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index 9677df6..cabbebd 100644 (file)
--- a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex
+++ b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex
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 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
 
-\author{F. Zirkelbach, M. Haeberlen, J. K. N. Lindner \\ und B. Stritzker}
-\title{Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation amorpher nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in Silizium waehrend $C^+$-Ionen-Implantation}
+\def\uni-header{%
+\ptsize{8}%
+ \begin{figure}[t]%
+  \begin{center}
+   \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}%
+   \hspace{1in}%
+   \includegraphics[height=1cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}%
+   %\hspace{3in}%
+   %\includegraphics[height=1cm]{uni-logo.eps}%
+  \end{center}
+ \end{figure}}
 
 \begin{document}
 
-\extraslideheight{5in}
+\extraslideheight{10in}
 
 \begin{slide}
-\maketitle
+\begin{figure}[t]
+ \begin{center}
+  \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}
+  \\
+  \includegraphics[height=2cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}
+ \end{center}
+\end{figure}
+\begin{center}
+ \large\bf
+ Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation amorpher nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in Silizium w"ahrend  $C^+$-Ionen-Implantation
+\end{center}
+\begin{center}
+ F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J. K. N. Lindner und B. Stritzker
+\end{center}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\includegraphics[width=10cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps}
+\uni-header
+\begin{figure}
+ \begin{center}
+  \includegraphics[width=08cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps}
+  \caption{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ implantierten Probe}
+ \end{center}
+\end{figure}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\part{Modell}
+\uni-header
+\section*{Modell}
 \begin{itemize}
- \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium $rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
  \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
- \item $20-30%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ $\rightarrow$ 
+ \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
+ \item d"unnes Target $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
+ \item Kohlenstoff"ubers"attigung $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete
 \end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Modell}
+\begin{figure}[t]
+ \begin{center}
+  \includegraphics[width=6cm]{model1_.eps}
+  \caption{Modell zur Entstehung und Selbstordnung lamellarer Strukturen}
+ \end{center}
+\end{figure}
+\begin{itemize}
+ \item kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item spannungsinduzierte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
+ \item Bildung kohelnstoffreicher amorpher lamellarer Ausscheidungen
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Annahmen}
+\begin{figure}
+ \begin{center}
+  \includegraphics[width=5cm]{implsim_.eps}
+  \caption{Tiefenabh"angiges Implantationsprofil und Energieversluste (\emph{TRIM})}
+ \end{center}
+\end{figure}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Annahmen}
+\begin{itemize}
+ \item Strahlensch"adigung $\simeq$ nukleare Bremskraft (linear gen"ahert)
+ \item Amorphisierungswahrscheinlichkeit $\simeq$ Druckspannungen
+ \item lineare N"aherung des Implantationsprofils
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation}
+\begin{itemize}
+ \item Unterteilung des Silizium-Targets in Zellen ($x=50$, $y=50$, $z=100$)
+ \item Zelle enth"alt folgende Eigenschaften/Informationen:
+  \begin{itemize}
+   \item Kantenl"ange $3nm$ (Simulationsfenster ist $300nm$ tief bei $100$ Zellen)
+   \item Zustand: amorph/kristallin
+   \item Kohlenstoffkonzentration
+  \end{itemize}
+ \end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation}
+Dreiteilung des Simulationsalgorithmus:
+\begin{enumerate}
+ \item Amorphisierung/Rekristallisation 
+ \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium-Target
+ \item Diffusionsprozess
+\end{enumerate}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation(1/3) - Amorphisierung/Rekristallisation}
+\begin{itemize}
+ \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess
+ \item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit:
+  \[
+    \begin{array}{ll}
+     p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohelstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\
+     p_{a \rightarrow c} & =1-p_{c \rightarrow a}
+   \end{array}
+  \]
+  $a_{cp}$ beschreibt kohlenstoffinduzierte Amorphisierung\\
+  $b_{ap}$ beschreibt ballistische Amorphisierung\\
+  $a_{ap}$ beschreibt spannungsinduzierte Amorphisierung
+ \item Ausw"urfeln der entscheidenden Zufallszahl
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation(2/3) - \\ Einbau des implantierten Kohlenstoffions}
+\begin{itemize}
+ \item $\textrm{gesamter Kohlenstoff} < \textrm{steps} \times c_{ratio}$
+ \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation(3/3) - Diffusion}
+Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt.
+\begin{itemize}
+ \item rein kristalline Diffusion:
+  \[
+   \Delta c = \frac{\textrm{Differenz}}{2} \times dr_{ac}
+  \]
+ \item Diffusion von kristalline in amorphe Gebiete:
+  \[
+   \Delta c =  c_C(Nachbar) \times dr_{cc}
+  \]
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Ergebnisse}
+
+\end{slide}
 
 \end{document}