renamed bibdb! + fixes
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Wed, 30 Apr 2008 17:24:24 +0000 (19:24 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Wed, 30 Apr 2008 17:24:24 +0000 (19:24 +0200)
bibdb/bibdb.bib [new file with mode: 0644]
bibdb/bibdb.tex [deleted file]

diff --git a/bibdb/bibdb.bib b/bibdb/bibdb.bib
new file mode 100644 (file)
index 0000000..5f4379d
--- /dev/null
@@ -0,0 +1,269 @@
+%
+% bibliography database
+%
+
+% molecular dynamics: basics / potential
+
+@article{albe_sic_pot,
+  author = {Paul Erhart and Karsten Albe},
+  title = {Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon,
+           and silicon carbide},
+  publisher = {APS},
+  year = {2005},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {71},
+  number = {3},
+  eid = {035211},
+  numpages = {14},
+  pages = {035211},
+  notes = {alble reparametrization, analytical bond oder potential (ABOP)},
+  keywords = {silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon compounds;
+              wide band gap semiconductors; elasticity; enthalpy;
+              point defects; crystallographic shear; atomic forces},
+  url = {http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.71.035211}
+}
+
+@Article{albe2002,
+  title = {Modeling the metal-semiconductor interaction:
+           Analytical bond-order potential for platinum-carbon},
+  author = {Albe, Karsten  and Nordlund, Kai  and Averback, Robert S.},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {65},
+  number = {19},
+  pages = {195124},
+  numpages = {11},
+  year = {2002},
+  month = {May},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.65.195124},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {derivation of albe bond order formalism},
+}
+
+@Article{koster2002,
+  title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
+  author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {62},
+  number = {16},
+  pages = {11219--11224},
+  numpages = {5},
+  year = {2000},
+  month = {Oct},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.62.11219},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
+}
+
+@Article{breadmore99,
+  title = {Direct simulation of ion-beam-induced stressing
+           and amorphization of silicon},
+  author = {K. M. Beardmore, N. Gr\o{}nbech-Jensen},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {60},
+  number = {18},
+  pages = {12610--12616},
+  numpages = {6},
+  year = {1999},
+  month = {Nov},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.60.12610},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
+}
+
+% molecular dynamics: applications
+
+@Article{batra87,
+  title = {Molecular-dynamics study of self-interstitials in silicon},
+  author = {Inder P. Batra, Farid F. Abraham, S. Ciraci},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {35},
+  number = {18},
+  pages = {9552--9558},
+  numpages = {6},
+  year = {1987},
+  month = {Jun},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.35.9552},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
+           calculation of defect formation energy, defect interstitial types}
+}
+
+@Article{schober89,
+  title = {Extended interstitials in silicon and germanium},
+  author = {H. R. Schober},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {39},
+  number = {17},
+  pages = {13013--13015},
+  numpages = {2},
+  year = {1989},
+  month = {Jun},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.39.13013},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {stillinger-weber silicon 110 stable and metastable dumbbell
+           configuration}
+}
+
+% tight binding
+
+@Article{tang97,
+  title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
+           Tight-binding molecular dynamics studiesof self-diffusion,
+           interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
+  author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {55},
+  number = {21},
+  pages = {14279--14289},
+  numpages = {10},
+  year = {1997},
+  month = {Jun},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.55.14279},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {si self interstitial, diffusion, tbmd}
+}
+
+@Article{tang97,
+  title = {Tight-binding theory of native point defects in silicon},
+  author = {L. Colombo},
+  journal = {Annu. Rev. Mater. Res.},
+  volume = {32},
+  pages = {271--295},
+  numpages = {25},
+  year = {2002},
+  doi = {10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036},
+  publisher = {Annual Reviews},
+  notes = {si self interstitial, tbmd, virial stress}
+}
+
+% mixed
+
+@Article{gao2001,
+  title = {Ab initio and empirical-potential studies of defect properties
+           in $3C-SiC$ },
+  author = {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber, L. R. Corrales},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {64},
+  number = {24},
+  pages = {245208},
+  numpages = {7},
+  year = {2001},
+  month = {Dec},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.64.245208},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {defects in 3c-sic}
+}
+
+% ab initio
+
+@Article{leung99,
+  title = {Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects},
+  author = {Leung, W.-K.  and Needs, R. J. and Rajagopal, G.  and
+            Itoh, S.  and Ihara, S. },
+  journal = {Phys. Rev. Lett.},
+  volume = {83},
+  number = {12},
+  pages = {2351--2354},
+  numpages = {3},
+  year = {1999},
+  month = {Sep},
+  doi = {10.1103/PhysRevLett.83.2351},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {nice images of the defects}
+}
+
+@Article{PhysRevB.50.7439,
+  title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
+           in silicon},
+  author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {50},
+  number = {11},
+  pages = {7439--7442},
+  numpages = {3},
+  year = {1994},
+  month = {Sep},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.50.7439},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
+}
+
+% experimental stuff
+
+@Article{watkins76,
+  title = {EPR Observation of the Isolated Interstitial Carbon Atom in Silicon},
+  author = {Watkins, G. D. and Brower, K. L.},
+  journal = {Phys. Rev. Lett.},
+  volume = {36},
+  number = {22},
+  pages = {1329--1332},
+  numpages = {3},
+  year = {1976},
+  month = {May},
+  doi = {10.1103/PhysRevLett.36.1329},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {epr observations of 100 interstitial carbon atom in silicon}
+}
+
+@Article{PhysRevB.42.5759,
+  title = {EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon},
+  author = {L. W. Song, G. D. Watkins},
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {42},
+  number = {9},
+  pages = {5759--5764},
+  numpages = {5},
+  year = {1990},
+  month = {Sep},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.42.5759},
+  publisher = {American Physical Society}
+}
+
+% my own publications
+
+@article{zirkelbach2007,
+  title = {Monte Carlo simulation study of a selforganisation process
+           leading to ordered precipitate structures},
+  author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
+  journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
+  volume = {257},
+  number = {1--2},
+  pages = {75--79},
+  numpages = {5},
+  year = {2007},
+  month = {Apr},
+  doi = {doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118},
+  publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
+}
+
+@article{zirkelbach2006,
+  title = {Monte-Carlo simulation study of the self-organization of nanometric
+           amorphous precipitates in regular arrays during ion irradiation},
+  author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
+  journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
+  volume = {242},
+  number = {1--2},
+  pages = {679--682},
+  numpages = {4},
+  year = {2006},
+  month = {Jan},
+  doi = {doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162},
+  publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
+}
+
+@article{zirkelbach2005,
+  title = {Modelling of a selforganization process leading to periodic arrays
+           of nanometric amorphous precipitates by ion irradiation},
+  author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
+  journal = {Comp. Mater. Sci.},
+  volume = {33},
+  number = {1--3},
+  pages = {310--316},
+  numpages = {7},
+  year = {2005},
+  month = {Apr},
+  doi = {doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016},
+  publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
+}
+
diff --git a/bibdb/bibdb.tex b/bibdb/bibdb.tex
deleted file mode 100644 (file)
index f755d9a..0000000
+++ /dev/null
@@ -1,269 +0,0 @@
-%
-% bibliography database
-%
-
-% molecular dynamics: basics / potential
-
-@article{albe_sic_pot,
-  author = {Paul Erhart and Karsten Albe},
-  title = {Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon,
-           and silicon carbide},
-  publisher = {APS},
-  year = {2005},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {71},
-  number = {3},
-  eid = {035211},
-  numpages = {14},
-  pages = {035211},
-  notes = {alble reparametrization, analytical bond oder potential (ABOP)}
-  keywords = {silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon compounds;
-              wide band gap semiconductors; elasticity; enthalpy;
-              point defects; crystallographic shear; atomic forces},
-  url = {http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.71.035211}
-}
-
-@Article{albe2002,
-  title = {Modeling the metal-semiconductor interaction:
-           Analytical bond-order potential for platinum-carbon},
-  author = {Albe, Karsten  and Nordlund, Kai  and Averback, Robert S.},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {65},
-  number = {19},
-  pages = {195124},
-  numpages = {11},
-  year = {2002},
-  month = {May},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.65.195124},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {derivation of albe bond order formalism}
-}
-
-@Article{koster2002,
-  title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
-  author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {62},
-  number = {16},
-  pages = {11219--11224},
-  numpages = {5},
-  year = {2000},
-  month = {Oct},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.62.11219},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
-}
-
-@Article{breadmore99,
-  title = {Direct simulation of ion-beam-induced stressing
-           and amorphization of silicon},
-  author = {K. M. Beardmore, N. Gr\o{}nbech-Jensen},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {60},
-  number = {18},
-  pages = {12610--12616},
-  numpages = {6},
-  year = {1999},
-  month = {Nov},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.60.12610},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
-}
-
-% molecular dynamics: applications
-
-@Article{batra87,
-  title = {Molecular-dynamics study of self-interstitials in silicon},
-  author = {Inder P. Batra, Farid F. Abraham, S. Ciraci},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {35},
-  number = {18},
-  pages = {9552--9558},
-  numpages = {6},
-  year = {1987},
-  month = {Jun},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.35.9552},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
-           calculation of defect formation energy, defect interstitial types}
-}
-
-@Article{schober89,
-  title = {Extended interstitials in silicon and germanium},
-  author = {H. R. Schober},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {39},
-  number = {17},
-  pages = {13013--13015},
-  numpages = {2},
-  year = {1989},
-  month = {Jun},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.39.13013},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {stillinger-weber silicon 110 stable and metastable dumbbell
-           configuration}
-}
-
-% tight binding
-
-@Article{tang97,
-  title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
-           Tight-binding molecular dynamics studiesof self-diffusion,
-           interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
-  author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {55},
-  number = {21},
-  pages = {14279--14289},
-  numpages = {10},
-  year = {1997},
-  month = {Jun},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.55.14279},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {si self interstitial, diffusion, tbmd}
-}
-
-@Article{tang97,
-  title = {Tight-binding theory of native point defects in silicon}
-  author = {L. Colombo},
-  journal = {Annu. Rev. Mater. Res.},
-  volume = {32},
-  pages = {271--295},
-  numpages = {25},
-  year = {2002},
-  doi = {10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036},
-  publisher = {Annual Reviews}
-  notes = {si self interstitial, tbmd, virial stress}
-}
-
-% mixed
-
-@Article{gao2001,
-  title = {Ab initio and empirical-potential studies of defect properties
-           in $3C-SiC$ },
-  author = {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber, L. R. Corrales},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {64},
-  number = {24},
-  pages = {245208},
-  numpages = {7},
-  year = {2001},
-  month = {Dec},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.64.245208},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {defects in 3c-sic}
-}
-
-% ab initio
-
-@Article{leung99,
-  title = {Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects},
-  author = {Leung, W.-K.  and Needs, R. J. and Rajagopal, G.  and
-            Itoh, S.  and Ihara, S. },
-  journal = {Phys. Rev. Lett.},
-  volume = {83},
-  number = {12},
-  pages = {2351--2354},
-  numpages = {3},
-  year = {1999},
-  month = {Sep},
-  doi = {10.1103/PhysRevLett.83.2351},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {nice images of the defects}
-}
-
-@Article{PhysRevB.50.7439,
-  title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
-           in silicon},
-  author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {50},
-  number = {11},
-  pages = {7439--7442},
-  numpages = {3},
-  year = {1994},
-  month = {Sep},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.50.7439},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
-}
-
-% experimental stuff
-
-@Article{watkins76,
-  title = {EPR Observation of the Isolated Interstitial Carbon Atom in Silicon},
-  author = {Watkins, G. D. and Brower, K. L.},
-  journal = {Phys. Rev. Lett.},
-  volume = {36},
-  number = {22},
-  pages = {1329--1332},
-  numpages = {3},
-  year = {1976},
-  month = {May},
-  doi = {10.1103/PhysRevLett.36.1329},
-  publisher = {American Physical Society}
-  notes = {epr observations of 100 interstitial carbon atom in silicon}
-}
-
-@Article{PhysRevB.42.5759,
-  title = {EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon},
-  author = {L. W. Song, G. D. Watkins},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {42},
-  number = {9},
-  pages = {5759--5764},
-  numpages = {5},
-  year = {1990},
-  month = {Sep},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.42.5759},
-  publisher = {American Physical Society}
-}
-
-% my own publications
-
-@article{zirkelbach2007,
-  title = {Monte Carlo simulation study of a selforganisation process
-           leading to ordered precipitate structures},
-  author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
-  journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
-  volume = {257},
-  number = {1--2},
-  pages = {75--79},
-  numpages = {5},
-  year = {2007},
-  month = {Apr},
-  doi = {doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118},
-  publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
-}
-
-@article{zirkelbach2006,
-  title = {Monte-Carlo simulation study of the self-organization of nanometric
-           amorphous precipitates in regular arrays during ion irradiation},
-  author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
-  journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
-  volume = {242},
-  number = {1--2},
-  pages = {679--682},
-  numpages = {4},
-  year = {2006},
-  month = {Jan},
-  doi = {doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162},
-  publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
-}
-
-@article{zirkelbach2005,
-  title = {Modelling of a selforganization process leading to periodic arrays
-           of nanometric amorphous precipitates by ion irradiation},
-  author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
-  journal = {Comp. Mater. Sci.},
-  volume = {33},
-  number = {1--3},
-  pages = {310--316},
-  numpages = {7},
-  year = {2005},
-  month = {Apr},
-  doi = {doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016},
-  publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
-}
-