posic/talks/seminar_2008.tex

   1 \pdfoutput=0
   2 \documentclass[landscape,semhelv]{seminar}
   3
   4 \usepackage{verbatim}
   5 \usepackage[greek,german]{babel}
   6 \usepackage[latin1]{inputenc}
   7 \usepackage[T1]{fontenc}
   8 \usepackage{amsmath}
   9 \usepackage{latexsym}
  10 \usepackage{ae}
  11
  12 \usepackage{calc}               % Simple computations with LaTeX variables
  13 \usepackage{caption}            % Improved captions
  14 \usepackage{fancybox}           % To have several backgrounds
  15
  16 \usepackage{fancyhdr}           % Headers and footers definitions
  17 \usepackage{fancyvrb}           % Fancy verbatim environments
  18 \usepackage{pstricks}           % PSTricks with the standard color package
  19
  20 \usepackage{pstricks}
  21 \usepackage{pst-node}
  22
  23 %\usepackage{epic}
  24 %\usepackage{eepic}
  25
  26 \usepackage{graphicx}
  27 \graphicspath{{../img/}}
  28
  29 \usepackage[setpagesize=false]{hyperref}
  30
  31 \usepackage{semcolor}
  32 \usepackage{semlayer}           % Seminar overlays
  33 \usepackage{slidesec}           % Seminar sections and list of slides
  34
  35 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
  36 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
  37
  38 \articlemag{1}
  39
  40 \special{landscape}
  41
  42 % font
  43 %\usepackage{cmbright}
  44 %\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
  45 %\usepackage{mathptmx}
  46
  47 \usepackage{upgreek}
  48
  49 \begin{document}
  50
  51 \extraslideheight{10in}
  52 \slideframe{none}
  53
  54 \pagestyle{empty}
  55
  56 % specify width and height
  57 \slidewidth 27.7cm
  58 \slideheight 19.1cm
  59
  60 % shift it into visual area properly
  61 \def\slideleftmargin{3.3cm}
  62 \def\slidetopmargin{0.6cm}
  63
  64 \newcommand{\ham}{\mathcal{H}}
  65 \newcommand{\pot}{\mathcal{V}}
  66 \newcommand{\foo}{\mathcal{U}}
  67 \newcommand{\vir}{\mathcal{W}}
  68
  69 % itemize level ii
  70 \renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}}
  71
  72 % colors
  73 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
  74 \newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89}
  75 \newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88}
  76 \newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81}
  77
  78 % topic
  79
  80 \begin{slide}
  81 \begin{center}
  82
  83  \vspace{16pt}
  84
  85  {\LARGE\bf
  86   Molekulardynamische Untersuchung\\
  87   zum SiC-Ausscheidungsvorgang
  88  }
  89
  90  \vspace{48pt}
  91
  92  \textsc{F. Zirkelbach}
  93
  94  \vspace{48pt}
  95
  96  Lehrstuhlseminar
  97
  98  \vspace{08pt}
  99
 100  20. November 2008
 101
 102 \end{center}
 103 \end{slide}
 104
 105 % contents
 106
 107 \begin{slide}
 108
 109 {\large\bf
 110  Gliederung
 111 }
 112
 113  \begin{itemize}
 114   \item Motivation
 115   \item SiC-Ausscheidungsvorgang
 116   \item Simulation
 117         \begin{itemize}
 118          \item Details der MD-Simulation
 119          \item Zwischengitter-Konfigurationen
 120          \item Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 121          \item SiC-Ausscheidungen in Si
 122         \end{itemize}
 123   \item Zusammenfassung und Ausblick
 124  \end{itemize}
 125
 126 \end{slide}
 127
 128 % start of contents
 129
 130 \begin{slide}
 131
 132  {\large\bf
 133   Motivation
 134  }
 135
 136  {\small
 137
 138  Eigenschaften von SiC:
 139
 140  \begin{itemize}
 141   \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
 142   \item hohe mechanische Stabilit"at
 143   \item gute Ladungstr"agermobilit"at
 144   \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
 145   \item hohe Durchbruchfeldst"arke
 146   \item chemisch inerte Substanz
 147   \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
 148   \item geringer Neutroneneinfangquerschnitt
 149   \item strahlungsresistent
 150  \end{itemize}
 151
 152  Anwendungen:
 153
 154  \begin{itemize}
 155   \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsbauelemente
 156   \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
 157   \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
 158   \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
 159   \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik
 160  \end{itemize}
 161
 162  }
 163
 164  \begin{picture}(0,0)(-280,-150)
 165   %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps}
 166  \end{picture}
 167
 168  \begin{picture}(0,0)(-280,-20)
 169   %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps}
 170  \end{picture}
 171
 172 \end{slide}
 173
 174 \begin{slide}
 175
 176  {\large\bf
 177   Motivation
 178  }
 179
 180  \vspace{4pt}
 181
 182  SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.}
 183
 184  \vspace{4pt}
 185
 186  Herstellung d"unner SiC-Filme:
 187  \begin{itemize}
 188   \item modifizierter Lely-Prozess
 189         \begin{itemize}
 190          \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$
 191          \item umgeben von polykristallinen SiC mit
 192                $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$
 193         \end{itemize}
 194   \item CVD Homoepitaxie
 195         \begin{itemize}
 196          \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat
 197          \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$
 198          \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC
 199          \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\
 200                Substratgr"o"se
 201         \end{itemize}
 202   \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si
 203         \begin{itemize}
 204          \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum
 205          \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$
 206          \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend
 207         \end{itemize}
 208  \end{itemize}
 209
 210  \begin{picture}(0,0)(-245,-50)
 211   \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps}
 212  \end{picture}
 213  \begin{picture}(0,0)(-240,-35)
 214   \begin{minipage}{5cm}
 215   {\scriptsize
 216    NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt]
 217    nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat
 218   }
 219   \end{minipage}
 220  \end{picture}
 221
 222 \end{slide}
 223
 224 \begin{slide}
 225
 226  {\large\bf
 227   Motivation
 228  }
 229
 230  \vspace{8pt}
 231
 232  3C-SiC (\foreignlanguage{greek}{b}-SiC) /
 233  6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
 234  \begin{itemize}
 235   \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
 236   \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
 237   \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur
 238         Oberfl"ache) entlang c-Richtung
 239         bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC
 240   \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung
 241         sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC
 242  \end{itemize}
 243
 244  \vspace{16pt}
 245
 246  {\color{blue}
 247  \begin{center}
 248   Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
 249   $\Downarrow$\\
 250   Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
 251  \end{center}
 252  }
 253
 254  \vspace{16pt}
 255
 256  Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
 257  $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
 258
 259  \begin{itemize}
 260   \item Ma"sschneidern der elektronischen Eigenschaften von Si
 261   \item gestreckte Heterostrukturen
 262  \end{itemize}
 263
 264 \end{slide}
 265
 266 \begin{slide}
 267
 268  {\large\bf
 269   Motivation
 270  }
 271
 272  Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 273
 274  \begin{itemize}
 275   \item Implantation:
 276         180 keV C$^+\rightarrow$ Si, $D=8.5 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
 277         $T_{\text{i}}=450 \, ^{\circ} \text{C}$
 278   \item Temperschritt:
 279         $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=??\text{ h}$
 280  \end{itemize}
 281
 282 \end{slide}
 283
 284 \begin{slide}
 285
 286  {\large\bf
 287   SiC-Ausscheidungsvorgang
 288  }
 289
 290  \vspace{8pt}
 291
 292  {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
 293  \begin{itemize}
 294    \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
 295          ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
 296          $\leftarrow$ Si-Atome
 297    \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
 298          ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
 299          ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
 300  \end{itemize}
 301  \vspace{8pt}
 302  \begin{minipage}{8cm}
 303  {\bf Gitterkonstanten:}
 304  \[
 305  4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
 306  \]
 307  {\bf Siliziumdichten:}
 308  \[
 309  \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
 310  \]
 311  \end{minipage}
 312  \begin{minipage}{5cm}
 313    \includegraphics[width=5cm]{sic_unit_cell.eps}
 314  \end{minipage}
 315
 316 \end{slide}
 317
 318 \begin{slide}
 319
 320  {\large\bf
 321   SiC-Ausscheidungsvorgang
 322  }
 323
 324  \vspace{64pt}
 325
 326  Hier die aus experimentellen Untersuchungen heraus vermuteten
 327  Ausscheidungsvorgaenge rein.
 328
 329 \end{slide}
 330
 331 \begin{slide}
 332
 333  {\large\bf
 334   SiC-Ausscheidungsvorgang
 335  }
 336
 337  \small
 338
 339  \vspace{6pt}
 340
 341  Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
 342
 343  \vspace{8pt}
 344
 345  \begin{minipage}{3.8cm}
 346  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_01.eps}
 347  \end{minipage}
 348  \hspace{0.6cm}
 349  \begin{minipage}{3.8cm}
 350  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_02.eps}
 351  \end{minipage}
 352  \hspace{0.6cm}
 353  \begin{minipage}{3.8cm}
 354  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_03.eps}
 355  \end{minipage}
 356
 357  \vspace{8pt}
 358
 359  \begin{minipage}{3.8cm}
 360  Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
 361  \end{minipage}
 362  \hspace{0.6cm}
 363  \begin{minipage}{3.8cm}
 364  Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
 365  \end{minipage}
 366  \hspace{0.6cm}
 367  \begin{minipage}{3.8cm}
 368  Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
 369  \end{minipage}
 370
 371  \vspace{12pt}
 372
 373  Aus experimentellen Untersuchungen:
 374  \begin{itemize}
 375   \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
 376   \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
 377  \end{itemize}
 378
 379 \end{slide}
 380
 381 \begin{slide}
 382
 383  {\large\bf
 384   Details der MD-Simulation
 385  }
 386
 387  \vspace{12pt}
 388  \small
 389
 390  {\bf MD-Grundlagen:}
 391  \begin{itemize}
 392   \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
 393   \item Analytisches Wechselwirkungspotential
 394   \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
 395         als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
 396   \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
 397  \end{itemize}
 398  {\bf Details der Simulation:}
 399  \begin{itemize}
 400   \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
 401   \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
 402         \begin{itemize}
 403          \item Berendsen Thermostat:
 404                $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
 405          \item Berendsen Barostat:\\
 406                $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
 407                $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
 408         \end{itemize}
 409   \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
 410   \vspace*{12pt}
 411         \[
 412         E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
 413         \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
 414         \]
 415  \end{itemize}
 416
 417  \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
 418   \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps}
 419  \end{picture}
 420
 421 \end{slide}
 422
 423 \begin{slide}
 424
 425  {\large\bf
 426   Zwischengitter-Konfigurationen
 427  }
 428
 429  \vspace{8pt}
 430
 431  Simulationssequenz:\\
 432
 433  \vspace{8pt}
 434
 435  \begin{pspicture}(0,0)(7,8)
 436   \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 437    \parbox{7cm}{
 438    \begin{itemize}
 439     \item initiale Konfiguration:\\
 440           $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
 441     \item periodische Randbedingungen
 442     \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
 443    \end{itemize}
 444   }}}}
 445 \rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
 446  \parbox{7cm}{
 447   Einf"ugen der C/Si Atome:
 448   \begin{itemize}
 449    \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
 450          (${\color{red}\triangleleft}$)
 451    \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
 452          (${\color{green}\triangleright}$)
 453    \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
 454          $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
 455          (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
 456    \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
 457   \end{itemize}
 458   }}}}
 459   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 460    \parbox{3.5cm}{
 461    Relaxation ($>2$ ps)
 462   }}}}
 463   \ncline[]{->}{init}{insert}
 464   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 465  \end{pspicture}
 466
 467  \begin{picture}(0,0)(-210,-45)
 468   \includegraphics[width=6cm]{unit_cell_s.eps}
 469  \end{picture}
 470
 471 \end{slide}
 472
 473 \begin{slide}
 474
 475  {\large\bf
 476   Zwischengitter-Konfigurationen
 477  }
 478
 479  \small
 480
 481  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 482  \underline{Tetraedrisch}\\
 483  $E_f=3.41$ eV\\
 484  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
 485  \end{minipage}
 486  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 487  \underline{110 Dumbbell}\\
 488  $E_f=4.39$ eV\\
 489  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
 490  \end{minipage}
 491  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 492  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 493  \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 494  $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
 495  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
 496  \end{minipage}
 497
 498  \underline{zuf"allige Positionen}
 499
 500  \begin{minipage}{4.3cm}
 501  $E_f=3.97$ eV\\
 502  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_397_0.eps}
 503  \end{minipage}
 504  \begin{minipage}{4.3cm}
 505  $E_f=3.75$ eV\\
 506  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_375_0.eps}
 507  \end{minipage}
 508  \begin{minipage}{4.3cm}
 509  $E_f=3.56$ eV\\
 510  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_356_0.eps}
 511  \end{minipage}
 512
 513 \end{slide}
 514
 515 \begin{slide}
 516
 517  {\large\bf
 518   Zwischengitter-Konfigurationen
 519  }
 520
 521  \small
 522
 523  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 524  \underline{Tetraedrisch}\\
 525  $E_f=2.67$ eV\\
 526  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
 527  \end{minipage}
 528  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 529  \underline{110 Dumbbell}\\
 530  $E_f=1.76$ eV\\
 531  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
 532  \end{minipage}
 533  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 534  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 535  \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 536  $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
 537  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
 538  \end{minipage}
 539
 540  \underline{zuf"allige Positionen}
 541
 542  \footnotesize
 543
 544 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 545    $E_f=0.47$ eV\\
 546    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
 547    \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
 548     100 Dumbbell
 549    \end{picture}
 550 \end{minipage}
 551 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 552    $E_f=1.62$ eV\\
 553    \includegraphics[width=3.2cm]{c_in_si_int_rand_162_0.eps}
 554 \end{minipage}
 555 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 556    $E_f=2.39$ eV\\
 557    \includegraphics[width=3.1cm]{c_in_si_int_rand_239_0.eps}
 558 \end{minipage}
 559 \begin{minipage}[t]{3.0cm}
 560    $E_f=3.41$ eV\\
 561    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_rand_341_0.eps}
 562 \end{minipage}
 563
 564 \end{slide}
 565
 566 \begin{slide}
 567
 568  {\large\bf
 569   Zwischengitter-Konfigurationen
 570  }
 571
 572  Das 100 Dumbbell
 573
 574  \vspace{8pt}
 575
 576  \small
 577
 578  \begin{minipage}{4cm}
 579  \begin{itemize}
 580   \item $E_f=0.47$ eV
 581   \item Very often observed
 582   \item Most energetically\\
 583         favorable configuration
 584   \item Experimental\\
 585         evidence [6]
 586  \end{itemize}
 587  \vspace{24pt}
 588  {\tiny
 589   [6] G. D. Watkins and K. L. Brower,\\
 590       Phys. Rev. Lett. 36 (1976) 1329.
 591  }
 592  \end{minipage}
 593  \begin{minipage}{8cm}
 594  \includegraphics[width=9cm]{100-c-si-db_s.eps}
 595  \end{minipage}
 596
 597 \end{slide}
 598
 599 \begin{slide}
 600
 601  {\large\bf
 602   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 603  }
 604
 605  \small
 606
 607  \vspace{8pt}
 608
 609  Simulationssequenz:\\
 610
 611  \vspace{8pt}
 612
 613  \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
 614   % nodes
 615   \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 616    \parbox{7cm}{
 617    \begin{itemize}
 618     \item initiale Konfiguration:\\
 619           $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
 620     \item periodsche Randbedingungen
 621     \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
 622     \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
 623    \end{itemize}
 624   }}}}
 625   \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
 626    \parbox{7cm}{
 627    Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
 628    bei konstanter Temperatur
 629    \begin{itemize}
 630     \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
 631     \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
 632     \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
 633    \end{itemize}
 634   }}}}
 635   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 636    \parbox{3.5cm}{
 637    Abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
 638   }}}}
 639   \ncline[]{->}{init}{insert}
 640   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 641   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
 642   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
 643   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
 644   \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
 645   \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
 646   \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
 647   \ncline[]{->}{in1}{ins1}
 648   \ncline[]{->}{in2}{ins2}
 649   \ncline[]{->}{in3}{ins3}
 650  \end{pspicture}
 651
 652 \end{slide}
 653
 654 \end{document}
 655
 656 \begin{slide}
 657
 658  {\large\bf
 659   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 660  }
 661
 662  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
 663  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
 664
 665  \begin{minipage}[t]{6.3cm}
 666  \tiny
 667     \begin{itemize}
 668       \item C-C peak at 0.15 nm similar to next neighbour distance of graphite
 669             or diamond\\
 670             $\Rightarrow$ Formation of strong C-C bonds
 671                           (almost only for high C concentrations)
 672       \item Si-C peak at 0.19 nm similar to next neighbour distance in 3C-SiC
 673       \item C-C peak at 0.31 nm equals C-C distance in 3C-SiC\\
 674             (due to concatenated, differently oriented
 675              <100> dumbbell interstitials)
 676       \item Si-Si shows non-zero g(r) values around 0.31 nm like in 3C-SiC\\
 677             and a decrease at regular distances\\
 678             (no clear peak,
 679              interval of enhanced g(r) corresponds to C-C peak width)
 680     \end{itemize}
 681  \end{minipage}
 682  \begin{minipage}[t]{6.3cm}
 683  \tiny
 684    \begin{itemize}
 685       \item Low C concentration (i.e. $V_1$):
 686             The <100> dumbbell configuration
 687             \begin{itemize}
 688               \item is identified to stretch the Si-Si next neighbour distance
 689                     to 0.3 nm
 690               \item is identified to contribute to the Si-C peak at 0.19 nm
 691               \item explains further C-Si peaks (dashed vertical lines)
 692             \end{itemize}
 693             $\Rightarrow$ C atoms are first elements arranged at distances
 694                           expected for 3C-SiC\\
 695             $\Rightarrow$ C atoms pull the Si atoms into the right
 696                           configuration at a later stage
 697       \item High C concentration (i.e. $V_2$ and $V_3$):
 698             \begin{itemize}
 699               \item High amount of damage introduced into the system
 700               \item Short range order observed but almost no long range order
 701             \end{itemize}
 702             $\Rightarrow$ Start of amorphous SiC-like phase formation\\
 703             $\Rightarrow$ Higher temperatures required for proper SiC formation
 704     \end{itemize}
 705  \end{minipage}
 706
 707 \end{slide}
 708
 709 \begin{slide}
 710
 711  {\large\bf
 712   Very first results of the SiC precipitation runs
 713  }
 714
 715  \begin{minipage}[t]{6.9cm}
 716   \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/sic_pc.ps}
 717   \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/foo_end.ps}
 718   \hspace{12pt}
 719  \end{minipage}
 720  \begin{minipage}[c]{5.5cm}
 721   \includegraphics[width=6.0cm]{sic_si-c-n.eps}
 722  \end{minipage}
 723
 724 \end{slide}
 725
 726 \begin{slide}
 727
 728  {\large\bf
 729   Summary / Outlook
 730  }
 731
 732 \vspace{24pt}
 733
 734 \begin{itemize}
 735  \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism
 736  \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential
 737  \item Indication of SiC precipitation
 738 \end{itemize}
 739
 740 \vspace{24pt}
 741
 742 \begin{itemize}
 743  \item Displacement and stress calculations
 744  \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC
 745  \item Analyzing self-designed Si/SiC interface
 746 \end{itemize}
 747
 748 \end{slide}
 749
 750 \end{document}
 751