bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 239                  Engineering",
 240   volume =       "3",
 241   number =       "5",
 242   pages =        "615--627",
 243   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 244   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 245                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 246   year =         "1995",
 247 }
 248
 249 @Article{brenner89,
 250   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 251                  Tersoff potentials",
 252   author =       "Donald W. Brenner",
 253   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 254   volume =       "63",
 255   number =       "9",
 256   pages =        "1022",
 257   numpages =     "1",
 258   year =         "1989",
 259   month =        aug,
 260   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 261   publisher =    "American Physical Society",
 262   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 263 }
 264
 265 @Article{batra87,
 266   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 267                  silicon",
 268   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 269   journal =      "Phys. Rev. B",
 270   volume =       "35",
 271   number =       "18",
 272   pages =        "9552--9558",
 273   numpages =     "6",
 274   year =         "1987",
 275   month =        jun,
 276   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 277   publisher =    "American Physical Society",
 278   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 279                  calculation of defect formation energy, defect
 280                  interstitial types",
 281 }
 282
 283 @Article{schober89,
 284   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 285   author =       "H. R. Schober",
 286   journal =      "Phys. Rev. B",
 287   volume =       "39",
 288   number =       "17",
 289   pages =        "13013--13015",
 290   numpages =     "2",
 291   year =         "1989",
 292   month =        jun,
 293   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 294   publisher =    "American Physical Society",
 295   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 296                  dumbbell configuration",
 297 }
 298
 299 @Article{gao02a,
 300   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 301                  Defect accumulation, topological features, and
 302                  disordering",
 303   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 304   journal =      "Phys. Rev. B",
 305   volume =       "66",
 306   number =       "2",
 307   pages =        "024106",
 308   numpages =     "10",
 309   year =         "2002",
 310   month =        jul,
 311   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 312   publisher =    "American Physical Society",
 313   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 314                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 315                  result analyze",
 316 }
 317
 318 @Article{devanathan98,
 319   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 320                  cascade in Si{C}",
 321   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 322                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 323   volume =       "141",
 324   number =       "1-4",
 325   pages =        "118--122",
 326   year =         "1998",
 327   ISSN =         "0168-583X",
 328   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 329   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 330                  Rubia",
 331   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 332                  3c-sic",
 333 }
 334
 335 @Article{devanathan98_2,
 336   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 337   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 338   volume =       "253",
 339   number =       "1-3",
 340   pages =        "47--52",
 341   year =         "1998",
 342   ISSN =         "0022-3115",
 343   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 344   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 345                  Weber",
 346   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 347                  tersoff",
 348 }
 349
 350 @Article{kitabatake00,
 351   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 352   author =       "M. Kitabatake",
 353   journal =      "Thin Solid Films",
 354   volume =       "369",
 355   pages =        "257--264",
 356   numpages =     "8",
 357   year =         "2000",
 358   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 359 }
 360
 361 @Article{tang97,
 362   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 363                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 364                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 365                  formation volumes",
 366   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 367                  Rubia",
 368   journal =      "Phys. Rev. B",
 369   volume =       "55",
 370   number =       "21",
 371   pages =        "14279--14289",
 372   numpages =     "10",
 373   year =         "1997",
 374   month =        jun,
 375   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 376   publisher =    "American Physical Society",
 377   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 378 }
 379
 380 @Article{johnson98,
 381   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 382                  Rubia",
 383   collaboration = "",
 384   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 385                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 386                  presence of carbon and boron",
 387   publisher =    "AIP",
 388   year =         "1998",
 389   journal =      "Journal of Applied Physics",
 390   volume =       "84",
 391   number =       "4",
 392   pages =        "1963--1967",
 393   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 394                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 395                  semiconductors; self-diffusion",
 396   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 397   doi =          "10.1063/1.368328",
 398   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 399                  diffsuion",
 400 }
 401
 402 @Article{bar-yam84,
 403   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 404                  Self-Interstitial",
 405   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 407   volume =       "52",
 408   number =       "13",
 409   pages =        "1129--1132",
 410   numpages =     "3",
 411   year =         "1984",
 412   month =        mar,
 413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 414   publisher =    "American Physical Society",
 415   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 416 }
 417
 418 @Article{bar-yam84_2,
 419   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 420                  barriers of silicon self-interstitials",
 421   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 422   journal =      "Phys. Rev. B",
 423   volume =       "30",
 424   number =       "4",
 425   pages =        "1844--1852",
 426   numpages =     "8",
 427   year =         "1984",
 428   month =        aug,
 429   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 430   publisher =    "American Physical Society",
 431 }
 432
 433 @Article{bloechl93,
 434   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 435                  constants in silicon",
 436   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 437                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 438   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 439   volume =       "70",
 440   number =       "16",
 441   pages =        "2435--2438",
 442   numpages =     "3",
 443   year =         "1993",
 444   month =        apr,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 448                  entropy calculations",
 449 }
 450
 451 @Article{colombo02,
 452   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 453                  silicon",
 454   author =       "L. Colombo",
 455   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 456   volume =       "32",
 457   pages =        "271--295",
 458   numpages =     "25",
 459   year =         "2002",
 460   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 461   publisher =    "Annual Reviews",
 462   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 463 }
 464
 465 @Article{al-mushadani03,
 466   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 469   journal =      "Phys. Rev. B",
 470   volume =       "68",
 471   number =       "23",
 472   pages =        "235205",
 473   numpages =     "8",
 474   year =         "2003",
 475   month =        dec,
 476   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 477   publisher =    "American Physical Society",
 478   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 479                  silicon, si self interstitials, free energy",
 480 }
 481
 482 @Article{goedecker02,
 483   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 484   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 485   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 486   volume =       "88",
 487   number =       "23",
 488   pages =        "235501",
 489   numpages =     "4",
 490   year =         "2002",
 491   month =        may,
 492   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 493   publisher =    "American Physical Society",
 494   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 495                  silicon",
 496 }
 497
 498 @Article{ma10,
 499   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 500                  wide temperature range: Point defect states and
 501                  migration mechanisms",
 502   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 503   journal =      "Phys. Rev. B",
 504   volume =       "81",
 505   number =       "19",
 506   pages =        "193203",
 507   numpages =     "4",
 508   year =         "2010",
 509   month =        may,
 510   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 511   publisher =    "American Physical Society",
 512   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 513 }
 514
 515 @Article{posselt06,
 516   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 517                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 518   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 519   journal =      "Phys. Rev. B",
 520   volume =       "73",
 521   number =       "12",
 522   pages =        "125206",
 523   numpages =     "8",
 524   year =         "2006",
 525   month =        mar,
 526   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 527   publisher =    "American Physical Society",
 528 }
 529
 530 @Article{posselt08,
 531   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 532                  migration mechanisms of vacancies and
 533                  self-interstitials: An atomistic study",
 534   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 535   journal =      "Phys. Rev. B",
 536   volume =       "78",
 537   number =       "3",
 538   pages =        "035208",
 539   numpages =     "9",
 540   year =         "2008",
 541   month =        jul,
 542   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 543   publisher =    "American Physical Society",
 544   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 545                  weber and tersoff",
 546 }
 547
 548 @Article{gao2001,
 549   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 550                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 551   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 552                  Corrales",
 553   journal =      "Phys. Rev. B",
 554   volume =       "64",
 555   number =       "24",
 556   pages =        "245208",
 557   numpages =     "7",
 558   year =         "2001",
 559   month =        dec,
 560   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 561   publisher =    "American Physical Society",
 562   notes =        "defects in 3c-sic",
 563 }
 564
 565 @Article{gao02,
 566   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 567                  3{C}-Si{C}",
 568   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 569                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 570   volume =       "191",
 571   number =       "1-4",
 572   pages =        "504--508",
 573   year =         "2002",
 574   note =         "",
 575   ISSN =         "0168-583X",
 576   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 577   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 578   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 579   keywords =     "Empirical potential",
 580   keywords =     "Defect properties",
 581   keywords =     "Silicon carbide",
 582   keywords =     "Computer simulation",
 583   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 584 }
 585
 586 @Article{gao04,
 587   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 588                  3{C}-Si{C}",
 589   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 590                  Belko",
 591   journal =      "Phys. Rev. B",
 592   volume =       "69",
 593   number =       "24",
 594   pages =        "245205",
 595   numpages =     "5",
 596   year =         "2004",
 597   month =        jun,
 598   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 599   publisher =    "American Physical Society",
 600   notes =        "defect migration in sic",
 601 }
 602
 603 @Article{gao07,
 604   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 605                  W. J. Weber",
 606   collaboration = "",
 607   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 608                  in cubic silicon carbide",
 609   publisher =    "AIP",
 610   year =         "2007",
 611   journal =      "Applied Physics Letters",
 612   volume =       "90",
 613   number =       "22",
 614   eid =          "221915",
 615   numpages =     "3",
 616   pages =        "221915",
 617   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 618                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 619                  dynamics method; density functional theory;
 620                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 621                  impurities; diffusion",
 622   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 623   doi =          "10.1063/1.2743751",
 624 }
 625
 626 @Article{mattoni2002,
 627   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 628                  crystalline silicon",
 629   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 630   journal =      "Phys. Rev. B",
 631   volume =       "66",
 632   number =       "19",
 633   pages =        "195214",
 634   numpages =     "6",
 635   year =         "2002",
 636   month =        nov,
 637   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 638   publisher =    "American Physical Society",
 639   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 640                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 641                  tersoff suitability",
 642 }
 643
 644 @Article{leung99,
 645   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 646   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 647                  Itoh and S. Ihara",
 648   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 649   volume =       "83",
 650   number =       "12",
 651   pages =        "2351--2354",
 652   numpages =     "3",
 653   year =         "1999",
 654   month =        sep,
 655   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 656   publisher =    "American Physical Society",
 657   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 658                  refs",
 659 }
 660
 661 @Article{capaz94,
 662   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 663                  carbon in silicon",
 664   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 665   journal =      "Phys. Rev. B",
 666   volume =       "50",
 667   number =       "11",
 668   pages =        "7439--7442",
 669   numpages =     "3",
 670   year =         "1994",
 671   month =        sep,
 672   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 673   publisher =    "American Physical Society",
 674   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 675                  dumbbell",
 676 }
 677
 678 @Article{capaz98,
 679   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 680   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 681   journal =      "Phys. Rev. B",
 682   volume =       "58",
 683   number =       "15",
 684   pages =        "9845--9850",
 685   numpages =     "5",
 686   year =         "1998",
 687   month =        oct,
 688   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 689   publisher =    "American Physical Society",
 690   notes =        "carbon pairs in si",
 691 }
 692
 693 @Article{dal_pino93,
 694   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 695                  silicon",
 696   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 697                  Joannopoulos",
 698   journal =      "Phys. Rev. B",
 699   volume =       "47",
 700   number =       "19",
 701   pages =        "12554--12557",
 702   numpages =     "3",
 703   year =         "1993",
 704   month =        may,
 705   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 706   publisher =    "American Physical Society",
 707   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 708 }
 709
 710 @Article{car84,
 711   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 712                  Silicon",
 713   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 714                  Sokrates T. Pantelides",
 715   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 716   volume =       "52",
 717   number =       "20",
 718   pages =        "1814--1817",
 719   numpages =     "3",
 720   year =         "1984",
 721   month =        may,
 722   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 723   publisher =    "American Physical Society",
 724   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 725                  path formation",
 726 }
 727
 728 @Article{car85,
 729   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 730                  Density-Functional Theory",
 731   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 732   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 733   volume =       "55",
 734   number =       "22",
 735   pages =        "2471--2474",
 736   numpages =     "3",
 737   year =         "1985",
 738   month =        nov,
 739   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 740   publisher =    "American Physical Society",
 741   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 742 }
 743
 744 @Article{kelires97,
 745   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 746                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 747   author =       "P. C. Kelires",
 748   journal =      "Phys. Rev. B",
 749   volume =       "55",
 750   number =       "14",
 751   pages =        "8784--8787",
 752   numpages =     "3",
 753   year =         "1997",
 754   month =        apr,
 755   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 756   publisher =    "American Physical Society",
 757   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 758                  neighbour dist",
 759 }
 760
 761 @Article{kelires95,
 762   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 763                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 764   author =       "P. C. Kelires",
 765   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 766   volume =       "75",
 767   number =       "6",
 768   pages =        "1114--1117",
 769   numpages =     "3",
 770   year =         "1995",
 771   month =        aug,
 772   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 773   publisher =    "American Physical Society",
 774   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 775 }
 776
 777 @Article{bean70,
 778   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 779                  containing carbon",
 780   journal =      "Solid State Communications",
 781   volume =       "8",
 782   number =       "3",
 783   pages =        "175--177",
 784   year =         "1970",
 785   note =         "",
 786   ISSN =         "0038-1098",
 787   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 788   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 789   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 790 }
 791
 792 @Article{watkins76,
 793   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 794                  Atom in Silicon",
 795   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 796   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 797   volume =       "36",
 798   number =       "22",
 799   pages =        "1329--1332",
 800   numpages =     "3",
 801   year =         "1976",
 802   month =        may,
 803   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 804   publisher =    "American Physical Society",
 805   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 806                  silicon",
 807 }
 808
 809 @Article{song90,
 810   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 811                  interstitial carbon in silicon",
 812   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "42",
 815   number =       "9",
 816   pages =        "5759--5764",
 817   numpages =     "5",
 818   year =         "1990",
 819   month =        sep,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{tipping87,
 826   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 827   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 828                  silicon",
 829   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 830   volume =       "2",
 831   number =       "5",
 832   pages =        "315--317",
 833   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 834   year =         "1987",
 835   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 836                  silicon",
 837 }
 838
 839 @Article{strane96,
 840   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 841                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 842   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 843                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 844   journal =      "J. Appl. Phys.",
 845   volume =       "79",
 846   pages =        "637",
 847   year =         "1996",
 848   month =        jan,
 849   doi =          "10.1063/1.360806",
 850   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 851 }
 852
 853 @Article{laveant2002,
 854   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 855   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 856   volume =       "89",
 857   number =       "1-3",
 858   pages =        "241--245",
 859   year =         "2002",
 860   ISSN =         "0921-5107",
 861   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 862   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 863   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 864                  G{\"{o}}sele",
 865   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 866                  stress, avoid sic precipitation",
 867 }
 868
 869 @Article{werner97,
 870   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 871                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 872   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 873                  silicon by transmission electron microscopy",
 874   publisher =    "AIP",
 875   year =         "1997",
 876   journal =      "Applied Physics Letters",
 877   volume =       "70",
 878   number =       "2",
 879   pages =        "252--254",
 880   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 881                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 882                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 883                  layers; precipitation",
 884   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 885   doi =          "10.1063/1.118381",
 886   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 887                  precipitate",
 888 }
 889
 890 @InProceedings{werner96,
 891   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 892                  Eichler",
 893   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 894                  International Conference on",
 895   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 896                  implanted silicon",
 897   year =         "1996",
 898   month =        jun,
 899   volume =       "",
 900   number =       "",
 901   pages =        "675--678",
 902   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 903                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 904                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 905                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 906                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 907                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 908                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 909                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 910                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 911                  interactions;ion implantation;positron
 912                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 913                  annealing;secondary ion mass
 914                  spectra;silicon;transmission electron
 915                  microscopy;vacancies (crystal);",
 916   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 917   ISSN =         "",
 918   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 919 }
 920
 921 @Article{strane94,
 922   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 923                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 924   collaboration = "",
 925   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 926                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 927   publisher =    "AIP",
 928   year =         "1994",
 929   journal =      "Journal of Applied Physics",
 930   volume =       "76",
 931   number =       "6",
 932   pages =        "3656--3668",
 933   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 934   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 935   doi =          "10.1063/1.357429",
 936   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
 937                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
 938                  coherent to incoherent transition strain vs interface
 939                  energy",
 940 }
 941
 942 @Article{fischer95,
 943   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
 944                  Osten",
 945   collaboration = "",
 946   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
 947                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
 948   publisher =    "AIP",
 949   year =         "1995",
 950   journal =      "Journal of Applied Physics",
 951   volume =       "77",
 952   number =       "5",
 953   pages =        "1934--1937",
 954   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
 955                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
 956                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
 957                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
 958   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
 959   doi =          "10.1063/1.358826",
 960 }
 961
 962 @Article{edgar92,
 963   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 964                  semiconductors",
 965   author =       "J. H. Edgar",
 966   journal =      "J. Mater. Res.",
 967   volume =       "7",
 968   pages =        "235",
 969   year =         "1992",
 970   month =        jan,
 971   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 972   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 973                  polytypes",
 974 }
 975
 976 @Article{zirkelbach2007,
 977   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 978                  process leading to ordered precipitate structures",
 979   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 980                  and B. Stritzker",
 981   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 982   volume =       "257",
 983   number =       "1--2",
 984   pages =        "75--79",
 985   numpages =     "5",
 986   year =         "2007",
 987   month =        apr,
 988   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 989   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 990                  NETHERLANDS",
 991 }
 992
 993 @Article{zirkelbach2006,
 994   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 995                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 996                  during ion irradiation",
 997   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 998                  and B. Stritzker",
 999   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1000   volume =       "242",
1001   number =       "1--2",
1002   pages =        "679--682",
1003   numpages =     "4",
1004   year =         "2006",
1005   month =        jan,
1006   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1007   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1008                  NETHERLANDS",
1009 }
1010
1011 @Article{zirkelbach2005,
1012   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1013                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1014                  ion irradiation",
1015   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1016                  and B. Stritzker",
1017   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1018   volume =       "33",
1019   number =       "1--3",
1020   pages =        "310--316",
1021   numpages =     "7",
1022   year =         "2005",
1023   month =        apr,
1024   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1025   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1026                  NETHERLANDS",
1027 }
1028
1029 @Article{zirkelbach09,
1030   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1031                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1032   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
1033   volume =       "159-160",
1034   number =       "",
1035   pages =        "149--152",
1036   year =         "2009",
1037   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1038                  Silicon Materials Research for Electronic and
1039                  Photovoltaic Applications",
1040   ISSN =         "0921-5107",
1041   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1042   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1043   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1044                  B. Stritzker",
1045   keywords =     "Silicon",
1046   keywords =     "Carbon",
1047   keywords =     "Silicon carbide",
1048   keywords =     "Nucleation",
1049   keywords =     "Defect formation",
1050   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1051 }
1052
1053 @Article{zirkelbach10a,
1054   title =        "Defects in Carbon implanted Silicon calculated by
1055                  classical potentials and first principles methods",
1056   journal =      "to be published",
1057   volume =       "",
1058   number =       "",
1059   pages =        "",
1060   year =         "2010",
1061   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1062                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1063 }
1064
1065 @Article{zirkelbach10b,
1066   title =        "Extensive first principles study of carbon defects in
1067                  silicon",
1068   journal =      "to be published",
1069   volume =       "",
1070   number =       "",
1071   pages =        "",
1072   year =         "2010",
1073   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1074                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1075 }
1076
1077 @Article{zirkelbach10c,
1078   title =        "...",
1079   journal =      "to be published",
1080   volume =       "",
1081   number =       "",
1082   pages =        "",
1083   year =         "2010",
1084   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1085                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1086 }
1087
1088 @Article{lindner99,
1089   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1090                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1091                  layers in silicon",
1092   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1093                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1094   volume =       "147",
1095   number =       "1-4",
1096   pages =        "249--255",
1097   year =         "1999",
1098   note =         "",
1099   ISSN =         "0168-583X",
1100   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1101   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1102   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1103   notes =        "two-step implantation process",
1104 }
1105
1106 @Article{lindner99_2,
1107   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1108                  in silicon",
1109   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1110                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1111   volume =       "148",
1112   number =       "1-4",
1113   pages =        "528--533",
1114   year =         "1999",
1115   ISSN =         "0168-583X",
1116   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1117   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1118   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1119   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1120 }
1121
1122 @Article{lindner01,
1123   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1124                  Basic physical processes",
1125   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1126                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1127   volume =       "178",
1128   number =       "1-4",
1129   pages =        "44--54",
1130   year =         "2001",
1131   note =         "",
1132   ISSN =         "0168-583X",
1133   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1134   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1135   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1136 }
1137
1138 @Article{lindner02,
1139   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1140                  fundamental studies for new technological tricks",
1141   author =       "J. K. N. Lindner",
1142   journal =      "Appl. Phys. A",
1143   volume =       "77",
1144   pages =        "27--38",
1145   year =         "2003",
1146   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1147   notes =        "ibs, burried sic layers",
1148 }
1149
1150 @Article{ito04,
1151   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1152                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1153                  growth",
1154   journal =      "Applied Surface Science",
1155   volume =       "238",
1156   number =       "1-4",
1157   pages =        "159--164",
1158   year =         "2004",
1159   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1160   ISSN =         "0169-4332",
1161   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1162   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1163   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1164                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1165   notes =        "gan on 3c-sic",
1166 }
1167
1168 @Article{alder57,
1169   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1170   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1171   publisher =    "AIP",
1172   year =         "1957",
1173   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1174   volume =       "27",
1175   number =       "5",
1176   pages =        "1208--1209",
1177   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1178   doi =          "10.1063/1.1743957",
1179 }
1180
1181 @Article{alder59,
1182   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1183   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1184   publisher =    "AIP",
1185   year =         "1959",
1186   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1187   volume =       "31",
1188   number =       "2",
1189   pages =        "459--466",
1190   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1191   doi =          "10.1063/1.1730376",
1192 }
1193
1194 @Article{tersoff_si1,
1195   title =        "New empirical model for the structural properties of
1196                  silicon",
1197   author =       "J. Tersoff",
1198   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1199   volume =       "56",
1200   number =       "6",
1201   pages =        "632--635",
1202   numpages =     "3",
1203   year =         "1986",
1204   month =        feb,
1205   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1206   publisher =    "American Physical Society",
1207 }
1208
1209 @Article{tersoff_si2,
1210   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1211                  covalent systems",
1212   author =       "J. Tersoff",
1213   journal =      "Phys. Rev. B",
1214   volume =       "37",
1215   number =       "12",
1216   pages =        "6991--7000",
1217   numpages =     "9",
1218   year =         "1988",
1219   month =        apr,
1220   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1221   publisher =    "American Physical Society",
1222 }
1223
1224 @Article{tersoff_si3,
1225   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1226                  improved elastic properties",
1227   author =       "J. Tersoff",
1228   journal =      "Phys. Rev. B",
1229   volume =       "38",
1230   number =       "14",
1231   pages =        "9902--9905",
1232   numpages =     "3",
1233   year =         "1988",
1234   month =        nov,
1235   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1236   publisher =    "American Physical Society",
1237 }
1238
1239 @Article{tersoff_c,
1240   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1241                  Applications to Amorphous Carbon",
1242   author =       "J. Tersoff",
1243   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1244   volume =       "61",
1245   number =       "25",
1246   pages =        "2879--2882",
1247   numpages =     "3",
1248   year =         "1988",
1249   month =        dec,
1250   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1251   publisher =    "American Physical Society",
1252 }
1253
1254 @Article{tersoff_m,
1255   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1256                  for multicomponent systems",
1257   author =       "J. Tersoff",
1258   journal =      "Phys. Rev. B",
1259   volume =       "39",
1260   number =       "8",
1261   pages =        "5566--5568",
1262   numpages =     "2",
1263   year =         "1989",
1264   month =        mar,
1265   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1266   publisher =    "American Physical Society",
1267 }
1268
1269 @Article{tersoff90,
1270   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1271   author =       "J. Tersoff",
1272   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1273   volume =       "64",
1274   number =       "15",
1275   pages =        "1757--1760",
1276   numpages =     "3",
1277   year =         "1990",
1278   month =        apr,
1279   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1280   publisher =    "American Physical Society",
1281 }
1282
1283 @Article{fahey89,
1284   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1285   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1286   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1287   volume =       "61",
1288   number =       "2",
1289   pages =        "289--384",
1290   numpages =     "95",
1291   year =         "1989",
1292   month =        apr,
1293   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1294   publisher =    "American Physical Society",
1295 }
1296
1297 @Article{wesch96,
1298   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1299   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1300                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1301   volume =       "116",
1302   number =       "1-4",
1303   pages =        "305--321",
1304   year =         "1996",
1305   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1306   ISSN =         "0168-583X",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1309   author =       "W. Wesch",
1310 }
1311
1312 @Article{morkoc94,
1313   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1314                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1315   collaboration = "",
1316   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1317                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1318   publisher =    "AIP",
1319   year =         "1994",
1320   journal =      "Journal of Applied Physics",
1321   volume =       "76",
1322   number =       "3",
1323   pages =        "1363--1398",
1324   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1325                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1326                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1327                  FILMS; INDUSTRY",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1329   doi =          "10.1063/1.358463",
1330   notes =        "sic intro, properties",
1331 }
1332
1333 @Article{neudeck95,
1334   author =       "P. G. Neudeck",
1335   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1336                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1337   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1338   year =         "1995",
1339   volume =       "24",
1340   number =       "4",
1341   pages =        "283--288",
1342   month =        apr,
1343 }
1344
1345 @Article{foo,
1346   author =       "Noch Unbekannt",
1347   title =        "How to find references",
1348   journal =      "Journal of Applied References",
1349   year =         "2009",
1350   volume =       "77",
1351   pages =        "1--23",
1352 }
1353
1354 @Article{tang95,
1355   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1356                  \beta{}-Si{C}",
1357   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1358   journal =      "Phys. Rev. B",
1359   volume =       "52",
1360   number =       "21",
1361   pages =        "15150--15159",
1362   numpages =     "9",
1363   year =         "1995",
1364   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1365   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1366                  tersoff reparametrization",
1367   publisher =    "American Physical Society",
1368 }
1369
1370 @Article{sarro00,
1371   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1372   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1373   volume =       "82",
1374   number =       "1-3",
1375   pages =        "210--218",
1376   year =         "2000",
1377   ISSN =         "0924-4247",
1378   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1379   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1380   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1381   keywords =     "MEMS",
1382   keywords =     "Silicon carbide",
1383   keywords =     "Micromachining",
1384   keywords =     "Mechanical stress",
1385 }
1386
1387 @Article{casady96,
1388   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1389                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1390                  review",
1391   journal =      "Solid-State Electronics",
1392   volume =       "39",
1393   number =       "10",
1394   pages =        "1409--1422",
1395   year =         "1996",
1396   ISSN =         "0038-1101",
1397   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1398   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1399   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1400   notes =        "sic intro",
1401 }
1402
1403 @Article{giancarli98,
1404   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1405                  structural material in fusion power reactor blankets",
1406   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1407   volume =       "41",
1408   number =       "1-4",
1409   pages =        "165--171",
1410   year =         "1998",
1411   ISSN =         "0920-3796",
1412   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1413   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1414   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1415                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1416 }
1417
1418 @Article{pensl93,
1419   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1420   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1421   volume =       "185",
1422   number =       "1-4",
1423   pages =        "264--283",
1424   year =         "1993",
1425   ISSN =         "0921-4526",
1426   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1427   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1428   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1429 }
1430
1431 @Article{tairov78,
1432   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1433                  carbide single crystals",
1434   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1435   volume =       "43",
1436   number =       "2",
1437   pages =        "209--212",
1438   year =         "1978",
1439   notes =        "modified lely process",
1440   ISSN =         "0022-0248",
1441   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1442   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1443   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1444 }
1445
1446 @Article{nishino83,
1447   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1448                  Will",
1449   collaboration = "",
1450   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1451                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1452   publisher =    "AIP",
1453   year =         "1983",
1454   journal =      "Applied Physics Letters",
1455   volume =       "42",
1456   number =       "5",
1457   pages =        "460--462",
1458   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1459                  monocrystals",
1460   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1461   doi =          "10.1063/1.93970",
1462   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1463 }
1464
1465 @Article{nishino87,
1466   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1467                  and Hiroyuki Matsunami",
1468   collaboration = "",
1469   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1470                  Si{C} on silicon",
1471   publisher =    "AIP",
1472   year =         "1987",
1473   journal =      "Journal of Applied Physics",
1474   volume =       "61",
1475   number =       "10",
1476   pages =        "4889--4893",
1477   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1478   doi =          "10.1063/1.338355",
1479   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1480                  carbonization",
1481 }
1482
1483 @Article{powell87,
1484   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1485                  Kuczmarski",
1486   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1487                  Single-Crystal Films on Si",
1488   publisher =    "ECS",
1489   year =         "1987",
1490   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1491   volume =       "134",
1492   number =       "6",
1493   pages =        "1558--1565",
1494   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1495                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1496   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1497   doi =          "10.1149/1.2100708",
1498   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1499 }
1500
1501 @Article{kimoto93,
1502   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1503                  and Hiroyuki Matsunami",
1504   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1505                  epitaxy",
1506   publisher =    "AIP",
1507   year =         "1993",
1508   journal =      "Journal of Applied Physics",
1509   volume =       "73",
1510   number =       "2",
1511   pages =        "726--732",
1512   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1513                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1514                  VAPOR DEPOSITION",
1515   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1516   doi =          "10.1063/1.353329",
1517   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1518 }
1519
1520 @Article{powell90,
1521   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1522                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1523                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1524   collaboration = "",
1525   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1526                  6{H}-Si{C} substrates",
1527   publisher =    "AIP",
1528   year =         "1990",
1529   journal =      "Applied Physics Letters",
1530   volume =       "56",
1531   number =       "14",
1532   pages =        "1353--1355",
1533   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1534                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1535                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1536                  PHASE EPITAXY",
1537   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1538   doi =          "10.1063/1.102512",
1539   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1540 }
1541
1542 @Article{yuan95,
1543   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1544                  Thokala and M. J. Loboda",
1545   collaboration = "",
1546   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1547                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1548                  silacyclobutane",
1549   publisher =    "AIP",
1550   year =         "1995",
1551   journal =      "Journal of Applied Physics",
1552   volume =       "78",
1553   number =       "2",
1554   pages =        "1271--1273",
1555   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1556                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1557                  SPECTROPHOTOMETRY",
1558   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1559   doi =          "10.1063/1.360368",
1560   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1561 }
1562
1563 @Article{fissel95,
1564   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1565                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1566                  molecular beam epitaxy",
1567   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1568   volume =       "154",
1569   number =       "1-2",
1570   pages =        "72--80",
1571   year =         "1995",
1572   ISSN =         "0022-0248",
1573   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1574   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1575   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1576                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1577   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1578 }
1579
1580 @Article{fissel95_apl,
1581   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1582   collaboration = "",
1583   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1584                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1585   publisher =    "AIP",
1586   year =         "1995",
1587   journal =      "Applied Physics Letters",
1588   volume =       "66",
1589   number =       "23",
1590   pages =        "3182--3184",
1591   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1592                  RHEED; NUCLEATION",
1593   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1594   doi =          "10.1063/1.113716",
1595   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1596 }
1597
1598 @Article{borders71,
1599   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1600   collaboration = "",
1601   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1602                  {IMPLANTATION}",
1603   publisher =    "AIP",
1604   year =         "1971",
1605   journal =      "Applied Physics Letters",
1606   volume =       "18",
1607   number =       "11",
1608   pages =        "509--511",
1609   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1610   doi =          "10.1063/1.1653516",
1611   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1612                  ideas",
1613 }
1614
1615 @Article{reeson87,
1616   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1617                  J. Davis and G. E. Celler",
1618   collaboration = "",
1619   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1620                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1621   publisher =    "AIP",
1622   year =         "1987",
1623   journal =      "Applied Physics Letters",
1624   volume =       "51",
1625   number =       "26",
1626   pages =        "2242--2244",
1627   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1628                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1629   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1630   doi =          "10.1063/1.98953",
1631   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1632 }
1633
1634 @Article{scace59,
1635   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1636   collaboration = "",
1637   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1638   publisher =    "AIP",
1639   year =         "1959",
1640   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1641   volume =       "30",
1642   number =       "6",
1643   pages =        "1551--1555",
1644   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1645   doi =          "10.1063/1.1730236",
1646   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1647 }
1648
1649 @Article{cowern96,
1650   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1651                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1652   collaboration = "",
1653   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1654                  {B} in silicon",
1655   publisher =    "AIP",
1656   year =         "1996",
1657   journal =      "Applied Physics Letters",
1658   volume =       "68",
1659   number =       "8",
1660   pages =        "1150--1152",
1661   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1662                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1663                  SILICON",
1664   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1665   doi =          "10.1063/1.115706",
1666   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1667 }
1668
1669 @Article{stolk95,
1670   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1671                  of the silicon self-interstitial",
1672   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1673                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1674   volume =       "96",
1675   number =       "1-2",
1676   pages =        "187--195",
1677   year =         "1995",
1678   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1679                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1680   ISSN =         "0168-583X",
1681   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1682   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1683   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1684                  and J. M. Poate",
1685 }
1686
1687 @Article{stolk97,
1688   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1689                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1690                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1691                  E. Haynes",
1692   collaboration = "",
1693   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1694                  diffusion in ion-implanted silicon",
1695   publisher =    "AIP",
1696   year =         "1997",
1697   journal =      "Journal of Applied Physics",
1698   volume =       "81",
1699   number =       "9",
1700   pages =        "6031--6050",
1701   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1702   doi =          "10.1063/1.364452",
1703   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1704 }
1705
1706 @Article{powell94,
1707   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1708   collaboration = "",
1709   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1710                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1711   publisher =    "AIP",
1712   year =         "1994",
1713   journal =      "Applied Physics Letters",
1714   volume =       "64",
1715   number =       "3",
1716   pages =        "324--326",
1717   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1718                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1719                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1720                  SYNTHESIS",
1721   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1722   doi =          "10.1063/1.111195",
1723   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1724 }
1725
1726 @Article{soref91,
1727   author =       "Richard A. Soref",
1728   collaboration = "",
1729   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1730                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1731   publisher =    "AIP",
1732   year =         "1991",
1733   journal =      "Journal of Applied Physics",
1734   volume =       "70",
1735   number =       "4",
1736   pages =        "2470--2472",
1737   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1738                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1739                  TERNARY ALLOYS",
1740   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1741   doi =          "10.1063/1.349403",
1742   notes =        "band gap of strained si by c",
1743 }
1744
1745 @Article{kasper91,
1746   author =       "E Kasper",
1747   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1748                  possibility to produce direct band gap material",
1749   journal =      "Physica Scripta",
1750   volume =       "T35",
1751   pages =        "232--236",
1752   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1753   year =         "1991",
1754   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1755                  quasi-direct one",
1756 }
1757
1758 @Article{osten99,
1759   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1760   collaboration = "",
1761   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1762                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1763                  molecular beam epitaxy",
1764   publisher =    "AIP",
1765   year =         "1999",
1766   journal =      "Applied Physics Letters",
1767   volume =       "74",
1768   number =       "6",
1769   pages =        "836--838",
1770   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1771                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1772                  compounds",
1773   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1774   doi =          "10.1063/1.123384",
1775   notes =        "substitutional c in si",
1776 }
1777
1778 @Article{hohenberg64,
1779   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1780   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1781   journal =      "Phys. Rev.",
1782   volume =       "136",
1783   number =       "3B",
1784   pages =        "B864--B871",
1785   numpages =     "7",
1786   year =         "1964",
1787   month =        nov,
1788   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1789   publisher =    "American Physical Society",
1790   notes =        "density functional theory, dft",
1791 }
1792
1793 @Article{kohn65,
1794   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1795                  Correlation Effects",
1796   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1797   journal =      "Phys. Rev.",
1798   volume =       "140",
1799   number =       "4A",
1800   pages =        "A1133--A1138",
1801   numpages =     "5",
1802   year =         "1965",
1803   month =        nov,
1804   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1805   publisher =    "American Physical Society",
1806   notes =        "dft, exchange and correlation",
1807 }
1808
1809 @Article{ruecker94,
1810   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1811                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1812   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1813                  J. Osten",
1814   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1815   volume =       "72",
1816   number =       "22",
1817   pages =        "3578--3581",
1818   numpages =     "3",
1819   year =         "1994",
1820   month =        may,
1821   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1822   publisher =    "American Physical Society",
1823   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1824                  si, dft",
1825 }
1826
1827 @Article{chang05,
1828   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1829                  Alloy",
1830   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1831   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1832   volume =       "44",
1833   number =       "4B",
1834   pages =        "2257--2262",
1835   numpages =     "5",
1836   year =         "2005",
1837   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1838   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1839   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1840   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1841 }
1842
1843 @Article{osten97,
1844   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1845   collaboration = "",
1846   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1847                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1848                  Si(001)",
1849   publisher =    "AIP",
1850   year =         "1997",
1851   journal =      "Journal of Applied Physics",
1852   volume =       "82",
1853   number =       "10",
1854   pages =        "4977--4981",
1855   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1856                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1857                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1858   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1859   doi =          "10.1063/1.366364",
1860   notes =        "charge transport in strained si",
1861 }
1862
1863 @Article{kapur04,
1864   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1865                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1866   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1867   journal =      "Phys. Rev. B",
1868   volume =       "69",
1869   number =       "15",
1870   pages =        "155214",
1871   numpages =     "8",
1872   year =         "2004",
1873   month =        apr,
1874   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1875   publisher =    "American Physical Society",
1876   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1877 }
1878
1879 @Article{barkema96,
1880   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1881                  Systems",
1882   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1883   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1884   volume =       "77",
1885   number =       "21",
1886   pages =        "4358--4361",
1887   numpages =     "3",
1888   year =         "1996",
1889   month =        nov,
1890   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1891   publisher =    "American Physical Society",
1892   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1893                  dynamic mds",
1894 }
1895
1896 @Article{cances09,
1897   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1898                  Minoukadeh and F. Willaime",
1899   collaboration = "",
1900   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1901                  technique method for finding transition pathways on
1902                  potential energy surfaces",
1903   publisher =    "AIP",
1904   year =         "2009",
1905   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1906   volume =       "130",
1907   number =       "11",
1908   eid =          "114711",
1909   numpages =     "6",
1910   pages =        "114711",
1911   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1912                  surfaces; vacancies (crystal)",
1913   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1914   doi =          "10.1063/1.3088532",
1915   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1916                  transition pathways",
1917 }
1918
1919 @Article{parrinello81,
1920   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1921   collaboration = "",
1922   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1923                  molecular dynamics method",
1924   publisher =    "AIP",
1925   year =         "1981",
1926   journal =      "Journal of Applied Physics",
1927   volume =       "52",
1928   number =       "12",
1929   pages =        "7182--7190",
1930   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1931                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1932                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1933                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1934                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1935                  IMPACT SHOCK",
1936   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1937   doi =          "10.1063/1.328693",
1938 }
1939
1940 @Article{stillinger85,
1941   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1942                  of silicon",
1943   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1944   journal =      "Phys. Rev. B",
1945   volume =       "31",
1946   number =       "8",
1947   pages =        "5262--5271",
1948   numpages =     "9",
1949   year =         "1985",
1950   month =        apr,
1951   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1952   publisher =    "American Physical Society",
1953 }
1954
1955 @Article{brenner90,
1956   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1957                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1958                  films",
1959   author =       "Donald W. Brenner",
1960   journal =      "Phys. Rev. B",
1961   volume =       "42",
1962   number =       "15",
1963   pages =        "9458--9471",
1964   numpages =     "13",
1965   year =         "1990",
1966   month =        nov,
1967   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1968   publisher =    "American Physical Society",
1969   notes =        "brenner hydro carbons",
1970 }
1971
1972 @Article{bazant96,
1973   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1974                  Cohesive Energy Curves",
1975   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1976   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1977   volume =       "77",
1978   number =       "21",
1979   pages =        "4370--4373",
1980   numpages =     "3",
1981   year =         "1996",
1982   month =        nov,
1983   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1984   publisher =    "American Physical Society",
1985   notes =        "first si edip",
1986 }
1987
1988 @Article{bazant97,
1989   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1990                  silicon",
1991   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1992                  Justo",
1993   journal =      "Phys. Rev. B",
1994   volume =       "56",
1995   number =       "14",
1996   pages =        "8542--8552",
1997   numpages =     "10",
1998   year =         "1997",
1999   month =        oct,
2000   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2001   publisher =    "American Physical Society",
2002   notes =        "second si edip",
2003 }
2004
2005 @Article{justo98,
2006   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2007                  disordered phases",
2008   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2009                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2010   journal =      "Phys. Rev. B",
2011   volume =       "58",
2012   number =       "5",
2013   pages =        "2539--2550",
2014   numpages =     "11",
2015   year =         "1998",
2016   month =        aug,
2017   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2018   publisher =    "American Physical Society",
2019   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2020 }
2021
2022 @Article{parcas_md,
2023   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2024   author =       "K. Nordlund",
2025   year =         "2008",
2026 }
2027
2028 @Article{voter97,
2029   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2030                  Infrequent Events",
2031   author =       "Arthur F. Voter",
2032   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2033   volume =       "78",
2034   number =       "20",
2035   pages =        "3908--3911",
2036   numpages =     "3",
2037   year =         "1997",
2038   month =        may,
2039   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2040   publisher =    "American Physical Society",
2041   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2042 }
2043
2044 @Article{voter97_2,
2045   author =       "Arthur F. Voter",
2046   collaboration = "",
2047   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2048                  simulation of infrequent events",
2049   publisher =    "AIP",
2050   year =         "1997",
2051   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2052   volume =       "106",
2053   number =       "11",
2054   pages =        "4665--4677",
2055   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2056                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2057                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2058                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2059                  theory; potential energy surfaces",
2060   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2061   doi =          "10.1063/1.473503",
2062   notes =        "improved hyperdynamics md",
2063 }
2064
2065 @Article{sorensen2000,
2066   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
2067   collaboration = "",
2068   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2069                  infrequent events",
2070   publisher =    "AIP",
2071   year =         "2000",
2072   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2073   volume =       "112",
2074   number =       "21",
2075   pages =        "9599--9606",
2076   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2077                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2078   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2079   doi =          "10.1063/1.481576",
2080   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2081 }
2082
2083 @Article{voter98,
2084   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2085                  events",
2086   author =       "Arthur F. Voter",
2087   journal =      "Phys. Rev. B",
2088   volume =       "57",
2089   number =       "22",
2090   pages =        "R13985--R13988",
2091   numpages =     "3",
2092   year =         "1998",
2093   month =        jun,
2094   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2095   publisher =    "American Physical Society",
2096   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2097 }
2098
2099 @Article{wu99,
2100   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2101   collaboration = "",
2102   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2103                  simulation",
2104   publisher =    "AIP",
2105   year =         "1999",
2106   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2107   volume =       "110",
2108   number =       "19",
2109   pages =        "9401--9410",
2110   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2111                  potential; crystallisation; liquid theory",
2112   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2113   doi =          "10.1063/1.478948",
2114   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2115                  systematic motion",
2116 }
2117
2118 @Article{choudhary05,
2119   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2120   collaboration = "",
2121   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2122                  to the production of amorphous silicon",
2123   publisher =    "AIP",
2124   year =         "2005",
2125   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2126   volume =       "122",
2127   number =       "15",
2128   eid =          "154509",
2129   numpages =     "8",
2130   pages =        "154509",
2131   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2132                  amorphous semiconductors",
2133   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2134   doi =          "10.1063/1.1878733",
2135   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2136                  silicon",
2137 }
2138
2139 @Article{taylor93,
2140   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2141   collaboration = "",
2142   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2143                  difficult?",
2144   publisher =    "AIP",
2145   year =         "1993",
2146   journal =      "Applied Physics Letters",
2147   volume =       "62",
2148   number =       "25",
2149   pages =        "3336--3338",
2150   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2151                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2152                  ENERGY",
2153   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2154   doi =          "10.1063/1.109063",
2155   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2156 }
2157
2158 @Article{chaussende08,
2159   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2160   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2161   volume =       "310",
2162   number =       "5",
2163   pages =        "976--981",
2164   year =         "2008",
2165   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2166                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2167   ISSN =         "0022-0248",
2168   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2169   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2170   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2171                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2172                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2173                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2174   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2175                  metastable",
2176 }
2177
2178 @Article{feynman39,
2179   title =        "Forces in Molecules",
2180   author =       "R. P. Feynman",
2181   journal =      "Phys. Rev.",
2182   volume =       "56",
2183   number =       "4",
2184   pages =        "340--343",
2185   numpages =     "3",
2186   year =         "1939",
2187   month =        aug,
2188   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2189   publisher =    "American Physical Society",
2190   notes =        "hellmann feynman forces",
2191 }
2192
2193 @Article{buczko00,
2194   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2195                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2196                  their Contrasting Properties",
2197   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2198                  T. Pantelides",
2199   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2200   volume =       "84",
2201   number =       "5",
2202   pages =        "943--946",
2203   numpages =     "3",
2204   year =         "2000",
2205   month =        jan,
2206   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2207   publisher =    "American Physical Society",
2208   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2209 }
2210
2211 @Article{djurabekova08,
2212   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2213                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2214   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2215   journal =      "Phys. Rev. B",
2216   volume =       "77",
2217   number =       "11",
2218   pages =        "115325",
2219   numpages =     "7",
2220   year =         "2008",
2221   month =        mar,
2222   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2223   publisher =    "American Physical Society",
2224   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2225                  angular distribution, coordination",
2226 }
2227
2228 @Article{wen09,
2229   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2230                  W. Liang and J. Zou",
2231   collaboration = "",
2232   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2233                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2234                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2235   publisher =    "AIP",
2236   year =         "2009",
2237   journal =      "Journal of Applied Physics",
2238   volume =       "106",
2239   number =       "7",
2240   eid =          "073522",
2241   numpages =     "8",
2242   pages =        "073522",
2243   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2244                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2245                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2246                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2247   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2248   doi =          "10.1063/1.3234380",
2249   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2250                  deconvolution, dislocation defects",
2251 }
2252
2253 @Article{kitabatake93,
2254   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2255                  Hirao",
2256   collaboration = "",
2257   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2258                  growth on Si(001) surface",
2259   publisher =    "AIP",
2260   year =         "1993",
2261   journal =      "Journal of Applied Physics",
2262   volume =       "74",
2263   number =       "7",
2264   pages =        "4438--4445",
2265   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2266                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2267                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2268   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2269   doi =          "10.1063/1.354385",
2270   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2271                  model, interface",
2272 }
2273
2274 @Article{chirita97,
2275   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2276                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2277                  dynamics study",
2278   journal =      "Thin Solid Films",
2279   volume =       "294",
2280   number =       "1-2",
2281   pages =        "47--49",
2282   year =         "1997",
2283   note =         "",
2284   ISSN =         "0040-6090",
2285   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2286   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2287   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2288   keywords =     "Strain relaxation",
2289   keywords =     "Interfaces",
2290   keywords =     "Thermal stability",
2291   keywords =     "Molecular dynamics",
2292   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2293 }
2294
2295 @Article{cicero02,
2296   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2297                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2298   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2299                  Catellani",
2300   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2301   volume =       "89",
2302   number =       "15",
2303   pages =        "156101",
2304   numpages =     "4",
2305   year =         "2002",
2306   month =        sep,
2307   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2308   publisher =    "American Physical Society",
2309   notes =        "sic/si interface study",
2310 }
2311
2312 @Article{pizzagalli03,
2313   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2314                  interface: Si{C}/Si(001)",
2315   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2316                  Catellani",
2317   journal =      "Phys. Rev. B",
2318   volume =       "68",
2319   number =       "19",
2320   pages =        "195302",
2321   numpages =     "10",
2322   year =         "2003",
2323   month =        nov,
2324   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2325   publisher =    "American Physical Society",
2326   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2327 }
2328
2329 @Article{tang07,
2330   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2331                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2332                  electron microscopy",
2333   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2334                  H. Zheng and J. W. Liang",
2335   journal =      "Phys. Rev. B",
2336   volume =       "75",
2337   number =       "18",
2338   pages =        "184103",
2339   numpages =     "7",
2340   year =         "2007",
2341   month =        may,
2342   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2343   publisher =    "American Physical Society",
2344   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2345                  si and c",
2346 }
2347
2348 @Article{hornstra58,
2349   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2350   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2351   volume =       "5",
2352   number =       "1-2",
2353   pages =        "129--141",
2354   year =         "1958",
2355   note =         "",
2356   ISSN =         "0022-3697",
2357   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2358   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2359   author =       "J. Hornstra",
2360   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2361 }
2362
2363 @Article{eichhorn99,
2364   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2365                  K{\"{o}}gler",
2366   collaboration = "",
2367   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2368                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2369                  synchrotron x-ray diffraction",
2370   publisher =    "AIP",
2371   year =         "1999",
2372   journal =      "Journal of Applied Physics",
2373   volume =       "86",
2374   number =       "8",
2375   pages =        "4184--4187",
2376   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2377                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2378                  precipitation; semiconductor doping",
2379   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2380   doi =          "10.1063/1.371344",
2381   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2382                  expansion of si lattice",
2383 }
2384
2385 @Article{eichhorn02,
2386   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2387                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2388   collaboration = "",
2389   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2390                  carbon ion implantation",
2391   publisher =    "AIP",
2392   year =         "2002",
2393   journal =      "Journal of Applied Physics",
2394   volume =       "91",
2395   number =       "3",
2396   pages =        "1287--1292",
2397   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2398                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2399                  electron microscopy",
2400   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2401   doi =          "10.1063/1.1428105",
2402   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2403                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2404 }
2405
2406 @Article{lucas10,
2407   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2408   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2409                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2410                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2411                  amorphous structures",
2412   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2413   volume =       "22",
2414   number =       "3",
2415   pages =        "035802",
2416   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2417   year =         "2010",
2418   notes =        "edip sic",
2419 }
2420
2421 @Article{godet03,
2422   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2423                  Beauchamp",
2424   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2425                  methods for silicon under large shear",
2426   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2427   volume =       "15",
2428   number =       "41",
2429   pages =        "6943",
2430   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2431   year =         "2003",
2432   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2433                  edip, tersoff, ab initio",
2434 }
2435
2436 @Article{moriguchi98,
2437   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2438                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2439   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2440   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2441   volume =       "37",
2442   number =       "Part 1, No. 2",
2443   pages =        "414--422",
2444   numpages =     "8",
2445   year =         "1998",
2446   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2447   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2448   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2449   notes =        "tersoff stringent test",
2450 }
2451
2452 @Article{mazzarolo01,
2453   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2454                  simulations",
2455   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2456                  Lulli and Eros Albertazzi",
2457   journal =      "Phys. Rev. B",
2458   volume =       "63",
2459   number =       "19",
2460   pages =        "195207",
2461   numpages =     "4",
2462   year =         "2001",
2463   month =        apr,
2464   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2465   publisher =    "American Physical Society",
2466 }
2467
2468 @Article{holmstroem08,
2469   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2470                  density functional theory molecular dynamics
2471                  simulations",
2472   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2473   journal =      "Phys. Rev. B",
2474   volume =       "78",
2475   number =       "4",
2476   pages =        "045202",
2477   numpages =     "6",
2478   year =         "2008",
2479   month =        jul,
2480   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2481   publisher =    "American Physical Society",
2482   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2483                  initio",
2484 }
2485
2486 @Article{nordlund97,
2487   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2488                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2489   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2490                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2491   volume =       "132",
2492   number =       "1",
2493   pages =        "45--54",
2494   year =         "1997",
2495   note =         "",
2496   ISSN =         "0168-583X",
2497   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2498   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2499   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2500   notes =        "repulsive ab initio potential",
2501 }
2502
2503 @Article{kresse96,
2504   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2505                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2506                  set",
2507   journal =      "Computational Materials Science",
2508   volume =       "6",
2509   number =       "1",
2510   pages =        "15--50",
2511   year =         "1996",
2512   note =         "",
2513   ISSN =         "0927-0256",
2514   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2515   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2516   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2517   notes =        "vasp ref",
2518 }
2519
2520 @Article{bloechl94,
2521   title =        "Projector augmented-wave method",
2522   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2523   journal =      "Phys. Rev. B",
2524   volume =       "50",
2525   number =       "24",
2526   pages =        "17953--17979",
2527   numpages =     "26",
2528   year =         "1994",
2529   month =        dec,
2530   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2531   publisher =    "American Physical Society",
2532   notes =        "paw method",
2533 }
2534
2535 @Article{hamann79,
2536   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2537   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2538   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2539   volume =       "43",
2540   number =       "20",
2541   pages =        "1494--1497",
2542   numpages =     "3",
2543   year =         "1979",
2544   month =        nov,
2545   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2546   publisher =    "American Physical Society",
2547   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2548 }
2549
2550 @Article{vanderbilt90,
2551   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2552                  eigenvalue formalism",
2553   author =       "David Vanderbilt",
2554   journal =      "Phys. Rev. B",
2555   volume =       "41",
2556   number =       "11",
2557   pages =        "7892--7895",
2558   numpages =     "3",
2559   year =         "1990",
2560   month =        apr,
2561   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2562   publisher =    "American Physical Society",
2563   notes =        "vasp pseudopotentials",
2564 }
2565
2566 @Article{perdew86,
2567   title =        "Accurate and simple density functional for the
2568                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2569                  approximation",
2570   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2571   journal =      "Phys. Rev. B",
2572   volume =       "33",
2573   number =       "12",
2574   pages =        "8800--8802",
2575   numpages =     "2",
2576   year =         "1986",
2577   month =        jun,
2578   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2579   publisher =    "American Physical Society",
2580   notes =        "rapid communication gga",
2581 }
2582
2583 @Article{perdew02,
2584   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2585                  correlation: {A} look backward and forward",
2586   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2587   volume =       "172",
2588   number =       "1-2",
2589   pages =        "1--6",
2590   year =         "1991",
2591   note =         "",
2592   ISSN =         "0921-4526",
2593   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2594   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2595   author =       "John P. Perdew",
2596   notes =        "gga overview",
2597 }
2598
2599 @Article{perdew92,
2600   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2601                  of the generalized gradient approximation for exchange
2602                  and correlation",
2603   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2604                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2605                  and Carlos Fiolhais",
2606   journal =      "Phys. Rev. B",
2607   volume =       "46",
2608   number =       "11",
2609   pages =        "6671--6687",
2610   numpages =     "16",
2611   year =         "1992",
2612   month =        sep,
2613   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2614   publisher =    "American Physical Society",
2615   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2616 }
2617
2618 @Article{baldereschi73,
2619   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2620   author =       "A. Baldereschi",
2621   journal =      "Phys. Rev. B",
2622   volume =       "7",
2623   number =       "12",
2624   pages =        "5212--5215",
2625   numpages =     "3",
2626   year =         "1973",
2627   month =        jun,
2628   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2629   publisher =    "American Physical Society",
2630   notes =        "mean value k point",
2631 }
2632
2633 @Article{zhu98,
2634   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2635                  diffusion in Si",
2636   journal =      "Computational Materials Science",
2637   volume =       "12",
2638   number =       "4",
2639   pages =        "309--318",
2640   year =         "1998",
2641   note =         "",
2642   ISSN =         "0927-0256",
2643   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2644   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2645   author =       "Jing Zhu",
2646   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2647   keywords =     "Boron dopant",
2648   keywords =     "Carbon dopant",
2649   keywords =     "Defect",
2650   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2651   keywords =     "Impurity cluster",
2652   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2653 }
2654
2655 @Article{nejim95,
2656   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2657   collaboration = "",
2658   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2659                  950 [degree]{C}",
2660   publisher =    "AIP",
2661   year =         "1995",
2662   journal =      "Applied Physics Letters",
2663   volume =       "66",
2664   number =       "20",
2665   pages =        "2646--2648",
2666   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2667                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2668                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2669                  ELECTRON MICROSCOPY",
2670   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2671   doi =          "10.1063/1.113112",
2672   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2673                  self interstitials react with further implanted c",
2674 }
2675
2676 @Article{guedj98,
2677   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2678                  Kolodzey and A. Hairie",
2679   collaboration = "",
2680   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2681                  alloys",
2682   publisher =    "AIP",
2683   year =         "1998",
2684   journal =      "Journal of Applied Physics",
2685   volume =       "84",
2686   number =       "8",
2687   pages =        "4631--4633",
2688   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2689                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2690                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2691                  annealing",
2692   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2693   doi =          "10.1063/1.368703",
2694   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2695 }
2696
2697 @Article{jones04,
2698   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2699   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2700                  semiconductors",
2701   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2702   volume =       "16",
2703   number =       "27",
2704   pages =        "S2643",
2705   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2706   year =         "2004",
2707   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2708 }
2709
2710 @Article{park02,
2711   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2712                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2713                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2714   collaboration = "",
2715   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2716                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2717                  molecular-beam epitaxy",
2718   publisher =    "AIP",
2719   year =         "2002",
2720   journal =      "Journal of Applied Physics",
2721   volume =       "91",
2722   number =       "9",
2723   pages =        "5716--5727",
2724   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2725   doi =          "10.1063/1.1465122",
2726   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2727 }
2728
2729 @Article{leary97,
2730   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2731                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2732   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2733                  Torres",
2734   journal =      "Phys. Rev. B",
2735   volume =       "55",
2736   number =       "4",
2737   pages =        "2188--2194",
2738   numpages =     "6",
2739   year =         "1997",
2740   month =        jan,
2741   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2742   publisher =    "American Physical Society",
2743   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2744                  energies, different migration barriers and paths",
2745 }
2746
2747 @Article{burnard93,
2748   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2749                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2750                  calculations",
2751   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2752   journal =      "Phys. Rev. B",
2753   volume =       "47",
2754   number =       "16",
2755   pages =        "10217--10225",
2756   numpages =     "8",
2757   year =         "1993",
2758   month =        apr,
2759   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2760   publisher =    "American Physical Society",
2761   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2762                  carbon defect, formation energies",
2763 }
2764
2765 @Article{kaxiras96,
2766   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2767                  and growth on semiconductors",
2768   journal =      "Computational Materials Science",
2769   volume =       "6",
2770   number =       "2",
2771   pages =        "158--172",
2772   year =         "1996",
2773   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2774                  Epitaxy",
2775   ISSN =         "0927-0256",
2776   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2778   author =       "Efthimios Kaxiras",
2779   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2780                  tight binding, first principles",
2781 }
2782
2783 @Article{kaukonen98,
2784   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2785                  diamond
2786                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2787                  surfaces",
2788   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2789                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2790                  Th. Frauenheim",
2791   journal =      "Phys. Rev. B",
2792   volume =       "57",
2793   number =       "16",
2794   pages =        "9965--9970",
2795   numpages =     "5",
2796   year =         "1998",
2797   month =        apr,
2798   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2799   publisher =    "American Physical Society",
2800   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2801                  (crt)",
2802 }
2803
2804 @Article{gali03,
2805   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2806                  center in Si{C}",
2807   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2808                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2809                  W. J. Choyke",
2810   journal =      "Phys. Rev. B",
2811   volume =       "67",
2812   number =       "15",
2813   pages =        "155203",
2814   numpages =     "5",
2815   year =         "2003",
2816   month =        apr,
2817   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2818   publisher =    "American Physical Society",
2819 }
2820
2821 @Article{chen98,
2822   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2823                  irradiation and deformation",
2824   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
2825   volume =       "258-263",
2826   number =       "Part 2",
2827   pages =        "1803--1808",
2828   year =         "1998",
2829   note =         "",
2830   ISSN =         "0022-3115",
2831   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2832   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2833   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2834 }
2835
2836 @Article{weber01,
2837   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2838                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2839   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2840                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2841   volume =       "175-177",
2842   number =       "",
2843   pages =        "26--30",
2844   year =         "2001",
2845   note =         "",
2846   ISSN =         "0168-583X",
2847   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2848   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2849   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2850   keywords =     "Amorphization",
2851   keywords =     "Irradiation effects",
2852   keywords =     "Thermal recovery",
2853   keywords =     "Silicon carbide",
2854 }
2855
2856 @Article{bockstedte03,
2857   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2858                  in $3{C}-Si{C}$",
2859   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2860                  Pankratov",
2861   journal =      "Phys. Rev. B",
2862   volume =       "68",
2863   number =       "20",
2864   pages =        "205201",
2865   numpages =     "17",
2866   year =         "2003",
2867   month =        nov,
2868   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2869   publisher =    "American Physical Society",
2870   notes =        "defect migration in sic",
2871 }
2872
2873 @Article{rauls03a,
2874   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2875                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
2876   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
2877                  De\'ak",
2878   journal =      "Phys. Rev. B",
2879   volume =       "68",
2880   number =       "15",
2881   pages =        "155208",
2882   numpages =     "9",
2883   year =         "2003",
2884   month =        oct,
2885   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
2886   publisher =    "American Physical Society",
2887 }