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\begin{document}
\email{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}
\institution{Lehrstuhl f"ur Experiemntalphysik IV - Institut f"ur Physik\\Universit"at Augsburg}
\slideCaption{Lehrstuhlseminar Experimentalphysik IV - 10.11.2005}
-\Logo{\includegraphics[height=1cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}}
\maketitle
-\overlays{8}{
\begin{slide}{"Uberblick}
-\begin{itemstep}
+\begin{itemize}
\item Motivation
- \item Grundlagen der Ionenimplantation
+ \item Grundlagen
\item Experimentelle Befunde
\item Das Modell
\item Die Simulation
\item Ergebnisse
\item Anwendung
\item Zusammenfassung
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\overlays{5}{
+\begin{slide}{Ionenimplantation}
+Funktionsweise:
+\begin{itemstep}
+ \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
+ \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
+ \item Bestrahlung eines Festk"orpers
\end{itemstep}
+\FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\
+\vspace{15pt}
+\FromSlide{5}{
+Industrielle Anwendung:\\
+Dotierung von Halbleiterkristallen}
\end{slide}}
-\overlays{3}{
-\begin{slide}{Motivation}
-Ionenimplantation
-\begin{itemstep}
- \item exakte Dosierbarkeit
+\begin{slide}{Ionenimplantation}
+Vorteile
+\begin{itemize}
+ \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
\item Reproduzierbarkeit
+ \item Homogenit"at
+ \item Schnelligkeit
\item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
-\end{itemstep}
-\end{slide}}
+ \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}{Selbstorganisation}
+\begin{tabular}{c}
+ \begin{tabular}{lr}
+ \includegraphics[width=4cm]{tr.eps} & text...
+ \end{tabular} \\
+Bolse: swift heavy ions
+\end{tabular}
+\end{slide}
\end{document}