =        "dft, exchange and correlation",
1547 }
1548
1549 @Article{ruecker94,
1550   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1551                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1552   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1553                  J. Osten",
1554   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1555   volume =       "72",
1556   number =       "22",
1557   pages =        "3578--3581",
1558   numpages =     "3",
1559   year =         "1994",
1560   month =        may,
1561   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1562   publisher =    "American Physical Society",
1563   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1564                  si, dft",
1565 }
1566
1567 @Article{chang05,
1568   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1569                  Alloy",
1570   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1571   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1572   volume =       "44",
1573   number =       "4B",
1574   pages =        "2257--2262",
1575   numpages =     "5",
1576   year =         "2005",
1577   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1578   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1579   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1580   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1581 }
1582
1583 @Article{osten97,
1584   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1585   collaboration = "",
1586   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1587                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1588                  Si(001)",
1589   publisher =    "AIP",
1590   year =         "1997",
1591   journal =      "Journal of Applied Physics",
1592   volume =       "82",
1593   number =       "10",
1594   pages =        "4977--4981",
1595   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1596                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1597                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1598   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1599   doi =          "10.1063/1.366364",
1600   notes =        "charge transport in strained si",
1601 }
1602
1603 @Article{kapur04,
1604   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1605                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1606   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1607   journal =      "Phys. Rev. B",
1608   volume =       "69",
1609   number =       "15",
1610   pages =        "155214",
1611   numpages =     "8",
1612   year =         "2004",
1613   month =        apr,
1614   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1615   publisher =    "American Physical Society",
1616   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1617 }
1618
1619 @Article{barkema96,
1620   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1621                  Systems",
1622   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1623   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1624   volume =       "77",
1625   number =       "21",
1626   pages =        "4358--4361",
1627   numpages =     "3",
1628   year =         "1996",
1629   month =        nov,
1630   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1631   publisher =    "American Physical Society",
1632   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1633                  dynamic mds",
1634 }
1635
1636 @Article{cances09,
1637   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1638                  Minoukadeh and F. Willaime",
1639   collaboration = "",
1640   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1641                  technique method for finding transition pathways on
1642                  potential energy surfaces",
1643   publisher =    "AIP",
1644   year =         "2009",
1645   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1646   volume =       "130",
1647   number =       "11",
1648   eid =          "114711",
1649   numpages =     "6",
1650   pages =        "114711",
1651   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1652                  surfaces; vacancies (crystal)",
1653   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1654   doi =          "10.1063/1.3088532",
1655   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1656                  transition pathways",
1657 }
1658
1659 @Article{parrinello81,
1660   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1661   collaboration = "",
1662   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1663                  molecular dynamics method",
1664   publisher =    "AIP",
1665   year =         "1981",
1666   journal =      "Journal of Applied Physics",
1667   volume =       "52",
1668   number =       "12",
1669   pages =        "7182--7190",
1670   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1671                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1672                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1673                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1674                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1675                  IMPACT SHOCK",
1676   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1677   doi =          "10.1063/1.328693",
1678 }
1679
1680 @Article{stillinger85,
1681   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1682                  of silicon",
1683   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1684   journal =      "Phys. Rev. B",
1685   volume =       "31",
1686   number =       "8",
1687   pages =        "5262--5271",
1688   numpages =     "9",
1689   year =         "1985",
1690   month =        apr,
1691   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1692   publisher =    "American Physical Society",
1693 }
1694
1695 @Article{brenner90,
1696   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1697                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1698                  films",
1699   author =       "Donald W. Brenner",
1700   journal =      "Phys. Rev. B",
1701   volume =       "42",
1702   number =       "15",
1703   pages =        "9458--9471",
1704   numpages =     "13",
1705   year =         "1990",
1706   month =        nov,
1707   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1708   publisher =    "American Physical Society",
1709   notes =        "brenner hydro carbons",
1710 }
1711
1712 @Article{bazant96,
1713   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1714                  Cohesive Energy Curves",
1715   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1716   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1717   volume =       "77",
1718   number =       "21",
1719   pages =        "4370--4373",
1720   numpages =     "3",
1721   year =         "1996",
1722   month =        nov,
1723   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1724   publisher =    "American Physical Society",
1725   notes =        "first si edip",
1726 }
1727
1728 @Article{bazant97,
1729   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1730                  silicon",
1731   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1732                  Justo",
1733   journal =      "Phys. Rev. B",
1734   volume =       "56",
1735   number =       "14",
1736   pages =        "8542--8552",
1737   numpages =     "10",
1738   year =         "1997",
1739   month =        oct,
1740   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1741   publisher =    "American Physical Society",
1742   notes =        "second si edip",
1743 }
1744
1745 @Article{justo98,
1746   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1747                  disordered phases",
1748   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
1749                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1750   journal =      "Phys. Rev. B",
1751   volume =       "58",
1752   number =       "5",
1753   pages =        "2539--2550",
1754   numpages =     "11",
1755   year =         "1998",
1756   month =        aug,
1757   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1758   publisher =    "American Physical Society",
1759   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
1760 }
1761
1762 @Article{parcas_md,
1763   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1764   author =       "K. Nordlund",
1765   year =         "2008",
1766 }
1767
1768 @Article{voter97,
1769   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1770                  Infrequent Events",
1771   author =       "Arthur F. Voter",
1772   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1773   volume =       "78",
1774   number =       "20",
1775   pages =        "3908--3911",
1776   numpages =     "3",
1777   year =         "1997",
1778   month =        may,
1779   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1780   publisher =    "American Physical Society",
1781   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1782 }
1783
1784 @Article{voter97_2,
1785   author =       "Arthur F. Voter",
1786   collaboration = "",
1787   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1788                  simulation of infrequent events",
1789   publisher =    "AIP",
1790   year =         "1997",
1791   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1792   volume =       "106",
1793   number =       "11",
1794   pages =        "4665--4677",
1795   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1796                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1797                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1798                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1799                  theory; potential energy surfaces",
1800   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1801   doi =          "10.1063/1.473503",
1802   notes =        "improved hyperdynamics md",
1803 }
1804
1805 @Article{sorensen2000,
1806   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1807   collaboration = "",
1808   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1809                  infrequent events",
1810   publisher =    "AIP",
1811   year =         "2000",
1812   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1813   volume =       "112",
1814   number =       "21",
1815   pages =        "9599--9606",
1816   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1817                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1818   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1819   doi =          "10.1063/1.481576",
1820   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1821 }
1822
1823 @Article{voter98,
1824   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1825                  events",
1826   author =       "Arthur F. Voter",
1827   journal =      "Phys. Rev. B",
1828   volume =       "57",
1829   number =       "22",
1830   pages =        "R13985--R13988",
1831   numpages =     "3",
1832   year =         "1998",
1833   month =        jun,
1834   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1835   publisher =    "American Physical Society",
1836   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1837 }
1838
1839 @Article{wu99,
1840   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1841   collaboration = "",
1842   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1843                  simulation",
1844   publisher =    "AIP",
1845   year =         "1999",
1846   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1847   volume =       "110",
1848   number =       "19",
1849   pages =        "9401--9410",
1850   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1851                  potential; crystallisation; liquid theory",
1852   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1853   doi =          "10.1063/1.478948",
1854   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1855                  systematic motion",
1856 }
1857
1858 @Article{choudhary05,
1859   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1860   collaboration = "",
1861   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1862                  to the production of amorphous silicon",
1863   publisher =    "AIP",
1864   year =         "2005",
1865   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1866   volume =       "122",
1867   number =       "15",
1868   eid =          "154509",
1869   numpages =     "8",
1870   pages =        "154509",
1871   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1872                  amorphous semiconductors",
1873   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1874   doi =          "10.1063/1.1878733",
1875   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1876                  silicon",
1877 }
1878
1879 @Article{taylor93,
1880   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
1881   collaboration = "",
1882   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
1883                  difficult?",
1884   publisher =    "AIP",
1885   year =         "1993",
1886   journal =      "Applied Physics Letters",
1887   volume =       "62",
1888   number =       "25",
1889   pages =        "3336--3338",
1890   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
1891                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
1892                  ENERGY",
1893   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
1894   doi =          "10.1063/1.109063",
1895   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
1896 }
1897
1898 @Article{chaussende08,
1899   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
1900   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1901   volume =       "310",
1902   number =       "5",
1903   pages =        "976--981",
1904   year =         "2008",
1905   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
1906                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
1907   ISSN =         "0022-0248",
1908   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
1909   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
1910   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
1911                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
1912                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
1913                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
1914   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
1915                  metastable",
1916 }
1917
1918 @Article{feynman39,
1919   title =        "Forces in Molecules",
1920   author =       "R. P. Feynman",
1921   journal =      "Phys. Rev.",
1922   volume =       "56",
1923   number =       "4",
1924   pages =        "340--343",
1925   numpages =     "3",
1926   year =         "1939",
1927   month =        aug,
1928   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
1929   publisher =    "American Physical Society",
1930   notes =        "hellmann feynman forces",
1931 }
1932
1933 @Article{buczko00,
1934   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
1935                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
1936                  their Contrasting Properties",
1937   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
1938                  T. Pantelides",
1939   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1940   volume =       "84",
1941   number =       "5",
1942   pages =        "943--946",
1943   numpages =     "3",
1944   year =         "2000",
1945   month =        jan,
1946   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
1947   publisher =    "American Physical Society",
1948   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
1949 }
1950
1951 @Article{djurabekova08,
1952   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
1953                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
1954   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
1955   journal =      "Phys. Rev. B",
1956   volume =       "77",
1957   number =       "11",
1958   pages =        "115325",
1959   numpages =     "7",
1960   year =         "2008",
1961   month =        mar,
1962   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
1963   publisher =    "American Physical Society",
1964   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
1965                  angular distribution, coordination",
1966 }
1967
1968 @Article{wen09,
1969   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
1970                  W. Liang and J. Zou",
1971   collaboration = "",
1972   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
1973                  strain relaxation at highly lattice mismatched
1974                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
1975   publisher =    "AIP",
1976   year =         "2009",
1977   journal =      "Journal of Applied Physics",
1978   volume =       "106",
1979   number =       "7",
1980   eid =          "073522",
1981   numpages =     "8",
1982   pages =        "073522",
1983   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
1984                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
1985                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
1986                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
1987   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
1988   doi =          "10.1063/1.3234380",
1989   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
1990                  deconvolution, dislocation defects",
1991 }
1992
1993 @Article{kitabatake93,
1994   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
1995                  Hirao",
1996   collaboration = "",
1997   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
1998                  growth on Si(001) surface",
1999   publisher =    "AIP",
2000   year =         "1993",
2001   journal =      "Journal of Applied Physics",
2002   volume =       "74",
2003   number =       "7",
2004   pages =        "4438--4445",
2005   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2006                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2007                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2008   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2009   doi =          "10.1063/1.354385",
2010   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2011                  model, interface",
2012 }
2013
2014 @Article{pizzagalli03,
2015   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2016                  interface: Si{C}/Si(001)",
2017   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2018                  Catellani",
2019   journal =      "Phys. Rev. B",
2020   volume =       "68",
2021   number =       "19",
2022   pages =        "195302",
2023   numpages =     "10",
2024   year =         "2003",
2025   month =        nov,
2026   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2027   publisher =    "American Physical Society",
2028   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2029 }
2030
2031 @Article{tang07,
2032   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2033                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2034                  electron microscopy",
2035   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2036                  H. Zheng and J. W. Liang",
2037   journal =      "Phys. Rev. B",
2038   volume =       "75",
2039   number =       "18",
2040   pages =        "184103",
2041   numpages =     "7",
2042   year =         "2007",
2043   month =        may,
2044   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2045   publisher =    "American Physical Society",
2046   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2047                  si and c",
2048 }
2049
2050 @Article{hornstra58,
2051   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2052   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2053   volume =       "5",
2054   number =       "1-2",
2055   pages =        "129--141",
2056   year =         "1958",
2057   note =         "",
2058   ISSN =         "0022-3697",
2059   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2060   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2061   author =       "J. Hornstra",
2062   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2063 }
2064
2065 @Article{eichhorn99,
2066   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2067                  K{\"{o}}gler",
2068   collaboration = "",
2069   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2070                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2071                  synchrotron x-ray diffraction",
2072   publisher =    "AIP",
2073   year =         "1999",
2074   journal =      "Journal of Applied Physics",
2075   volume =       "86",
2076   number =       "8",
2077   pages =        "4184--4187",
2078   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2079                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2080                  precipitation; semiconductor doping",
2081   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2082   doi =          "10.1063/1.371344",
2083   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional
2084                  carbon",
2085 }
2086
2087 @Article{eichhorn02,
2088   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2089                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2090   collaboration = "",
2091   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2092                  carbon ion implantation",
2093   publisher =    "AIP",
2094   year =         "2002",
2095   journal =      "Journal of Applied Physics",
2096   volume =       "91",
2097   number =       "3",
2098   pages =        "1287--1292",
2099   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2100                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2101                  electron microscopy",
2102   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2103   doi =          "10.1063/1.1428105",
2104   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2105                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2106 }
2107
2108 @Article{lucas10,
2109   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2110   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2111                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2112                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2113                  amorphous structures",
2114   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2115   volume =       "22",
2116   number =       "3",
2117   pages =        "035802",
2118   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2119   year =         "2010",
2120   notes =        "edip sic",
2121 }
2122
2123 @Article{godet03,
2124   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2125                  Beauchamp",
2126   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2127                  methods for silicon under large shear",
2128   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2129   volume =       "15",
2130   number =       "41",
2131   pages =        "6943",
2132   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2133   year =         "2003",
2134   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2135                  edip, tersoff, ab initio",
2136 }
2137
2138 @Article{moriguchi98,
2139   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2140                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2141   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2142   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2143   volume =       "37",
2144   number =       "Part 1, No. 2",
2145   pages =        "414--422",
2146   numpages =     "8",
2147   year =         "1998",
2148   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2149   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2150   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2151   notes =        "tersoff stringent test",
2152 }
2153
2154 @Article{holmstroem08,
2155   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2156                  density functional theory molecular dynamics
2157                  simulations",
2158   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2159   journal =      "Phys. Rev. B",
2160   volume =       "78",
2161   number =       "4",
2162   pages =        "045202",
2163   numpages =     "6",
2164   year =         "2008",
2165   month =        jul,
2166   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2167   publisher =    "American Physical Society",
2168   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2169                  initio",
2170 }
2171
2172 @Article{nordlund97,
2173   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2174                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2175   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2176                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2177   volume =       "132",
2178   number =       "1",
2179   pages =        "45--54",
2180   year =         "1997",
2181   note =         "",
2182   ISSN =         "0168-583X",
2183   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2184   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2185   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2186   notes =        "repulsive ab initio potential",
2187 }
2188
2189 @Article{kresse96,
2190   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2191                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2192                  set",
2193   journal =      "Computational Materials Science",
2194   volume =       "6",
2195   number =       "1",
2196   pages =        "15--50",
2197   year =         "1996",
2198   note =         "",
2199   ISSN =         "0927-0256",
2200   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2201   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2202   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2203   notes =        "vasp ref",
2204 }
2205
2206 @Article{bloechl94,
2207   title =        "Projector augmented-wave method",
2208   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2209   journal =      "Phys. Rev. B",
2210   volume =       "50",
2211   number =       "24",
2212   pages =        "17953--17979",
2213   numpages =     "26",
2214   year =         "1994",
2215   month =        dec,
2216   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2217   publisher =    "American Physical Society",
2218   notes =        "paw method",
2219 }
2220
2221 @Article{hamann79,
2222   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2223   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2224   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2225   volume =       "43",
2226   number =       "20",
2227   pages =        "1494--1497",
2228   numpages =     "3",
2229   year =         "1979",
2230   month =        nov,
2231   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2232   publisher =    "American Physical Society",
2233   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2234 }
2235
2236 @Article{vanderbilt90,
2237   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2238                  eigenvalue formalism",
2239   author =       "David Vanderbilt",
2240   journal =      "Phys. Rev. B",
2241   volume =       "41",
2242   number =       "11",
2243   pages =        "7892--7895",
2244   numpages =     "3",
2245   year =         "1990",
2246   month =        apr,
2247   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2248   publisher =    "American Physical Society",
2249   notes =        "vasp pseudopotentials",
2250 }
2251
2252 @Article{perdew86,
2253   title =        "Accurate and simple density functional for the
2254                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2255                  approximation",
2256   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2257   journal =      "Phys. Rev. B",
2258   volume =       "33",
2259   number =       "12",
2260   pages =        "8800--8802",
2261   numpages =     "2",
2262   year =         "1986",
2263   month =        jun,
2264   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2265   publisher =    "American Physical Society",
2266   notes =        "rapid communication gga",
2267 }
2268
2269 @Article{perdew02,
2270   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2271                  correlation: {A} look backward and forward",
2272   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2273   volume =       "172",
2274   number =       "1-2",
2275   pages =        "1--6",
2276   year =         "1991",
2277   note =         "",
2278   ISSN =         "0921-4526",
2279   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2280   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2281   author =       "John P. Perdew",
2282   notes =        "gga overview",
2283 }
2284
2285 @Article{perdew92,
2286   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2287                  of the generalized gradient approximation for exchange
2288                  and correlation",
2289   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2290                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2291                  and Carlos Fiolhais",
2292   journal =      "Phys. Rev. B",
2293   volume =       "46",
2294   number =       "11",
2295   pages =        "6671--6687",
2296   numpages =     "16",
2297   year =         "1992",
2298   month =        sep,
2299   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2300   publisher =    "American Physical Society",
2301   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2302 }
2303
2304 @Article{baldereschi73,
2305   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2306   author =       "A. Baldereschi",
2307   journal =      "Phys. Rev. B",
2308   volume =       "7",
2309   number =       "12",
2310   pages =        "5212--5215",
2311   numpages =     "3",
2312   year =         "1973",
2313   month =        jun,
2314   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2315   publisher =    "American Physical Society",
2316   notes =        "mean value k point",
2317 }
2318
2319 @Article{zhu98,
2320   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2321                  diffusion in Si",
2322   journal =      "Computational Materials Science",
2323   volume =       "12",
2324   number =       "4",
2325   pages =        "309--318",
2326   year =         "1998",
2327   note =         "",
2328   ISSN =         "0927-0256",
2329   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2330   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2331   author =       "Jing Zhu",
2332   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2333   keywords =     "Boron dopant",
2334   keywords =     "Carbon dopant",
2335   keywords =     "Defect",
2336   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2337   keywords =     "Impurity cluster",
2338   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2339 }
2340
2341 @Article{nejim95,
2342   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2343   collaboration = "",
2344   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2345                  950 [degree]{C}",
2346   publisher =    "AIP",
2347   year =         "1995",
2348   journal =      "Applied Physics Letters",
2349   volume =       "66",
2350   number =       "20",
2351   pages =        "2646--2648",
2352   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2353                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2354                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2355                  ELECTRON MICROSCOPY",
2356   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2357   doi =          "10.1063/1.113112",
2358   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2359                  self interstitials react with further implanted c",
2360 }
2361
2362 @Article{guedj98,
2363   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2364                  Kolodzey and A. Hairie",
2365   collaboration = "",
2366   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2367                  alloys",
2368   publisher =    "AIP",
2369   year =         "1998",
2370   journal =      "Journal of Applied Physics",
2371   volume =       "84",
2372   number =       "8",
2373   pages =        "4631--4633",
2374   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2375                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2376                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2377                  annealing",
2378   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2379   doi =          "10.1063/1.368703",
2380   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic",
2381 }
2382
2383 @Article{jones04,
2384   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2385   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2386                  semiconductors",
2387   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2388   volume =       "16",
2389   number =       "27",
2390   pages =        "S2643",
2391   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2392   year =         "2004",
2393   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2394 }
2395
2396 @Article{park02,
2397   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2398                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2399                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2400   collaboration = "",
2401   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2402                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2403                  molecular-beam epitaxy",
2404   publisher =    "AIP",
2405   year =         "2002",
2406   journal =      "Journal of Applied Physics",
2407   volume =       "91",
2408   number =       "9",
2409   pages =        "5716--5727",
2410   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2411   doi =          "10.1063/1.1465122",
2412   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2413 }
2414
2415 @Article{leary97,
2416   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2417                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2418   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2419                  Torres",
2420   journal =      "Phys. Rev. B",
2421   volume =       "55",
2422   number =       "4",
2423   pages =        "2188--2194",
2424   numpages =     "6",
2425   year =         "1997",
2426   month =        jan,
2427   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2428   publisher =    "American Physical Society",
2429   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2430                  energies",
2431 }
2432
2433 @Article{burnard93,
2434   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2435                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2436                  calculations",
2437   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2438   journal =      "Phys. Rev. B",
2439   volume =       "47",
2440   number =       "16",
2441   pages =        "10217--10225",
2442   numpages =     "8",
2443   year =         "1993",
2444   month =        apr,
2445   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2446   publisher =    "American Physical Society",
2447   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2448                  carbon defect, formation energies",
2449 }
2450
2451 @Article{kaxiras96,
2452   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2453                  and growth on semiconductors",
2454   journal =      "Computational Materials Science",
2455   volume =       "6",
2456   number =       "2",
2457   pages =        "158--172",
2458   year =         "1996",
2459   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2460                  Epitaxy",
2461   ISSN =         "0927-0256",
2462   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2463   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2464   author =       "Efthimios Kaxiras",
2465   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2466                  tight binding, first principles",
2467 }
2468
2469 @Article{kaukonen98,
2470   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2471                  diamond
2472                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2473                  surfaces",
2474   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2475                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2476                  Th. Frauenheim",
2477   journal =      "Phys. Rev. B",
2478   volume =       "57",
2479   number =       "16",
2480   pages =        "9965--9970",
2481   numpages =     "5",
2482   year =         "1998",
2483   month =        apr,
2484   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2485   publisher =    "American Physical Society",
2486   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2487                  (crt)",
2488 }